Способ измерения углов поворота в диапазоне от 0 до 90 @

 

Союз. Советсиил

Социалистические

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 12. 11. 80 (21) 3004397/25-28 с присоединением заявки М(23) Приоритет

Опубликовано 23. 05. 82. Бюллетень М19

Дата опубликования описания 23. 05. 82 (Sl)N. Кл.

0 01 В 7/30

Гоеударотекиный комитет

СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК531 ° 715, .2 (088.8) (72) Автор изобретения

M.М.Анисимов (7l ) Заявитель

Всесоюзный заочный машиностроительный институт (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ УГЛОВ ПОВОРОТА

В ДИАПАЗОНЕ ОТ 0 ЯО:90

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерениях углов поворота объектов.

Известен способ измерения угла rioS ворота объекта, заключающиися в том, что переводят нагревом жидкий крис-- . талл в нематическую фазу, воздействуют на него внешними электрическими и магнитными полями, охлаждают о жидкий кристалл до смектической фазы, выключают внешние поля и по изменению скорости ультразвука в жидком крис- . талле судят об угле поворота (1).

Недостатком этого способа явля15 ется длительная подготовка к измерениям, обусловленная переводом жидкого кристалла из смектической фазы в нематическую и обратно.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ измерения углов поворота в диапазоне от 0 до 90, заключающийся в том, что располагают жидкий кристалл1 в электрическом или магнитном поле и, измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, в качестве которого используют скорость распространения ультразвука в жидком кристалле (2 .

Недостатками этого способа являются низкая точность и сложность процесса измерения, обусловленные малой величиной анизотропии скорости распространения ультразвука, и большое количество операций.

Цель изобретения — повышение точности и упрощение процесса измерений.

Эта цель достигается тем, что согласно способу измерения углов поворота в диапазоне от 0 до 90,заключающемуся в том, что располагают жидкий кристалл в электрическом или магнитном поле и измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, в качестве последнего используют диэлектрическую проницае930007

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 3)48/50 Тираж 614 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 мость жидкого кристалла в направлении, перпендикулярном к оси поворота и образующем в плоскости вращения угол 450 с направлением электричес1

КОГО или маГнитнОГО ПОля. 5

На чертеже изображена принципиальная схема устройства, реализующего способ измерения углов поворота.

Устройствр содержит камеру

: заполненную жидким кристаллом 2, маг- 10 нит 3, между полюсами которого рас:положена камера 1, конденсатор 4, расположенный в камере 1 под углом

450 к направлению магнитного поля магнита 3, соединенные последова- 15 тельно с конденсатором 4 измеритель

5.емкости и регистрирующий блок 6.

Способ измерения углов поворота в диапазоне от О. до 90 заключается в том, что располагают камеру 1 с 2в

v жидким кристаллом 2, например, в магнитное поле магнита 3, что приводит к пространственной ориентации директора; Ввиду того, что при повороте камеры 1 жидкий кристалл 2, 2$ в силу малой вязкости, остается в по- кое, меняется и направление измерения диэлектрической проницаемости, что приводит к изменению ее величины

: пропорциональному углу поворота. Та- зв ким образом, при повороте камеры 1 меняется емкость конденсатора 4, измеряемая измерителем 5 емкости и регистрируемая регистрирующим блоком 6.

Предлагаемый способ измерения углов поворота позволяет повысить точность измерения в силу того, что анизотропия диэлектрической проницаемости имеет большую величину по сравнению с анизотропией скорости ультразвука, а малое число операций упрощает процесс измерения..

Способ измерения углов поворота в диапазоне от О до 90, заключающийся в том, что располагают жидкий кристалл в электрическом или маг.нитном поле и измеряют анизотропный параметр ориентированного жидкого кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, в качестве анизотропного параметра используют диэлектрическую проницаемость жидкого кристалла в направлении, перпендикулярном к оси пово-. рота и образующем в плоскости вращения угол 45в с направлением электрического или магнитного поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свйдетельство СССР по заявке Ю 2443462/23,,кл. G 02 F 1/13, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке Н 2896866/28, кл. G 01 В 17/00, 1980 (прототип).