Формирователь импульсов

 

(72) Авторы изобретеиия

С.И. Зиенко и В.В. Брытко

g ) F % .

Смоленский филиал Московского орде и ордена Ленина энергетического ин (7I ) Заявитель (54) ФОРИИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ стоянной времени Ки С, где В и — со. противление нагрузки. Поэтому для получения коротких импульсов величину емкости необходимо уменьшить, что автоматически приводит к уменьшению амплитуды.

Известен также формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, зарядный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторичная обмотка импульсного трансформатора (2j. тор (!) .

Оно позволяет получить короткие импульсы (10-20 нс) . Однако полезная амплитуда напряжения на нагрузке го уменьшается по величине примерно в . два раза. Для увеличения амплитуды импульсов вместо разрядной линии может использоваться накопительный

Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться в качестве источника импульсов для возбуждения инжекционных полупроводниковых лазеров, мощных светодиодов, генераторных ламп и т.д.

Известен формирователь импульсов, содержащий лавинный транзистор с нагрузкой в цепи эмиттера, зарядный резистор и накопительный конденсаЭто устройство не может генерировать короткие импульсы (5-35 и менее нс) повышенной амплитуды (50,100 и более вольт). Объясняется это тем, что в релаксаторе на лавинном транзисторе повышенная амплитуда, импульсов может быть получена только при большом значении емкости накопительного конденсатора С.н. Однако увеличение емкости приводит к возрастанию ширины импульса, так как Длительность его среза определяется поL

à; Октябрь,с рй, Революции тй тута""

3 95741 конденсатор. Недостатками известного формирователя, являются также низкие надежность и быстродействие.

Цель изобретения - повышение быстродействия и надежности.

Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного 1р т ранзи стора, накопи тель ный конденсатор и зарядный резистор в цепи коллектора второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторичная обмотка импульсного трансформатора, введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катод подключен к общей шине.

На чертеже изображено устройство.

Устройство содержит задающий генератор 1, импульсный трансформатор 2, лавинный транзистор 3, накопительный конденсатор Й, зарядный резистор 5, источник 6 питания, лавинный тран- щ зистор 7, диод 8 и нагрузку 9.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии лавинные транзисторы 3 и 7 закрыты. Накопительный конденсатор заряжен до напряжения Исо, величина которого выбирается нескольким меньшим суммы значений напряжений включения лавинных транзисторов 3 и 7. Значение Ос, о устанавли вается величиной сопротивления резистора 5 и напряжения источника 6 питания.

Переход транзисторов 3 и 7 из закрытого состояния в открытое происходит при поступлении отпирающего импульса от задающего генератора 1.

Включение лавинных транзисторов 3 и 7 носит регенеративный характер.

В процессе их включения мгновенные значения токов в цепи эмиттера и ба45 зы транзистора лавинообразно нарастают во времени. Так как прямое импульсное сопротивление диода 8 в первый момент велико, то основная часть коллекторного тока транзисто-. ра 7 ответвляется в цепь. эмиттера и, следовательно, в нагрузку 9. С течением времени прямое импульсное сопротивление диода 8 спадает по величине, в результате чего составляющая тока базы транзистора 7 возрастает. Лоследнее приводит к увеличению эффекта шунтирования эмиттерного перехода. и уменьшению тока нагрузки. После достижения прямого импульсного сопротивления установившегося значения эмиттерный переход транзистора 7 оказываетсяя пра кти чески пол ност ью зашунтированным. Ток в нагрузке 9 спадет до нулевого значения. На этом заканчивается формирование импульса в нагрузке 9, Накопленный в базе транзистора 7 заряд быстро рассасывается током диода 8, направление которого противоположно отпирающему току базы. Это приводит к запиранию лавинного транзистора 7 и, соответственно, транзистора 3.

Высокочастотные точечные диоды имеют время установления импульсного прямого сопротивления равное ж 1,020 нс. Поэтому подключение диода 8 к базе транзистора 7 позволяет формировать срез импульса, начиная с момента времени, соответствующего достижению током нагрузки пикового значения, т.е. значительно быстрее, Следует заметить что для нормальной работы схемы включение лавинных транзисторов 3 и 7 возможно в том случае, если отпирающий сигнал поступает на базу транзистора 3. Обьясняется это тем,что импульс задающего генератора 1, поданный на базу транзистора 7, оказывает влияние на величину заряда, накапливаемого в базе диода 8, и, следовательно, на время установления его прямого импульсного сопротивления.

Таким образом, амплитуда импульса напряжения в нагрузке формирователя

onределяется величиной емкости накопительного конденсатора, тогда как длительность его среза определяется временем установления прямого импульсного сопротивления диода, включенного в цепь базы лавинного транзистора..Благодаря этому длительность импульса в предлагаемом устройстве при такой же амплитуде заметно меньше, чем в известном.

Формула изобретения

Формирователь импульсов, содержащий два последовательно соединенных лавинных транзистора с нагрузкой в цепи эмиттера первого лавинного транзистора, зарядный резистор и накопительный конденсатор в цепи коллекто

957417

Составитель В. Шагурин

Редактор А. Фролова Техред М.Гергель

Корректор В. Бутяга

Заказ 6622/48 ираж 959 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, W-35, Раувская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 ра второго лавинного транзистора, между базой и эмиттером которого включена вторичная обмотка иипульс.ного трансформатора, о т л и ч à ешийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности, в него введен диод, анод которого подключен к базе первого лавинного транзистора, а катод подключен к общей вине. б

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Агаханян Т..М., Гаврилов Л.Е., Мищенко Б.Г. Основы наносекундной техники. Атомиздат, 1976, с. 208.

2. Frequenz 1970, 24, М 1, 8 14, В. 16.