Способ контроля процессов травления покрытий

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Государственный ком ятет (53) УДК 621.317. .39:531.717 (088.8) Опубликовано 15.02.82. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 25.02.82 ло делам нзобретеннй н открытий

А. А. Бизюков, В. И. Фареник. Ю. П. Маишев, А. И. Мик ли1т =" —; и Г. Ф. Ивановский г (72) Авторы изобретения

Харьковский государственный университет им," А. М, Горького (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ HOKPbITHH

1/2

-.

4Кпе

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля процессов травления покрытий веществами в плазменной фазе.

Известен способ контроля. процессов травления покрытий, заключаюшийся в том, что металлопокрытие подвергают электролитическому растворению, окончание которого фиксируют по сигналу электролитического взаимодействия с основной, используя в качестве сигнала магнитные шумы Баркгаузена (1) .

Недостатки этого способа состоят в наличии зависимости показаний измерений от температуры, а также в том, что собственные шумы устройств травления затрудняют выделение шумов Баркгаузена. 15

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ контроля процессов травления покрытий, заключающийся в том, что производят определение параметров, характеризующих взаимодействие травяшего вещества с контролируемой поверхностью (2).

Недостатком указанного способа является влияние примесей в стравливаемом слое на точность контроля.

Цель изобретения — повышение точности контроля.

Эта цель достигается тем, что устанавливают одиночный ленгмюровский зонд по отношению к контролируемой поверхности на расстоянии где h — величина дебаевского слоя;

Т вЂ” температура электронов; е — заряд электронов; и — плотность электронов, и осуществляют контроль по изменению тока насышения зонда, соответствующему изменению химического состава покрытий.

На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, реализующего способ; на фиг. 2 — график изменения тока насышения зонда в процессе травления.

Устройство содержит вакуумную камеру

1, ленгмюровский зонд 2, источник 3 ионов миллиамперметр 4, источник 5 питания, контролируемый образец 6.

Устройство работает следующим образом.

9056! 9

Фор иулш изобретения фиг. 1

0, 0ф

Л иин (риг. 2

Составитель Н. Бирюкова

Техред А. Бойкас Корректор А. Ференц

Тираж 613 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г Ужгород, ул. Проектная, 4

В вакуумную .камеру 1 помещают контролируемый образец 6. От источника 3 ионов на контролируемую поверхность образца 6 направляют пучек ионов, производящих травление покрытий. На расстоянии 1 от контролируемого образца 6 устанавливают одиночный ленгмюровский зонд 2. Hd зонд 2 от источника 5 питания подают положительный потенциал. При стравливании очередного слоя покрытие или полного стравливания покрытия ток зонда 2 изъясняется скачкообразно (фиг. 2) .

Предлагаемое изобрстение дает возможность осуществлять локальный конпгроль травления контролируемой поверхности, и также производить контроль травлс ппя многослойных покрытий.

Способ контроля процессов травления покрытий, заключающийся в том, что производят определение параметров, характеризующих взаимодействис трdâÿùåãо вещества с контролируемой поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повыlllåèèÿ точности контроля, устанавливают одиночный ленгмюровский зонд по отношению к контролируемой поверхности на расстоянии

Т 1)в

l

4Кпе2 где h — величина дебаевского слоя;

T температура электронов;

c — заряд электронов; и плотность электронов, и осуществляют контроль по изменению тока насыщения зонда, соответствующему изменению химического состава по15 крытий.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе !. Авторское свидетельство СССР

¹ 563556, кл. G О! В 7!06, (977.

2. Авторское свидетельство СССР

20 № 430276, кл, G 01 В 7 06, (974 (прототип) .

Способ контроля процессов травления покрытий Способ контроля процессов травления покрытий 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может найти широкое применение в системах неразрушающего контроля и измерений толщины пленочных покрытий

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для контроля толщины металлических покрытий в процессе их образования, например, на металлических деталях, в частности, при нанесении покрытий из паровой фазы пиролитическим способом

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения деформирующей способности технологических остаточных напряжений в поверхностном слое изделий из металлов и сплавов с различными электромагнитными свойствами

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества и геометрических размеров изделий и может быть использовано для измерения толщины проводящих покрытий
Изобретение относится к электронной технике и электротехнике и может быть использовано, в частности, в качестве датчиков магнитного поля или тензодатчиков

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины различных покрытий на цилиндрических металлических основах

Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно к методам и техническим средствам для контроля толщины твердых и полутвердых защитных покрытий, изоляционных слоев, жировых отложений, смазочных и лакокрасочных пленок на электропроводящей, в частности, металлической основе
Наверх