Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов

 

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения λ_кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее отстоящие друг от друга и от λ_кр.эт значения длин волн λ₁ и λ₂, для которых равны значения эллипсометрического параметра ψ образца и эталона, в интервале длин волн λ₁-λ₂ снимают и сравнивают зависимости параметров образца ψ_л и эталона ψ_o от длины волны и определяют тип проводимости по знаку разности Δψ(λ) = ψ_л-ψ_o:Δψ(λ) < 0 - n-тип, Δψ(λ) ≥ 0 - p-тип.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметры ψ_л и ψ_o измеряют на одной длине волны, лежащей в интервале λ₂≅ λ ≅ λ₁.