Постоянное запоминающее устройство

 

О f3 И С А Н И Е,903982

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз CosoTcKNx

Соцнапнстнчвсннк

Реснубпнн

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6! ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Завалено 06.06.80 (2 I ) 2938783/18-24 (51)М. Кл.

О 11 С 11/40

G 11 С 17/00 с присоединением заявки М3ЬеудеретекккыФ кенктет

СССР ве делан изебретеккй к еткрыткй (23)Приоритет

Опубликовано 07.02.82. Бюллетень М 5

Дата опубликования описания 10.02.82 (53 } Уд К 681.327..66(088.8) К72) Авторы изобретения

A. С. Свердлов, Б. М. Соскин и P. Я. Поп (7!) Заявитель (54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮШЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструированию микросхем памяти с электрической записью информапии íà МОП-транзисторах.

Известны устройства, выполненные в виде интегральных схем на MOll-транзисторах, где информация представлена зарядом на плавающем затворе, Эти устройства представляют собой матрицу координатных шин Х и Ч, в узлах которых включены -транзисторы выборки, сото единенные последовательно с запоминающими транзисторами. Запоминание информации основано на лавинно-инжекпионномпробое стокового р - и перехода f.1) и (2 .

Недостатком укаэанных устройств является трудность записи информации в и -канальных устройствах иэ-за низкой эффективности инжекции дверок.

Наиболее близким по -технической сущности к предлагаемому является постоянное запоминающее устройство с электрической записью информации t.33

В этом устройстве запоминающие

МОП-транзисторы имеют дополнительные управляющие затворы, соединенные с шинами М накопителя, а их стоки соединены с пинами X ° Истоки всех запоминающих транзисторов объединены. При выборке координатной шины, в частности шины Х стоков, дешифратор открывает соответствующий управляющий транзистор, который подает напряжение на выбранную шину.

При этом на шину Х должен поступать ток, величина которого определяется рядом факторов и на практике составляет обычно несколько миллиампер. Эта требует, чтобы выходное сопротивление управляющего транзистора было небольшим.

В то же время управляющий транзистор работает с очень сильной отрицательной обратной связью по истоку, так как его нагрузка (запоминающие транзисторы) включены в его исток. Это приводит к необходимости применять специальные меры для достижения небольшого выход, ного сопротивления управляющего транзистора (большое напряжение на его затворе, большая крутизна его характеристики) . Для получения большого напряжения на затворе необходимо существенное усложнение схемы управления (введение импульгиого питания или удвоение напряжения). Для увеличения крутизны приходится увеличивать размеры транзисторов (его ширину), из-за чего возрастают размеры схемы управления, усложняется ее компоновка. Все это затруд. няет увеличение степени интеграции устройства.

Пель изобретения — повышение надежности работы устройства за счет уменьшения рабочих напряжений.

Укаэанная цель достигается тем, что в постоянное запоминающее устройство, содержащее запоминающие MOll-транзисторы с плавающими затворами, управляющие затворы которых соединены с шинами М, истоки транзисторов соединены с шиной Х, стоки транзисторов соединены с шинами Е, соединенными с ис токами соответс твующих управляющих транзисторов, затворы которых соединены с управляющими шинами, а стоки - с шиной питания, и шину нулевого потенциала, введены дополнительные управляющие трназисторы, затворы которых подключены к управляющим шинам, стоки — к соответствующим шинам, а истоки соединены с шиной нулевого потенциала.

На чертеже представлена принципиальная схема постоянного запоминающего устройства.

Устройство содержит запоминающие

МОП-транзисторы 1 с плаваюш; м и управляющим затворами, соединенными с шинами J 2, истоки транзисторов 1 оединены с шиной х 3, а стоки — с соответствующими шинами т 4, соединенными с управляющими транзисторами

5 и дополнительными управляющими транзисторами 6. Затворы транзисторов

5 и 6 соединены с управляющими шинами 7, сток управляющего транзистора 5 соединен с шиной 8 питания, а исток дополнительного управляющего транзистора 6 — с шиной 9 нулевого потенциала.

Устройство работает следующим образом.

В режиме записи между шиной 3 и шиной 9 нулевого потенпиала подключают напряжение. На одну из шин 2 подают напряжение необходимой величины., 982 4

Одновременно с этим открывается олин из транзисторов 6, что соединяет одну из шин 4 с общей и>иной 9. Выбранный транзистор открывается, и благодаря процессу инжекции происходит заряд плавающего затвора этого транзистора.

В режиме считывания шина 3 истоков соединяется с шиной 9 нулевого потенциала. Выборка необходимого транэистоto pa осуществляется подачей на одну иэ шин 2 напряжения считывания и вклкъчением одного из транзисторов 5, При этом выбранная шина 4 соединяется с источником питания по шине 8 питания, а напряжение на ней определяется проводимостьк> транзистора 1, т. е. записанной информацией.

Использование предлагаемого устройго ства позволяет в режиме запиСи уменьшать управляющее напряжение, что ведет к повышению надежности устройства.

За счет уменьшения управляющего напряжения можно уменьшить геометриг5 ческие размеры управляющих и запоминающих транзисторов, что ведет к повышению степени интеграции устройства.

Формула изобретения

Постоянное запоминающее устройство, содержащее запоминающие МОП-транзисторы с плавающими затворами, управляющие затворы которых соединены с шинами 3, истоки транзисторов соединены с

35 шиной Х, стоки транзисторов соединены с соответствующими шинами Е, соединенными с истоками соответствующих управляющих транзисторов, затворы ко4О торых соединены с управляющими шинами, а стоки — с шиной питания, и шину нулевого потенциала, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены дополнительные управляющие транзисторы, затворы которых соединены с управляющими шинами, стоки — с соответствующими шинами Е, а истоки — с шиной нулевого потенциала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.1ЕВ 3ow>»a4 af SaHd-State ci>cu kS

1971, V5 р. 301-306.

55 2. ЛесЬои4,сэ ", 1975, № 3, р. ) 17.

3, Авторское свидетельство СССР № 444246, кл. G 11 С 17/00, 1973 (прототип) .

903 982

Составитель Г. Бородин

Редактор H. Чубелко Техред М. Надь Корректор В. Бутяга

Заказ 134/36 Тираж 623 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4