Запоминающее устройство

Авторы патента:

РАЕВ ВЯЧЕСЛАВ КОНСТАНТИНОВИЧ

СМИРНОВ СЕРГЕЙ НИКОЛАЕВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

Сеюь Советсиик

Социалистические

Респубкии

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

< 930384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05. 09. 80 (21) 2979385/18-24 с присоединением заявки М(23) Приоритет

Опублик вано 23. 05. 82. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 25. 05. 82 (5I)М. Кл.

G l1 С 11/14

1Ъвударсте81ны5 камитет

СССР де делам изобретений

N открытей (53) УДК681 ° 327 . 66(088. 8) (72) Авторы изобретения

8.К. Раев и С.H. Смирнов

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАКМЦЕЕ УСТРОЙСТ80

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь.зовано при разработке накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти

Э8М.

Известны запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД, содержащие магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие основные замкнутые и дополнительные каналы продвижения ЦМД, канал ввода-вывода

ЦМД, магниторезисторные датчики и токопроводящую шину.

Одно из известных ЗУ содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие магнитосвязанные между собой основные замкнутые и дополнительные каналы продвижения, и токопроводящую шину (1) .

8 этом ЗУ осуществляется парафазный вывод информации по двум дополнительным каналам продвижения ЦМД для обеспечения разнополярного считывания ЦМД. Благодаря разнополярно-му считыванию ЦМД-информации этот тип ЗУ является помехоустойчивым и менее чувствительным к воздействию внешних и внутренних факторов по сравнению с ЗУ с обычным считыванием

ЦМД-информации.

Однако, недостатком такого ЗУ является невысокая надежность изза недостаточной надежности работы. узлов перераспределения ЦМД-информации в парафазную ЦМД-информацию.

Кроме того, построение такого ЗУ осложняется дополнительной токопроводящей шиной на ввод ЦМД-информации в основные замкнутые каналы и дополнительной электроникой.

Наиболее близким техническим pe" шением является запоминающее устройство, которое содержит как и пред384

3 930 ложенное магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены регистры хранения информации и каналы ввода-вывода ЦМД иэ ферромагнитных аппликаций, причем первый канал ввода-вывода ЦМД соединен с основ" ным генератором ЦМД, переключатели

ЦМД вЂ” с шинами управления и шины растяжения ЦМД, магнитосвязанные с регистрами хранения информации, - с первым каналом ввода-вывода

ЦМД (2).

Недостатки известного ЗУ - его относительная сложность и недостаточ-. ная надежность из-за сбоев при за". полнении "1" дополнительных каналов продвижения ЦМД;

Цель изобретения вЂ” упрощение и повышение надежности запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что запоминающее устройство содержит дополнительные генераторы

ЦМД, расположенные в первом канале ввода-вывода ЦМД и магнитосвяэанные с соответствующими переключателями ЦМД, причем шины управления дополнительных. генераторов и переключателей ЦМД и шины растяжения

ЦМД соединены последовательно.

На чертеже изображена принципиальная схема запоминающего устройства.

Предложенное запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены регистры 3 хранения информации и каналы 4 и ввода-вывода ЦМД из ферромагнитных аппликаций 6, основной генератор

7 ЦМД, соединенный с первым каналом

4 ввода-вывода ЦМД, переключатели

ЦМД 8, образованные аппликациями 9 с перемычками 10, аппликациями 11 с перемычками 12, 13 и 14, шинами управления 15. переключатели 16, о6разованные аппликациями 11 с перемычками 17 и 18, аппликациями 19 и шинами управления 20,, шины растяжения ЦМД 21, магнитосвязанные с регистрами 3 хранения информации и с каналом 4 ввода-вывода ЦМД, дополнительные генераторы 22 ЦМД, образованные средними перемычками 23 аппликаций 11 и шинами управления 24, соединенными с шинами 15, 20 и 21 последовательно. Генераторы 22 расположены-в канале 4 и магнитосвязаны с переключателями 8 и 16. Каналы 4 и

5 соединены с датчиками 25 и 26 считывания ЦМД.

Предложенное ЗУ работает следующим образом.

