Аналоговое запоминающее устройство
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
G 11 С 27/00 (ооударотаеииы6 комитет СССР во Аелаи изооретеиий и открытий Опубликовано 07.02 82 бюллетень ¹ Дата опубликования описания 09.02.82 f53) УДК 681.327. .6б(088.8) (72) Автор изобретения С. В. Полозов и, lQ »: р е» ).", .в ЕМТ- :6-! Специальное. конструкторское бюро прикладной т Уи .c;F;.г;.;! " геофизики Сибирского отделения АН СССР \ (71) Заявитель (54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для хранения выбранного значения напряжения сигнала и может быть использовано при построении аналого-цифровых преобразователей и при согласовании аналоговых и цифровых устройств в системах обработки сигналов. Известно аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный конденсатор, р-п-р-транзисторы, п-р-п-транзистор, резисторы и ключ (1 Однако известное устройство характеризуется невысоким быстродействием и точностью. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является аналоговое запоминающее устройство, которое содержит п-р-п-транзистор, р-и"р-транзисторы, диод, резисторы, накопительный конденсатор, шину стробирующего импульса, шину питания, шину напряжения смещения и шину напряжения ограничения 521. Недостатками известного устройства являются пролезание импульса, формирующегося на аноде диода и имеS ющего значительную амплитуду, равную в худшем случае динамическому диапазону входного сигнала через база-эмиттерную емкость второго эмит. терного повторителя на запоминающий 10 конденсатор, низкая статическая точность коэффициента передачи устройства, определяемая тем, что первый и второй эмиттерные повторители выполнены на транзисторах разтЗ личного типа проводимости и ра" ботают при разных эмиттерных токах, так как в известной схеме необходимо иметь сравнительно более 20 мощный второй эмиттерный повторитель. В режиме выборки при перезарядке запоминающего конденсатора от положительных значений напряжения к более отрицательным он пропускает 903988 Э через себя кроме тока перезаряда конденсатора выходной ток переключателя тока, ток которого, в свою очередь, должен быть больше эмиттерного тока первого эмиттерного повторителя. Кроме того, наличие задержки включения/выключения устройства, определяемой необходимостью перезаряда ! паразитной емкости, подключенной к р .аноду диода, на напряжение, равное в худшем случае динамическому диапазону входного сигнала. Цель изобретения - повышение точ" ности и быстродействия устройства. Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент,найример конденсатор, первый п-р-п-транзистор, база которого coezo динена со входом устройства и через первый резистор с шиной нулевого потенциала, второй п-р-п-транзистор, включенный диодом, первый, второй и третий р-п-р-транзисторы, второй 25 и .третий резисторы, шину стробирующего импульса, шины питания и шину напряжения смещения, введены третий и четвертый п-р-п-транзисторы, эмиттеры которых соединены через второй резистор с первой шиной питания, базы третьего и четвертого и-р-и-транзисторов соединены соответственно с шиной стробирующего импульса и с шиной напряжения смещения, коллектор третьего и-р-и-транзистора соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор четвертого и-р-и-транзистора соединен с эмиттерами первого и второго п-р-п-транзисторов, коллекторы которых соединены соответственно с коллекторами первого и второго р-и-ртранзисторов, коллектор и база второго n-p-и-транзистора соединены с выходом устройства и с одной из обкладок конденсатора, другая обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, эмиттеры первого и вто" рого р-n-p-транзисторов соединены со второй шиной питания, базы первого и второго р-и-р-транзисторов соединены через третий резистор со второй шиной питания, база третьего Р и р транзистора подключена к кол лектору nepsoro n"р-п-транзистора, коллектор третьего р-и-р-транзистора соединен с шиной нулевого потенциала,а эмиттер — с базами первого и второго р-п-р-транзисторов. На чертеже изображена электрическая схема предлагаемого аналогового запоминающего устройства. Устройство содержит и-р-и-транзисторы 1-4, р-и-р-транзисторы 5-7, резисторы 7-9, накопительный элемент, например конденсатор 10, шину 11 стробирующего импульса, шины 12 и 13 питания, шину 14 напряжения смещения и шину 15 нулевого потенциала. Транзисторы 5-7 и резистор 9 образуют стабилизатор тока на основе токового зеркала. Транзисторы 3 и 4. и резистор 8 образуют управляемый генератор