Зондовое устройство

 

Союэ Советских

Социалнстичеснни

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ к Авторскому свидетельству

<(и 95! 484 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 20.04,76 (21) 2349499I 18-2 1 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 15.08.82. Бюллетень №30 (5! )М, Кл.

Н 01 1 21/66

Вкудерсжииыб комитет

CGCP аю делам изобретений и открытий (53) УДК 621.

3 15.684 (088.8) Дата опубликования описания 18.08.82

Й

Е, Е. Онегин, А. И. Епифанов, Н. С. Коля(дк& . . /(:,.- от и B. Ф. Масленков,,:, .т !i;,.((. (Х3„

f юг

- * (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к приборам точной механики, в частности к контрольно-измерительному оборудованию для измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и структур на пластине, Известно зондовое устройство, содержаптее корпус, неподвижное нижнее основание, выполненное из магнитного материала, верхнее подвижное основание с, токопроводяшими катушками, разделенное воздушной подушкой с возможностью взаимных координатных перемешений под действием изменяющихся по программе магнитных нолей (1).

Однако это устройство характеризует ся не достатачнэй точностью пощпционирования предметного столика и влиянием изменяюшихся электромагнитиых! полей на результаты оценки контрожруемых параметров СВЧ-структур.

Известно зсетдовое устройство, содержащее корпус, контактирующий узел, 2 .Э предметный столик, установленный на основании корпуса с возможностью перемешений по двум координатам, кинематичесии связанных посредством пары винтгайка с шаговыми электродвигателями, подключенными к системе управления Г23.

Недостатком данного зандового устройства является наличие значительных электромагнитных полей, которые в процессе измерения электрических парамет10 ров полупроводниковых СВЧ-структур создают помехи.и снижают точность резуль» татов измерений.

Цель изобретения - повышение точности измерения путем снижения влияния электромагнитных помех на результаты измерений электрических параметров

СВЧ. :труктур.

Поставленная цель достигается тем, 2O. что в зондовом устройстве, содержашем корпус, контактируюший узел, предметный стол, размешенный на основании корпуса с Возможностью перемещения по

3 95 14 двум координатам, и систему управления, предметный стол снабжен платформой, а основание корпуса - двумя подвижными пневмовакуумными столами с возможностью перемещений во взаимно перпендикулярных направлениях и соединенных с пневмовакуумной системой управления, причем на нижней поверхности платформы нанесен фрикционный слой с возмс кностью поочередного сцепления с поверх- 1й ностью одного из пневмовакуумных столов.

На чертеже показано предлагаемое зондовое устройство.

Зандовое устройство содержит корпус 1дз контактирующий узел 2, предметный стол 3, платформу 4, два пневмовакуумных стола 5 и 6, систему 7 пневмовакуумного управления с пневмовакуумными каналами 8, два пневмопривода 9 с пневмотолкателями о (на чертеже показан one), два упругих элемента 10 (на чертеже показан один), два ограничителя хода 11 (на чертеже пОкя зан Один), Н B нижнюю tI0BGDKHoc ÐÁ пдатформы 4 нанесен фрикционный слой 12, 5 а верхние поверхности пневмовакуумных столов снабжены соединяющимися с каналами 8 проточками 13. Пневмовакуумные столы 8 и 6 установлены в взаимно hepпендикулярных направляющих 14.

Зон довое устройство работает спецующим образом.

На предметный стол 3 помещается измеряемая СВЧ-структура. Пре дметный стол 3 устанавливают под контактирующим узлом 2 на платформе 4. Подключают пневмоваКуумную систему управления 7.

Система 7 управления поочередно подключает стол (например 6) и пневмопривод (например. 9} соответственно к ваку- 4, умному и пневмоканалам 8. Нижнее основание платформы 4, покрытое фрикционным склюем 12, поочередно соединяется с одним или другим столами 5 и 6.

При перемещении Одного стОла (5 или 4

6) платформа 4 перемещается по той же координате, свободно проскальзывая по поверхности стола, отключенного в данный

84 4 момент от вакуумной системы. При подключении к вакуумному каналу другого стола, происходит сцепление его поверхности с фрикционной поверхностью платформы, à вакуумный канал первого стола отключается и его пневмопривод отключаются.

При перемещении второго стола перемещается и платформа по его координате, перпендикулярно координате первого перемещения.

Таким образом, благодаря поочередному сцеплению платформы нанесенным фрикционным слоем с пиевмовакуумиыми столами, имеющих возможность также поочередно совершать пневмоперпендикулярные перемещения, обеспечивается повышение .точности результатов измерений путем снижения влияния электромагнитных помех.

Формула изобретения

Зондовое устройство, содержащее корпус, контактирующий узел, предметный стол, .размещенный на основании корпуса с возможностью перемещения по двум координатам, и систему управления, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения путем снижения влияния электромагнитных помех на результаты измерений электрических параметров СВЧ-структур, предметный стол снабжен платформой, а основание корпуса - двумя подвижными пневмовакуумными столами с возможностью перемещений во. взаимно перпендикулярных направлениях и соединенных с пневмовакуумной системой управления, причем на нижней поверхности платформы нанесен фрикционный слой с возможностью поочередного сцепления с поверхностью. одного из пневмовакуумных столов.

Источники информации, принятые во внимание пои экспертизе

1. Патент США M. 3376578, кл. 346-29, 1968.

2. П атент Be лик обрит ании

М 1128034, кл. G 05 В 3/16, 1969 (прототип) .

95 1484

Составитель Н. Сменов

Техред АеБабинец Корректор Е. Рошко

Реааккор Л. Авраменко

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 5961/64 Тираж 761 Подписное

BHHHHH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рвушоква набок а. 4/5

Зондовое устройство Зондовое устройство Зондовое устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх