Патенты автора Сидоркин Александр Степанович (RU)
Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве наполнителя сегнетоэлектрическую соль дигидрофосфата калия или дигидрофосфата аммония. Диаметр сквозных пор в матрице из пористого стекла составляет 7 нм, а объемное соотношение наполнителя ко всему нанокомпозитному материалу 0,2-0,25. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического нанокомпозитного материала с расширенным температурным интервалом существования полярной фазы. 4 пр., 1 табл.
Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью с требуемыми характеристиками, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал включает в качестве матрицы нанокристаллическую бактериальную целлюлозу, а в качестве сегнетоэлектрического наполнителя сегнетову соль при следующем соотношении компонентов: сегнетова соль от 25 до 75 мас.%, нанокристаллическая целлюлоза от 75 до 25 мас.%. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического нанокомпозита с расширенным температурным интервалом существования сегнетоэлектрической фазы и с возможностью регулирования дисперсии диэлектрических характеристик за счет изменения процентного соотношения компонент состава. 2 пр.
Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 компоненты, где магнитострикционная компонента содержит внутреннее постоянное магнитное поле смещения, магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Технический результат: обеспечение возможности получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, упрощение условий использования материала в устройствах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими, пироэлектрическими и переполяризационными характеристиками. Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал содержит в качестве матрицы нанокристаллическую целлюлозу с наноканалами, расположенными перпендикулярно рабочей поверхности образца, и соль триглицинсульфата (NH2CH2COOH)3·H2SO4 в качестве сегнетоэлектрического наполнителя. Процентное содержание триглицинсульфата в указанном материале варьируется от 20 до 80 мас.%. 2 ил.
Изобретение относится к наноструктурированным материалам с сегнетоэлектрической активностью. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими и пироэлектрическими характеристиками. Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими свойствами содержит в качестве связующего вещества кремнезем SiO2, а в качестве сегнетоактивного вещества соль триглицинсульфата (NH2CH2COOH)3·H2SO4 при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 - 56-75, триглицинсульфат - 25-44. Материал имеет зернистую структуру с размерами зерен от 50 до 80 нм. 2 ил., 5 пр.
Изобретение относится к области применения сегнетоэлектрических материалов в качестве носителей записи информации. Технический результат заключается в уменьшении связанного с многократными переключениями эффекта усталости сегнетоэлектрической пленки. Способ повышения устойчивости сегнетоэлектрической пленки к многократным переключениям заключается в использовании сегнетоэлектрической пленки с минимальной длиной «усов» петли гистерезиса, с максимально квадратной петлей гистерезиса и максимально возможной частоты переключения. 4 ил.
Изобретение относится к способам синтезирования новых материалов с заданными электрофизическими характеристиками и может быть применено для создания функциональных материалов с управляемыми характеристиками для нужд современной микро- и наноэлектроники. Технический результат изобретения - расширение температурного интервала существования сегнетоэлектрической фазы в сегнетоэлектрических композитных материалах на десятки градусов. Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры, основанной на создании в композите эффекта внутреннего смещающего поля, заключается во внедрении сегнетоэлектрического материала, а именно триглицинсульфата, в пористую диэлектрическую матрицу с размерами пор порядка 10-100 нм. Внедрение производится из насыщенного водного раствора (расплава) сегнетоэлектрической соли, нагретого до температур, близких к температуре Кюри объемного сегнетоэлектрического материала, а величину внутреннего поля смещения, определяющего степень расширения температурного интервала существования сегнетоэлектрической фазы, варьируют за счет разности коэффициентов линейного расширения сегнетоэлектрика и материала матрицы, а также за счет общей площади взаимодействия сегнетоэлектрик - матрица, изменяемой путем выбора размеров и топологии пор матрицы. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
