Устройство для получения пленок из расплава

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сеюэ Саеетскмн

Сециалнстнческнэ

Респубянк о>997987

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6!) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлеио 03.11,81 (2!) 3360045 22-02 f$$) Q„Q+,Э с присоединением заявки М (23) Приоритет

В 22 Р 9/06

Государственный комитет

СССР яо делам изобретений н открытий (S3) УДК 621. 762.

224(088.8) Опубликовано 230283. Бюллетень Йо 7

Дата опубликования описания 23.02.83

В.М.Глазов, Л.N.Ïàâëoâà и Ю.В.Ятманов (72) Авторы изобретения

Московский институт электронной техники (7! ) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК

ИЗ РАСПЛАВА!

Изобретение относится к порошковой металлургки, в частности к устройствам для получения пленок и чешуй-. чатых порошковых частиц из распла." .вов металлов,сплавов или соединений.

Йзвестно устройство для получе= ния пленок as расплава, .включающее кристаллиэатор, выполненный в виде вращающегося диска, Снабженного жидкостными охладителями, расположенными под его наружной поверхностью к плавильного приспособления 1 ).

К недостаткам. данного устройства относится отсутствие возможности проведения технологического процесса в вакууме, что связано с необходимостью использования жидкостного,îõëàäèòåëÿ.

Наиболее близким к описываемому по технической сущности и достигаемому результату является устройство для получения пленок кэ .расплава, включающее кристаллизатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и .тигель, закрепленный ка штоке и . установленный соосно с нагревателем,. причем кристаллиэатор-выполнен в ви", де полого цилиндра 2 ).

K недостаткам данного устройства относится низкая скорость охлаждения получаемых пленок и связанная с этим,нх значительная толщина, что . не обеспечивает достижения требуеьых свойств материала (в частности при получении метастабкльных и аморфных фаз) .

Целью изобретения является повышение скорости охлаждения пленок и !

О уменьшение их толщины. для достижения указанной цели в устройстве для получения пленок кз расплава, включающем кристаллизатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и =нгель, закрепленный на штоке и установленный соосно с нагревателем, кристаллизатор выпол нен с рабочей поверхностью в виде шарового пояса, причем ось симметрии крксталлизатора смещена относнтель но.оси привода.

На чертеже показана схема устрой-. ства.

Устройство включает вакуумную камеру 1, внутри которой помещен вибратор-кристаллизатор 2 с осью . симметрии, смещенной.относительно оси привода вращения, состоящего из электродвигателя 3 и шпинделя 4.

Под .вибратором-кристаллизатором 2 расположен быстросъемный приемник 5

997987 пленок. В вакуумной камере 1 находится коаксиальный нагреватель 6, внутри которого установлен шток 7 с укрепленными на нем тиглем 8, а между нагревателем 6 и вибраторомкристаллизатором 2 установлен дозатор 9.

Устройство работает следующим образом.

Закаляемый сплав в виде измельченной шихты загружается в дозатор 9, из которого определенная порция сплава поступает в тигель 8. Вакуумная камера 1 герметиэируется, а после создания в ней вакуума она заполняется инертным газом. Тигель 8 с по- i5 мощью штока 7 вводится в коаксиальный нагреватель 6, приводится во вращение вибратор кристаллизатор 2, и включается электропитание нагревателя. После плавления и нагрева за- 20 каляемого вещества до заданной температуры тигель с расплавом при по- мощи штока вводится в зону, в которой с большой скоростью вращается вибратор-кристаллизатор 2, и расплав выбрасывается на его вибрирующую внутреннюю поверхность. Ударное воздействие поверхности при встрече с расплавом способствует его распространению по всей внутренней поверхности вибратора в виде тонкой

0 пленки. При этом между образовавшейся пленкой и поверхностью цилиндра-кристаллиэатора сохраняется тесный тепловой контакт. Основная масса получающихся пленок имеет равномерную и незначительную толщину.

На данном устройстве получают пленки закаленного полупроводникового сплава В1о6 ЯЪ Те, толщина которых составляет в основном 10 -мкм. скорость охлаждения расплава составляет приблизительно 10 град/с.

При использовании известного устройства скорость охлаждения расплава составляет 10 -10 град/с, а толщина пленки колеблется от 30 до

150 мкм.

Таким образом, применение описанного устройства позволяет повысить скорость охлаждения пленок и уменьшить их толщину.

Формула изобретения

Устройство для получения пленок из расплава, содержащее. кристаллиэатор с приводом вращения, коаксиальный нагреватель и тигель, закрепленный на штоке и. установленный соосно с нагревателем, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения скорости охлаждения пленок и уменьшения их толщины, кристаллиэатор выполнен с рабочей поверхностью в виде шарового пояса, причем ось сим.метрии кристаллизатора смещена относительно оси привода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3768551, кл. F 28 Р 11/00, 1974.

2. Патент CtdA Р 3297436, кл. 75-134, 1972.