Способ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (}9606)4

Союз Советских

Социалистических республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 01.12.80 (21) 3210388/18 25 с присоединением заявки И (51)M. Кл.

G 011ч 27/62 .

5 03 В 41/00 (аоударетвсииый коиитет

СССР (23) Приоритет по делом изобретений и открытий

Опубликовано 23.09,82. Бюллетень М 35

Дата опубликования описания 23.09.82 (53) УДК. 621. .385(088.8) (72) Авторы изобретения

Н. Н. Зацепин и В. В. Кожаринов

ll

ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

Изобретение относится к исследованию физических свойств материалов и изделий и может быть использовано как средство неразрушаюших методов контроля.

Известен способ получения высокочастотных фотографических снимков, заключающийся в том, что экспонирование производят через тонкую ткань, помещенную между объектом съемки и АоТоМатериалом, Однако этот способ не позволяет определять такие геометрические параметры поверхностных трещин, как ширина и глубина по имеющимся негативным изображениям. Кроме того, на изображение поверхности накладывается отпечаток структуры ткани. Это обстоятельство ограничивает область применения высокочастотной фотографии и информативность негативных изображений, а также снижает точность контроля.

Известны также способы дефектометрии обьектов в электрическом высоко2 частотном поле, заключающиеся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и воздействуют на него магнитным полем, направленным нормально к исследуемой поверхности, и по приращению напряженности магнитного поля, фиксирующего передний и задний план дефекта, определяют глубину дефекта Г1 l .

Недостатком таких способов является то, что при определении глубины дефекта необходимо настраиваться на каждый дефект в отдельности и самоизмерение приходится проводить лишь непосредственно на объекте контроля, а не на негати1 ве, что значительно снижает как производительность контроля, так и его информативность. Недостатком TBKHx способов является также требование помещено ния объекта контроля в регулируемое магнитное поле, так KBK это требование вызызвает как технические затруднения в случае большой протяженности, объекта контроля, так и технологические

3 . 960614 4 затруднения, когда наложение магнит- та или его негатив обрабатывают на ного поля. по тем или иным причинам микрофотометре 4 следующим образом. противопоказано. Для замера ширины дефекта луч оНаиболее близким к изобретению яв- фотометра перемещают поперек дефекта ляется способ дефектометрии в высоко=.— y при максимально (для большей точности) частотном энергетическом поле, заключа- возможно, измерительной щеющийся в воздействии на обьект контро- ли микрофотометра и по расст инию —-ля высокочастотным разрядом, измере- между имеющимися максимумами интеннии интенсивности получения с объекта сивности излучения В (фиг. 2) судят и сравнении интегральной интенсивности 10 о ширине дефекта. Затем измеряют излучения на дефектной и бездефектной -площадь под полученной кривбй между поверхностях (2)- . максимумам«, получая таким образом:

Недостатком известного способа яв- значение интегральной интенсивности ляется невозможность строгого опреде- излучения 3., дефекта, проводят подобный ления геометрических параметров отдель- 15 замер на бездефектной части поверхносных.дефектов, ти при такой же ширине измерительной

Цель изобретения — определение reo- «щели, получая значения ин егральной метрических размеров дефекта. интенсивности излучения 3 бездефектной

Эта цель достигается тем, что, сог- поверхности, и по разности этих значеIIacHD способу дефектометрии в высоконий 3„- Эо, введенной в устройство 5 частотном электрическом поле, заключающемуся в воздействии на объект контроля высокочастотным разрядом, измерении интенсивности излучения с обьекте и сравнении интегральной интенсивности излучения На дефектной и бездефектной поверхностях, производят измерение ло-, кальной интенсивности излучения, определяют расстояние между соседними максимальными значениями локальной инсравнения определяют глубину дефекта .

В случае необходимости дальнейшего повышения точности при определении глубины дефектов, длина которых зна1ительно больше возможной ширины раскрытия измерительной щели микрофотометра, замер интегральной инстенсивности излучения Э., необходимо проводить вдоль дефекта по всей его длине.

На фиг, 3 показана экспериментально

Способ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле, заключающийся в воздействии на обьект контроля высокочастотным разрядом, измерении интенсивности излучения с объекта и сравнении тенсивности излучения, по которому су- полученная с помошью предлагаемого ., дят о ширине или длине дефекта, a cpaa- способа зависимость разности интеграль пение интегральной интенсивности излу- ной интенсивности излучения от глубины: чения на дефектной и бездефектной по- дефекта при постоянной его ширине. верхности производят на участках протя- Использование изобоетения позволяет

35, женностью, соответствующей расстоянию значительно расширить функциональные возмежду максимальными значениями лркаль- можности данного метода до определения таной интенсивности, и по разности интег-, кихгеометрическихпараметровдефектов,как .ральных интенсивностей судят о глубине ширина и глубина на объектах с криводефекта. линейной поверхностью или там, где визуальное наблюдение по техническим

На фиг. 1 представлена схема уст- или технологическим причинам невозможройства,. реализующего предлагаемый но, а получение негативных изображений способ; на фиг. 2 — изменение локаль- допускается. Работа с негативами спиной интенсивности излучения по ширине жает время вредного воздействия излу4S дефекта; на фиг. 3 — изменение разнос- чения на исследователей и открывает ти интегральной интенсивности.в зависи- возможность хранения в негативах и дальмости от глубины дефекта. нейшего исчользования информации не

Устройство содержит электрод 1 в Риде только об очертании, но и рельефе исразрядной обкладки, обьект 2, регистри- следуемой поверхности. рующий экран 3, микрофотометр 4, устройство 5 сравнения, высокочастотный генератор и блок питания (не показаны). Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ осуществляется следующим образом.

Возбуждают высокочастотный разряд между электродом 1 с обьектом 2 и.регистрируюшим экраном 3 и возникающее изображение поверхности объек5 9 интегральной интенсивности излучения на дефектной и бездефектной поверхностях, отличаюши йсятем, что, с целью определения геометрических . размеров дефекта, производят измерение локальной интенсивности излучения, оп.ределяют расстояние между соседними максимальными значениями локальной интенсивности излучения, по которому судят о ширине или длине дефекта, а сравнение интегральной интенсивности излучения на .дефектной и бездефектной поверхностях производят на участках

60614 6 протяженностью, соответствуюшей р8с» стоянию между максимальными значениями локальной интенсивности, и по разности интегральных интенсивностей су дят о глубине дефекта.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

10 М 845074 кп. 4 01 У 27/62, 1979

2. Авторское свидетельство СССР № 667943, кл. С 03 В 41/00, 1978 (прототип ) .