8 режиме записи от генератора 7 в канал 4 поступает. информация в виде наличия "1" или отсутствия

ЦМД ("0"). При положении А вектора управляющего магнитного поля Н

10 ЦМД оказываются под переключателями

8 и 16, соответственно и под перемычками 10 и 18. В этот момент по шинам 15, 20, 21 и 24 подают импульс тока длительностью, равной пом ловине периода поля Ну. 8 момент

В вектора Н ЦМД из-под перемычек

10 и 18 переходят соответственно под перемычки 14 и 19. Таким образом осуществляется запись ЦМД-информации в регистры 3 с одновременным стиранием (выбрасыванием) старой

ЦМД-информации регистров 3.

Считывание информации в предложенном ЗУ осуществляется в парафазном коде двумя магниторезистивными датчиками. Такое считывание обеспе-. чивается парафазным распределением информации по двум дополнительным каналам, связанным с датчиказ© ми считывания ЦМД. В режиме считывания ЦМД-информации в момент А вектора поля Н по шинам 15, 20, .21 и 24 подают импульс тока длительностью, равной одной двадцатой перио да поля Н, в результате чего в генераторах 22 под перемычками 23 за" рождаются ЦМД. При положении В вектора поля Н эти ЦМД оказываются под концами аппликаций 6 каналов 4.и 5.

В это время ЦМД регистров 3 находятся под перемычками 12 и 17 аппликаций 11. После подачи импульса тока амплитудой в 2 раза меньшей амплитуды тока зарождения ЦМД и длительностью, равной одной десятой периода

4$ Ф поля Н, в результате взаимодействия ЦМД регистров 3 и канала 4 домены канала 4 переходят в- канал 5. При вращении вектора поля Ну домены продвигаются по каналу 5 и считываются датчиком 25, вызывая на выходе устройства сигналы считанных 1". B случае, если считываются нули, взаимодействие ЦМД регистров 3 и канала 4 не происходит, а зародившиеся ЦМД канала 4 беспрепятственно проходят места магнитной связи, регистров 3 и канала 4 и .считываются датчиком

26, вызывая на выходе устройства сигс

5 налы активных "0", противоположных по отношению к сигналам "1" полярности.

Предложенное ЗУ на ЦИД с раэнополярным считыванием информации обладает следующими преимуществами.

Построение ЗУ упрощается за счет совмещения операций записи, считывания, стирания, парафазного распределения ЦИД, а также записи ЦИД с одной стороны регистров хранения и использования только одной токопроводящей шины. При этом в ЗУ отсутствуют дополнительные канал вводавывода ЦИД и делители ЦИД.

Повышается надежность и быстродействие работы ЗУ с раэнополярным считыванием информации за счет того, что отпадает необходимость в начале работы ЗУ непрерывно записывать "1" в дополнительный канал, а в случае сбоев - повторять эту операцию.

Повышается быстродействие ЗУ с раэнополярным считыванием информация благодаря возможности электрического объединения выводов датчиков и уплотнения информации в тракте счи,.тывания без увеличения количества усилителей считывания. формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащ магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены регистры

930384 d г хранения информации и каналы вводавывода цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, причем первый канал ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов соединен с основным генератором цилиндрических магнитных доменов, переключатели цилиндрических магнитных доменов и шины растяжения

1в цилиндрических магнитных доменов, магнитосвяэанные с регистрами хранения информации и с первым каналом ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов, о т л и ч а ю щ е ес я. тем, что, с целью упрощения и повышения надежности запоминающего устройства, оно содержит дополнительные генераторы цилиндрических магнитных доменов, расположенные в первом канале ввода-.вывода цилиндрических магнитных доменов и магнитосвяэанные с соответствующими пе реключателями цилиндрических магнитных доменов, причем шины управления дополнительных генераторов и переключателей цилиндрических магнитных доменов и шины растяже" ния цилиндрических магнитных доменов соединены последовательно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Авторское свидетельство СССР

И 691924, кл. 6 11 С 11/14, 1977, 2. Авторское свидетельство СССР ее по заявке М 2893416/18-24, кл. G 11 С 11/14, 07.03.80 (прототип), 930384

Составитель Ю. Розенталь

Редактор А. Козориз ТехредЛ. Пекарь Корректор E. Рошко QFII9 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,

Способ определения напряженности поля коллапса решетки цилиндрических магнитных доменов // 930382

Способ направленной синхронной передачи информации в тонких магнитных пленках // 928411

Компрессор цилиндрических магнитных доменов // 926715

Генератор цилиндрических магнитных доменов для одноуровневого доменного запоминающего устройства // 926714

Переключатель цилиндрических магнитных доменов // 926713

Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах // 920842

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 920840

Запоминающий модуль // 920839

Запоминающее устройство // 920838

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)