Автоколебательный релаксатор

 

!

I.

В.Н.Бабков и К.Э.Каринди с (72) Авторы изобретения

Специальное конструкторское бюро АН эстонской CCP (71) Заявитель (54) АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ РЕЛАКСАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в микромощных релаксационных генераторах.

Известны автоколебательные релаксаторы, содержащие р-й-р-й-структуру, внешние р- и и-области которой подключены к конденсатору, при этом внешняя р- область подключена к генератору тока, а внешняя и-область подключена к общей шине, внутренняя и-область структуры подключена через резистор к источнику напряжения смещения, к внешней й-области и к внутренней р-области подключен резистор (11.

Однако такие релаксаторы потребляют значительную мощность по цепи смещения.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является авт4колебательный релаксатор, в котором содержится р-й-р-й-структура, внешние р- и й-области которой под" ключены к конденсатору, при этом внешняя р-область подключена к генератору тока, а внешняя й-область подключена к общей шине, внутренняя и-область структуры через резистор подключена к источнику напряжения смещения и к блоку управления, выход которого подключен к базе транзистора, коллектор которого подключен к внутренней р-области структу"

10 ры, а эмиттер подключен через резистор к общей шине 2Д.

Однако этот автоколебательный релаксатор имеет дополнительный

15 блок управления транзистором, вклю" .. ченным в цепи между внутренней р-областью структуры и общей шиной.Это вызывает дополнительный расход мощности источника питания.

Цель изобретения - уменьшение мощности потребляемой от источника питания.

Поставленная цель достигается тем, что к внешней ll-области и к

7779

Формула изобретения

3 90 внутренней р-области р-и-р-и-структуры подключен Соответственно исток и сток полевого транзистора, затвор которого подключен к внешней р-области структуры.

На чертеже показана электрическая схема автоколебательного рвлак-. сатора.

Автоколебательный релаксатор включает р-и-р-и-структуру 1, внешнив р- и и-области р-п-р.-п-структу ры 1 подключены к конденсатору 2, внешняя р-область подключена к генератору тока 3. Внутренняя и-область структуры через резистор 4 подключена к источнику напряжения смещения. К внешней и-области и к внутренней р-области р-и-р-и-структуры 1 подключены соответственно сток и исток полевого транзистора 5, затвор которого подключен к внешней р-области структуры 1.

При условии, что напряжение отсечки полевого транзистора меньше напряжения смещения Е, полевой транзистор 5 закрыт, когда напряже" ние на конденсаторе 2 приблизится к напряжению смещения F . Сопротивление канала полевого транзистора 5 велико, и шунтирование структуры отсутствует.

После включения устройства напряжение затвор-исток полевого тран" зистора 5 близко к нулю,.канал полевого транзистора открыт и шунтиру, ет р-и-переход структуры. Р-и-р-иструктура 1 находится в проводящем состоянии до тех пор, пока ток раэ"

- ряда конденсатора 2 создает напряжение сток-исток, достаточное для поддержания полевого транзистора структуры в проводящем состоянии.

При уменьшении тока разряда структуры закрывается.

При этом величина резистора 4 может быть сколь угодно большой и

4 выбирается из условия обеспечения тока включения.

Таким образом, в предложенном устройстве минимизирована мощность, потребляемая от источника напряжения смещения, и исключены дополнительные устройства, создающие нели-, нейную дополнительную нагрузку.

Уменьшение потребляемой мощности от источника напряжения смещения позволяет использовать источник напряжения с большим внутренним сопротивлением. В результате упрощения конструкции автоколебательного релаксатора расширяются возможности его применения в микромощной аппаратуре.

Автоколебательный релаксатор, содержащий p-n-p-п-структуру, внешние р- и и- области которой подключены к конденсатору, при этом внешняя р-область подключена к генератору тока,. а внешняя и-область подключена к общей шине, внутренняя и-область структуры через резистор подключена к источнику напряжения смещения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, к внешней и-области и к внутренней р-области подключены соответственно сток и исток полевого транзистора, затвор которого подключен к внешней р-области структуры.

Источники инФормации, принятые во внимание при экспертизе

1. Агизим А.И., Кудрин Л.А. и др.

Управляемые р-и-р-и-переключатели в аппаратуре для гидробионических исследований. Киев, 197б, с.59, рис.29 и с.111, рис.63.

2. Авторское свидетельство СССР

11 741423, кл. Н ОЗ К 3/335, 1974.

907779

Составитель И.Федотов

Редактор Н.Лазаренко Техред И.Тепер Корректор M.Øàðîøè

М

Заказ 615/69 Тираж 954 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4