Патенты автора Смирнов Кирилл Николаевич (RU)
Изобретение относится к способу регенерации нитратно-аммонийного раствора снятия кадмиевых покрытий с деталей путем извлечения из него ионов кадмия с помощью электрохимической обработки при температуре 20-45°С в электролизере с медным катодом и платинированным ниобиевым или платинированным титановым анодом. Способ характеризуется тем, что электрохимическую обработку проводят в два этапа, причем на первом этапе проводят электроосаждение кадмия непосредственно из нитратно-аммонийного раствора снятия кадмиевых покрытий в электролизере без разделения катодного и анодного пространств при катодной плотности тока 10-30 А/дм2 и анодной плотности тока 2-10 А/дм2, а на втором этапе проводят электроосаждение в двухкамерном электролизере с катионообменной мембраной, в катодной камере которого находится раствор сульфата аммония с концентрацией 20-50 г/л, а в анодной камере - непроточная вода, в которой промывают детали после первого этапа, при этом катодная и анодная плотность тока составляет 2-15 А/дм2. Предложенный способ в отличие от известных устраняет образование жидких отходов, содержащих соединения кадмия, снижает расход электроэнергии и затраты на оборудование. Он может быть осуществлен на участке кадмирования без каких-либо изменений в компоновке ванн. 1 табл., 3 пр.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ В СКАНИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ С ОСТРОСФОКУСИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ // 2713090
Использование: для обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что сканируют электронным пучком поверхность объекта поперек топологического элемента, находящегося на этой поверхности, с одновременным изменением для каждой линии сканирования значения регулируемого параметра, получают вторичноэмиссионный сигнал, преобразуют этот сигнал в цифровую форму, определяют значение контраста сигнала, анализируют зависимость контраста от регулируемого параметра, определяют по этой зависимости однозначное соответствие между значением регулируемого параметра и положением точки фокусировки относительно объекта и выставляют точку фокусировки в требуемое положение, при этом в качестве регулируемого параметра используют потенциал электрода, расположенного у анода электронно-оптической системы РЭМ. Технический результат: повышение точности выставления плоскости фокусировки электронного пучка. 1 ил.
Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к электроосаждению защитных кадмиевых покрытий на стальные изделия, в том числе сложнопрофилированные, в стационарных и вращающихся установках и может быть использовано в машиностроении, авиа- и кораблестроении и других отраслях промышленности. Способ включает нанесение покрытия на постоянном токе из кислого электролита, содержащего соль кадмия, добавку и воду, при этом электролит дополнительно содержит серную кислоту, в качестве соли кадмия он содержит кадмий сернокислый, а в качестве добавки - смесь в массовом отношении 1:19 кубового остатка этерификации рибозы алифатическим спиртом с числом атомов углерода в цепи С16-С22 при мольном соотношении 1:1 и продукта конденсации гексаметилентетрамина с дихлорэтаном при мольном соотношении 1:(2-6) соответственно, при следующем соотношении компонентов, г/л: кадмий сернокислый (кристаллогидрат CdSO4⋅8/3H2O) 45-55; серная кислота 40-60; добавка 7-15, а нанесение покрытий проводят при плотности тока 0,1-30,0 А/дм2, температуре 15-30°C, и pH≤1. Техническим результатом изобретения является получение равномерных защитных кадмиевых покрытий на стальных изделиях из кислых электролитов в широком диапазоне плотностей тока (0,05-30,0 А/дм2) при высокой рассеивающей способности, что позволяет наносить покрытия на труднодоступные участки поверхности сложнопрофилированных изделий, преимущественно во вращающихся установках барабанного и колокольного типов. 3 н.п. ф-лы, 3 табл., 9 пр.
Изобретение относится к электронной промышленности, производству материалов и узлов для приборостроения, а конкретно к производству кристаллов, применяемых в электронике и оптической промышленности, выращиваемых из расплава методом Киропулоса. Способ включает затравливание кристалла 5 на затравочный кристалл 1, его вытягивание из расплава 2 с разращиванием и заужением для образования перетяжек, разращивание кристалла 5, выращивание и охлаждение кристалла 5, при этом на этапах затравливания, образования перетяжек и частично разращивания область контакта кристалла 5 с расплавом 2 ограждают сбоку от основной массы расплава экраном 7, при погружении нижнего торца экрана 7 в расплав 2 весь экран фиксируется в этом положении опорой его верхнего торца 8 на тигель 6, экран 7 выполнен в виде отрезка полого профиля, производят удаление экрана 7 из расплава 2 после того, как отношение диаметра разращиваемого кристалла к заданному диаметру кристалла достигает 0,1-0,5. Экран может быть подвешен за отводы либо приливы его верхнего контура с возможностью вертикального перемещения экрана вверх вместе с кристаллом 5, затравочным кристаллом 1, затравкодержателем 9 и верхним штоком при сохранении остальных элементов зоны кристаллизации неподвижными, при этом затравочный кристалл 1 проходит внутри экрана 7. Техническим результатом изобретения является достижение стабилизации процесса выращивания монокристалла, получение монокристалла однородных форм. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к электронной промышленности, а конкретно к производству кристаллов сапфира, применяемых в электронике и оптической промышленности. Установка содержит вакуумную кристаллизационную камеру 17, нагреватель, тигель с расплавом, теплоизоляцию нагревателя, вращаемый водоохлаждаемый шток 8 с затравочным кристаллом, шток 8 имеет фланец, соединенный с длинноходным сильфоном 16, нижний конец которого соединен герметично с кристаллизационной камерой 17, а также датчик веса 5 кристалла, при этом водоохлаждаемый шток 8 подвешен непосредственно к датчику веса 5, укрепленному вне камеры кристаллизации 17, и герметично отделен от него компенсационным сильфоном 9 и вакуумным вводом вращения 15, проходит через полый вал вакуумного ввода вращения 15 без контакта с внутренними стенками полого вала, водоохлаждаемый шток 8 приводится во вращение вместе с датчиком веса 5, охлаждающая вода поступает в шток 8 от ротационного соединения 1 протока воды, содержит токосъемник 2 в цепи электрического подключения датчика веса. Для подачи воды от ротационного соединения 1 в водоохлаждаемый шток 8 используют мягкие водяные шланги 6. Техническим результатом является повышение точности измерения веса кристалла и массовой скорости кристаллизации слитка. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
