Патенты автора Акимов Виталий Владимирович (RU)
Способ изготовления фотоприемника // 2781461
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно к технологии изготовления фотоприемников с высокой фоточувствительностью, и может быть использовано для создания как дискретных, так и матричных фотоприемных устройств (МФПУ) для регистрации объектов в условиях малой освещенности в видимом и ближнем ИК диапазонах спектра. Способ изготовления фотоприемника на основе биполярного фототранзистора на полупроводниковой подложке включает в себя создание легированных областей коллектора, базы и эмиттера, формирование контактных площадок к легированным областям, при этом на поверхности базы и на прилегающие к ней области p-n-переходов эмиттер - база и коллектор - база формируют слой подзатворного диэлектрика, на который наносят проводящий слой материала затвора, перекрывающего область базы и p-n-переходы эмиттер - база и коллектор - база, при этом электрод затвора изготавливают с возможностью доступа светового потока к области базы и прилегающим к ней областям p-n-переходов. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления видеосигнала фотоприемника и упрощение технологии его изготовления. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках. Сущность изобретения заключается в том, что способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными матрицами включает формирование металлического подслоя под индий, формирование защитной фоторезистивной маски с окнами в местах микроконтактов, напыление слоя индия, изготовление индиевых микроконтактов одним из способов: удаление защитной маски со слоем индия вокруг микроконтактов (метод взрыва), формирование маски для травления на слое индия с последующим травлением слоя одним из известных способов (химическое травление, ионное травление) с последующим удалением слоев фоторезиста, при этом после формирования системы микроконтактов проводится обработка пластин в ультразвуковой ванне в течение нескольких минут. Технический результат: обеспечение возможности высокой адгезии индиевых микроконтактов и высокой однородности ее значений в пределах больших массивов. 5 ил.
Способ формирования матричных микроконтактов // 2654944
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии создания матричных фотоприемных устройств (МФПУ), и может быть использовано при формировании матричных микроконтактов для кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с последующей их гибридизацией методом перевернутого монтажа. Задачей изобретения является снижение влияния технологических дефектов на качество МФПУ посредством использования новых форм контактов и их расположения в матрице, менее чувствительных к дефектам по сравнению с известными решениями. В способе формирования матричных микроконтактов на кристаллах БИС считывания и МФЧЭ индиевые микроконтакты в матрице имеют не одинаковую ориентацию по матрице, а чередующуюся, с изменением ориентации на 90° через шаг по двум координатам, т.е. в шахматном порядке. В этом случае расстояния между ближайшими элементами индиевых микроконтактов увеличиваются и становятся одинаковыми по двум координатам. Это приводит к снижению возможности закороток между индиевыми микроконтактами и, следовательно, к увеличению процента выхода годных изделий. 2 ил.
Способ сборки кристаллов МФПУ // 2619362
Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Одной из основных операций при изготовлении МФПУ является сборка кристаллов в корпус с последующим соединением контактных площадок кристалла БИС с внешними выводами корпуса МФПУ. Такая электрическая связь осуществляется обычно с помощью золотых проволочек, развариваемых на соответствующие контакты. Техническим результатом изобретения является повышение надежности сборки кристаллов МФПУ путем исключения возможности закороток кристалла с металлизированными шинами. Способ сборки кристаллов МФПУ включает нанесение слоя металла на диэлектрический растр, формирование рисунка проводящих шин и контактных площадок, нанесение изолирующего покрытия и приклейку кристалла на растр, для изготовления растра используют кремниевую шайбу, на поверхности которой вытравливают канавки глубиной больше толщины слоя металлизации и шириной больше ширины шин металлизации, проводят глубокое окисление поверхности кремния, наносят слой металлизации и формируют рисунок проводящей разводки так, чтобы металлизированные шины и контактные площадки располагались на дне вытравленных канавок. 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов БИС и МФЧЭ посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, микроконтакты на обоих кристаллах выполняют в форме вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу, на периферии матрицы формируют множество прямоугольных микроконтактов на каждом кристалле, которое объединяют в решетки и создают опорные индиевые микроконтакты большой площади. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки индиевых микроконтактов. 5 ил.
СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ТОПОЛОГИИ БИС // 2560967
Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для восстановления целостности металлизированных шин, создания новых межсоединений и контактных площадок для контроля тестовых структур. Задачей изобретения является снижение стоимости выполнения операции коррекции топологии при минимизации времени на ее проведение. В способе коррекции топологии БИС формирование новых связей между элементами или узлами схемы для осуществления коррекции топологии кристалла производят с помощью индиевых перемычек. Формирование индиевой перемычки между выбранными металлизированными шинами проводят механическим способом с помощью электродов с плоским основанием. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
