Способ определения фоточувствительности носителя записи оптической информации

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕИИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик р>991357 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 110681 (21) 3300191/29-12 (Щ М. Кл.з с присоединением заявки М2, G 03 G 13/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

f53) УДК 772. 93 (088. 8) Опубликовано 23.03.83. - Бюллетень Йо 3

Дата опубликования описания 230183 (72) Авторы изобретения

Т. Л. Лазовский, Э.А. Монтримас и Д.A Юряв юс --","р;-- -„;-;Вильнюсский ордена Трудового Красного Зна ени и ордена Дружбы Народов государственный у ивер й&тфг-,"-„;: им. В. Капсукаса 1 (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

НОСИТЕЛЯ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

S» 115 P 0 од

Изобретение относится к электрофотографии и может быть использовано при определении фоточувствительности .таких носителей регистрации информации, как электрофотографических и электрорадиографических слоев, а также видиконовых мишеней.

Известен способ определения фоточувствительности носителя записи опти-10 ческой информации, заключающийся в зарядке носителя до предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 50Ъ, фиксировании вре- в мени полуспада потенциала, измерении спада потенциала в темноте эа время полуспада потенциала при экспонировании и расчет фоточувствительности (11.

Недостатком известного способа является неточность определения фоточувствительности носителя записи оптической информации.

Целью изобретения является повышение точности определения фоточувствительности носителя записи оптической информации.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения фон точувствительности носителя записи оптической информации, заключающемся в зарядке носителя до предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 503, фиксировании времени полуспада потенциала, измерении спада потенциала в темноте за время полуспада потенциала при экспонировании и расчет фоточувствительности, измерение спада потенциала в темноте и при экспонировании осуществляют на разных участках носителя одновременно, при этом получают величину предельного значения потенциала зарядки, величину потенциала в затемненном участке носителя в момент времени полуспада потенциала при экспонировании, время полуспада потенциала при экспонировании, при этом в зависимости от полученных результатов расчитывают фоточувствительность по аналитическим формулам с учетом кинетики спада потенциалов в темноте и при экспонировании, причем фоточувствительность в случае спада потенциала в темноте по гиперболе расчитывают по формуле

991357 где S — фоточувствительность носителя, ед. ГОСТа)

Uo - предельное значение потенциала зарядки, В;

U — потенциал в затемненном участке носителя в момент времени полуспада потенциала при экспонировании, B,, tU — время полуспада потенциала

o/2 при экспонировании, с — интенсивность освещеннос-- 10 ти, лк; р — коэффициент, определяющий кинетику фоторазрядки, при этом р = 0,56 — в случае фоторазрядки по параболе р = 0,54 — в случае фоторазрядки по экспоненте р = 0,58 — в случае фоторазрядки по прямой р = 0,50 — в случае фоторазрядки по гиперболе

Кроме того, фоточувствительность в случае спала потенциала в темноте по экспоненте расчитывают по формуле

20 о

5 = 1- 2 Rn — ) (1„ t U где q, — коэффициент определяющий закономерности фоторазрядки, при этом

q = 0,72 — в случае фоторазрядки по параболе

q = 0,73 — в случае фоторазрядки

Я по экспоненте 35

q = 0,75 — в случае фоторазрядки по прямой

Остальные показатели те же.

Физическая сущность способа заключается в том, что зная закономернос- 40 ти кинетики спада потенциала в темноте и при освещении, можно получить общие выражения величины сиада потенциала в темноте за любой промежуток времени, в том числе и за время по- 45 луспада потенциала при экспонировании с учетом зависимости скорости разрядки от величины потенциала.

Для того, чтобы определить вклад темновой разрядки в общий спад потенциала за время полуспада потенциала при экспонировании, необходимо отдельно установить закономерности разрядки носителя в темноте и при. освещении хотя бы до половины его спада. Мгновенное время релаксации кинетики спада потенциала в темноте особенйо в первой его половине спада, таких носителей как селен, трехселенистого мышьяка органических полупроводников и других, как правило, с понижением потенциала монотонно возрастает, такая закономерность кинетики разрядки наиболее корректно может быть описана гиперболой, параметры которой находятся из начальной 65 стадии кинетики спада потенциал», .

Первая половина спада потенциала при экспонировании светом для некоторых носителей с достаточной точностью можно описать параболой, проходящей через точку начального потенциала в начале экспонирования, значение половины начального потенциала при времени полуспада и нулевое его значение при облучении жестким излучением разрядка слоев селена хорошо описывается экспонентой.

С учетом укаэанных закономерностей получено выражение для определения значения темного спада потенциала за время полуспада при экспонировании д0 = -р

Ua(Uo-Ua)

Когда

U разряд слоя в темноте происходит по экспоненте (это характерино для некоторых мишений видиконов),то значение темнового спада потенциала за время полуспада при экспонировании„ . выражается формулой QUg = qU ° 1п о О„

На фиг. 1 изображены временные диаграммы: фиг. 1а — график кинетики темновой разрядки слоя в неосвещенной зоне (tUg(g — интервал времени полусгада потенциала слоя в зоне экспозиции, 0.1 — значение потенциала слоя в неосвещенной зоне в момент, когда значение потенциала слоя в освещенной зоне равно 0 ), фиг. 1б.— график кинетики слоя в зоне экспозиции, на фиг. 2 — блок-схема устройства для осуществления способа; на фиг. 3 — графики последовательностей операций определения фоточувствительности электрографического слоя (U — потенциал слоя в момент начала

0 ,экспозиции, †" — значение полуспада потенциала слоя).

Устройство для осуществления способа содержит электрофотографический слой 1, проводящую подложку 2, сигнальный электрод 3 неосвещенной области, сигнальный электрод 4 освещенной области, электрометры 5 и б, блок 7 источника экспозиции, пиковый детектор 8, делитель 9 уровня, схема

10 совпадения, прибор 11 регистрирующий время, управляющий блок 12.

Устройство работает следующим образом.

Предварительно заряженный до определенного поверхностного электрического потенциала электрографический слой 1 с заземленной подложкой

2 помещается под сигнальными электродами 3 и 4, которые соединены со входами измерителей поверхностного потенциала 5, измеряющего изменение потенциала слоя в темноте (темновой спад или саморазрядка ) и измеряющего изменение потенциала слоя в освещенной области 6, (схемы измерителей поверхностного электрического потен991357 циала ЭФС широко известны ). Управляющий блок 12 выдает синхраимпульс начала измерения, включая блок экспозиции, дающий полубескойечный импульс актиничного излучения, экспонируя поверхность слоя только под электродом 4, под электродом 3 она остается в темноте. Синхроимпульсом с выхода блока 12 запускается прибор 11 регистрйрующий время.Свыхода измерителя

6 сигнал поступает на вход управляемого пикового детектора 8, на управ ляющий вход также подается синхроимпульс, фиксируя при этом значение. поверхностного электрического потенциала в момент начала измерения. С выхода пикового детектора 8 сигнал поступает .на блок 9 делителя уровня, коэффициент деления делителя уровня равен двум. С выхода делителя 9 уров.ня сигнал поступает на вход схемы

10 совпадения, на другой вход схемы совпадения поступает сигнал от измерителя 6 поверхностного потенциала.

В момент совпадения схема совпадения выдает импульс, который остановит время-регистрирующее устройство

11, регистрируя тем самым значение времени полуспада потенциала слоя.

Формула изобретения

I где q - коэффициент определяющий закономерности фоторазрядки, 50 при этом — 0,72 — в случае фоторазрядки по параболе

g = 0;73 - в случае фотораэрядки по экспоненте

55 q = 0,75 — в случае фоторазрядки по прямой, остальные показатели те же.

Исвочники информации, принятые во внимание при экспертизе

gp 1. Гайцялис В.И.,Маркевич Н.Н., Монтримас Э.А. Физические процессы в электрофотографических слоях Zn0.

Вильнюс, 1968, с. 78-79.

Применение предложенного способа . .позволяет повысить точность определения фоточувствительности ЭФС за счет исключения его темновой разрядки, а также сократить сам процесс определения фоточувствительности, так как при определении основных параметров слоя производится за период, равный времени полуспада потенциала его фоторазрядки.

1. Способ определения фоточувствительности носителя записи оптической информации, заключающийся в зарядке носителя до предельного значения потенциала и его измерении, экспонировании носителя до снижения потенциала на 50%, фиксировании времени полуспада потенциала, измерении спада потенциала в,темноте за время полуспада потенциала при экспонировании и расчет фоточувствительности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения фоточувствительности, измерение спада, потенциала в темноте и при экспонировании осуществляют на разных участках носителя одновременно, при этом получают величину предельного значения потенциала зарядки, величину -потенциала в затемненном участке носителя в момент времени полуспада потенциала при экспонировании, время полуспада потенциала при экспонировании, при этом в зависимости от полученных результатов рассчитывают фоточувствительность по аналитическим формулам с учетом кинетики спада потенциалов в темноте и при экспонировании.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что фоточувстви10 тельность в случае спада потенциала в темноте по гиперболе расчитывают по формуле где S - фоточувствительность носителя, ед. ГОСТа;

Оо - предельное значение потен20 циала зарядки, В;

U< — потенциал в затемненном участке носителя в момент времени полуспада при экспонировании, В, tU — время полуспада потенциала при экспонированйй, с;

- интенсивность освещенности,лк, р — коэффициент, определяющий

30 кинетику фоторазрядки, при этом р = 0,56 — в случае фоторазрядки по параболе р 0,54 - в случае фоторазрядки по экспоненте р = 0,58 — в случае фоторазрядки по †прям р = 0,50 — в случае фоторазрядки по гиперболе

3. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что фоточувствйтель- ность в случае спада потенциала в темноте по экспоненте расчитывают по формуле

5= 4-2с Ь вЂ” !„4U о„(о 2) 991357 о, О

Составитель М.Волкова

Редактор Н.Пушненкова Техред Л.Пекарь Корректор М.Коста

Заказ 128/64 Тираж 471 Подписное

ВНИИПИ государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4