Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ

Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Ресттублик ц96449О (61) Долблнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.11.80 (21) 3003642/18-10 (5l)NL. Кл.

G 01 1 1/22 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Говударствсииы1 квиитвт

СССР ао делаи изабритеиий и аткрытий

Опубликовано 07.10.82. Бюллетень №37

Дата опубликования описания 07.10.82 (53) УДК 531,781 (088.8) С. А. Козин, В. П. Стрельцин, Ю. А. Зеленцов, В. В и О. А. Власов (72) Авторы изобретения

Бабаков

1. оЮЗН Я

И.ГЕНТНЭ1 гкхничискьа1

БИБЛИЭТЕЫА (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОРРЕКТИРОВКИ ФОТОШАБЛОНОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ

РЕЗИСТОРОВ НА КРИСТАЛЛАХ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при разработке и изготовлении полупроводниковых резисторов и тензорезисторов для малогабаритных первичных преобразователей.

Известен способ изготовления резисторов, включающий формирование упругого элемента с диффузионными тензорезисторами, соединенными по мостовой схеме, и калибровочными диффузионными резисторами (1) .

Недостатками этого способа являются значительный разброс сопротивлений тензорезисторов, а также увеличение габаритов тензопре. образователя за счет введения больших по площади калибровочных резисторов.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ корректировки при изготовлении тензометрического преобразователя, предусматривающий определе-. ние разброса сопротивления резисторов и корректировку слоя для вскрытия окон под контакты резисторов с металлизацней (2).

В этом способе на величину среднего систематического разброса сопротивлений влияют невоспроизводимость размеров ширины резисторов на различных чувствительных элементах, расположенных в разных местах пластины, разброс удельного поверхностного со- противления по пластине, ошибка в шаге мультипликации при изготовлении рабочих фотошаблонов н неточность совмещения на опеоациях фотолитографии.

Пелью изобретения является повышение точности изготовления резисторов.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенном масштабе резисторы, имеющие удельное поверхностное сопротивление в 5 — 10 раз, превышающее удельное поверхностное сопротивление резисторов на кристал- . лах, определяют разброс сопротивлений формированных резисторов и переносят окна под

20 контакт с металлизацией на соответствующем единичном промежуточном фотошаблоне.

На фиг. 1 изображен радиальный резистор;, на фиг. 2 — тангенциальный резистор. 964490

Измерительная схема представляет собой два радиальных резистора, содержащих шесть прямолинейных участков 1, обладающих электрическим сопротивлением (фиг. 1) и два

I тангенциальных резистора, каждый из которых содержит по два прямолинейных участка 2 реэистивного слоя, (фиг. 2).

Методом фотолитографии на подложке формируют монтажные площадки 3 и металлизированные перемычки 4 в изгибах резисторов. При этом используют негативные фотошаблоны с единичным изображением схемы чувствительного элемента, представляющие со= бой слой,для вскрытия окон под контакты.

Затем после удаления незащищенных фото- 15 резистором участков проводящего слоя формируют фоторезистивную маску резисторов измерительной схемы, используя для этого негативный фотошаблон с единичным изображением схемы чувствительного элемента, пред- щ ставляющего собой слой для вскрытия окон под резисторы.

На сформированных резисторах определяют систематическую ошибку и величину среднего разброса сопротивлений и по .полученным. результатам определяют величину коррекции положения контактного окна от расчетного и соответственно изменяют .координаты соответствующих точек чертежа.

Пэ скорректированным координатам изготавливается новый негативный промежуточный фотошаблон слоя для вскрытия окон под контакты и последующим уменьшением с одновременным мультиплицированием изготавливают комплект рабочих фотошаблонов для последующего формирования измерительной схемы чувствительного элемента.

Использование предлагаемого способа позволяет повысить точность определения систематического разброса номиналов резисторов и точность корректировки их геометрии.

Формула изобретения

Способ корректировки фотошаблонов при изготовлении резисторов на кристаллах, включающий определение разброса их сопротивлений и корректировку слоя для вскрытия окон под контакт резисторов с металлизацией, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления резисторов, формируют с использованием единичных промежуточных фотошаблонов в увеличенном масштабе резисторы, имеющие удельное поверхностное сопротивление, в 5 — 10 раз превышающее удельное поверхностное сопротивление резисторов на кристаллах, определяют разброс сопротивлений сформированных резисторов и переносят окна под контакт с металлизацией на соответствующем единичном промежуточном фотошаблоне.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Великобритании Р 1208382, кл. 6 1 N, опублик. 1о69.

2. Авторское свидетельство СССР У 769370, кл. G 01 1 1/22, 29,07.78 (прототип).

964490

Составитель В. Годзиковский

Техред Е. Харнтончик. Корректор О. Билак

Редактор Н, Бобкова

Тираж 887

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 7617/22

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4