тока. Транзистор 2 включен по схеме диода. Предлагаемое устройство функционирует следующим образом. В режиме выборки на шину 11 подается стробирующий импульс, в результате чего открывается транзистор 4 и его ток перераспределяется между транзисторами 1 и 2 в зависимости от уровней сигнала на входе устройства и напряжения на конденсаторе 10. Если входной сигнал более положителен,, ÷åì напряжение на конденсаторе 10, то транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт, коллекторный ток транзистора 1 поступает на базу транзистора 7 и через транзистор 6 начинается заряд конденсатора 10 до более положительных значений напряжения до тех пор, пока входное напряжение и напряжение на конденсаторе 10 не сравняются с точностью до разности баэаэмиттерного напряжения транзистора и падения напряжения на транзисторе 2. При этом ток управляемого генера" тора тока, образованного транзистораии 3 и 4, перераспределяется поровну между транзисторами 1 и 2 и дальнейшего изменения напряжения на конденсаторе 10 не будет. При условии идентичности вольт-аиперных характеристик база-эмиттерного перехода транзисторов 1 и 2 выходное напряжение будет в точности равно входному напряжению. В том случае, когда входное напряжение меньше напряжения на конденсаторе 10, транзисторы 3 и 4 через открытый транзистор 2 разряжают конденсатор 10 до выравнивания уровней входного напряжения и напряжения на конденсаторе 10. В режиме хранения транзисторы 3 и 4 закрыты, транзистор 1 и транэис3988 (Формула изобретения 5 90 торы 2, 5"7 обесточены и напряжение на конденсаторе 10 не изменяется. Цепь вход"выход разомкнута встречно включенными база-эмиттерными пе-. реходами транзисторов 1 и 2. Транзистор 2 используется в диодном включении, идентичный по характеристикам первому и-р-и-транзистору. Коллектор и база его объединены и служат анодом эквивалентного диода, а эмиттер - катодом диода. Повторитель тока, выполненный на основе токового зеркала на транзисторах 5"7 имеет близкий к единице коэффициент передачи тока и высокое быстродействие, определяемое тем, что транзисторы 5-7 работают в ненасыщенном режиме и заряд в базах транзисторов 5 и 6 быстро разряжается через низкоомный резистор 9. Использование предлагаемого устройства позволяет по сравнению с известным вдвое увеличить частоту образования выборок сигнала, вдвое уменьшить погрешность слежения за сигналом, в три раза уменьшить апертурную неопределенность, в 10 раз уменьшить смещение уровня выходного сигнала в момент перехода к режиму слежения. Аналоговое запоминающее устройство, содержащее наокпительный элемент, например конденсатор, первый и-р-итранзистор, база которого соединена со входом устройства и через первый резистор с шиной нулевого потенциала, второй п-р-п-транзистор, включенный диодом, первый, второй и третий р-п-р-транзисторы, второй и I третий резисторы, шину стробирующего импульса, шины питания и шину напряжения смещения, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения S точности и быстродействия устройства, в него введены третий и четвертый п-р-п-транзисторы, эмиттеры которых соединены через второй резистор с первой шиной питания, базы третьего и четвертого и-р-и-транзисторов соединены соответственно с шиной стробирующего импульса и с шиной напряжения смещения, коллектор третьего n-p-и-транзистора соединен с шиной 1S нулевого потенциала, коллектор четвертого и-р-и-транзистора соединен с эмиттерами первого и второго п-р-итранзисторов, коллекторы которых соединены соответственно с коллекторами 20 первого и второго р-h-р-транзисторов, коллектор и база второго и-р-и-транзистора соединены с выходом устройства и с одной из обкладок конденсатора, другая обкладка которого соединена с 25 шиной нулевого потенциала, эмиттеры первого и второго р-и-р-транзисторов соединены со второй шиной питания, базы nepsoro и второго р-и-р-транзисторов соединены через третий резис3е тор. со второй шинои питания, база 1 третьего р-и-р-транзистора подключена к коллектору первого и-р-и-транзистора, коллектор третьего р-и-ртранзистора соединен с шиной нулевого потенциала, а эмиттер - с базами первого и второго р-п-р-транзисторов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР ав N 656108, кл. G ll С 27/00, 1976. 2. авторское свидетельство СССР t 553683,. кл. 1 11 С 27/00, 1975 (прототип).. 903988 Составитель А. Воронин Редактор С. Крупенина Техред Е.Харитончик Корректор С. Цомак Заказ 134/36 Тираж 623 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
