Патенты автора Давыдов Михаил Валерьевич (RU)
СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ // 2723967
Изобретение относится к полупроводниковым источникам оптического излучения на основе светодиодных нитей - филаментов, изготавливаемых из светодиодных гетероструктур. Заявленный светодиодный источник излучения содержит колбу, заполненную газом, имеющим низкий коэффициент вязкости и высокий коэффициент теплопроводности, в которой размещен держатель со штенгелем и стойкой сердечника, на которой закреплена объемная излучающая свет конструкция из светодиодных нитей, цоколь и устройство питания, электрически соединенное по переменному току с цоколем, а положительным и отрицательным электродами со светодиодными нитями. Внутренняя поверхность колбы покрыта оптически прозрачным электропроводящим материалом. Дополнительно введен источник свободных электронов, температурно сопряженный со светодиодными нитями, причем оптически прозрачный электропроводящий материал электрически соединен с положительным электродом устройства питания, а источник свободных электронов - с отрицательным. Технический результат - повышение эффективности охлаждения источника излучения в процессе его работы. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InxGa1-xN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с нанесенными на ней последовательно буферным слоем, выполненным из нелегированного GaN, n-эмиттерным слоем, выполненным в виде слоя GaN, легированного кремнием, и р-эмиттерным слоем GaN, легированным магнием, активная область, расположенная между n-эмиттерным и р-эмиттерным слоями, состоит из нескольких квантовых ям с комбинированным профилем, полученным наложением двух и более квантовых ям прямоугольного профиля, геометрические центры которых совмещены и находятся на осевой линии квантовой ямы комбинированного профиля. Каждая квантовая яма с комбинированным профилем получена последовательным нанесением n слоев, InxGa1-xN, образующих последовательность вида члены которой отличаются друг от друга процентным содержанием индия в соседних слоях: х1,х2,…,xn,…,х2,х1, так что xi=x1qi-1, где i=2,…,n и q>1, а также тем, что толщина каждой последующей ямы ak, где k=2,…,n, увеличивается по сравнению с толщиной предыдущей ямы ak-1 на постоянную величину р>1, являющуюся множителем геометрической прогрессии ak=ak-1⋅p, и имеет высоту, обеспечивающую размещение в ней только двух уровней размерного квантования. Каждая квантовая яма комбинированного профиля отделена от других ям комбинированного профиля барьерным слоем на основе GaN. Техническим результатом изобретения является увеличение интенсивности излучения, генерируемого светодиодной гетероструктурой. Увеличение интенсивности излучения при заданном значении полного тока через гетероструктуру, представляющего собой сумму тока инжекции в ямы и сквозного тока, происходит за счет увеличения тока неравновесных носителей заряда, захватываемых квантовой ямой и рекомбинирующих в ней, при одновременном уменьшении тока, создаваемого носителями, которые протекают через светодиод, не взаимодействуя с квантовыми ямами вообще, или захватываемыми ямами, но впоследствии эмитируемыми в барьерные слои гетероструктуры без их излучательной рекомбинации. 2 ил.
Изобретение относится к области измерительной техники, предназначено для определения расхода среды в круглых трубопроводах при стабилизированном течении. Способ определения расхода в трубопроводах включает измерение скорости потока в двух характерных точках по сечению трубы и определение расхода по результатам этих измерений. Отличительной особенностью способа является то, что дополнительно измеряют скорость среды в какой-либо точке потока по сечению трубы, определяют на основе единого универсального логарифмического профиля U=Аkln(х)+Вk значения коэффициентов Аk и Вk для каждой пары известных значений координат (расстояний от стенки трубы) точек измерения скорости и измеренных значений скорости в этих точках (, ) и (, ), вычисляют относительные разности значений коэффициентов Ak и Bk
и (верхние индексы обозначают значения коэффициентов Ak и Bk, вычисленные для различных пар значений координата-скорость), при условии, что величины и для каждой пары значений Ak и Bk не превышают наперед заданного значения ε, определяют расход теплоносителя по зависимости:
где r=r0-х - расстояние от центра трубы; r0 - радиус трубы; х - расстояние от стенки трубы; - среднее значение коэффициентов Ak; - среднее значение коэффициентов Bk; n=3; κ - постоянная Кармана; ν - кинематическая вязкость среды; δв - толщина вязкого подслоя. Технический результат - повышение точности. 1 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области измерительной техники, предназначено для определения расхода теплоносителя. Отличительной особенностью способа определения расхода теплоносителя датчиками скорости является то, что дополнительно устанавливают по крайней мере один датчик скорости, определяют расход теплоносителя на основе частного вида профиля скорости
где Dтр - диаметр трубопровода, W(r, φ) - частный вид профиля скорости, а частный вид профиля скорости определяют на основе измеренных датчиками скорости значений скоростей и общего вида профиля скорости, а общий вид профиля скорости определяют на основе теоретических представлений и предварительных модельных опытов. Технический результат - повышение точности определения расхода. 2 ил.
