Патенты автора Шульгин Борис Владимирович (RU)

Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных микроразмерных сенсоров медико-биологического назначения. Гранулы металлического алюминия смешивают с порошком трифторида алюминия в соотношении 1:1 − 3:1 и нагревают смесь до температуры образования паров субфторида алюминия, равной 1050 − 1150°С, в атмосфере аммиака, подаваемого в пространство над жидким алюминием с объемной скоростью подачи ниже 50 мл/мин при абсолютном давлении 0,03 – 0,07 МПа. Технический результат состоит в получении кристаллов нитрида алюминия с одинаковым фракционным размером от 70 нм до 1 мкм. 3 ил., 2 пр.

Использование: для исследования нанотонких пространственных диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование нанотонких ПДС в нанотонких аморфных пленках при их одностороннем нагреве, исследование нанотонких ПДС электронно-микроскопическим и микродифракционным методами с получением их электронно-микроскопических изображений и микроэлектронограмм, определение с помощью метода светлого и темного поля индексов плоскостей, обуславливающих появление соответствующих изгибных контуров на электронно-микроскопических изображениях нанотонких ПДС, и определение с помощью метода изгибных контуров параметров изгиба и ориентировки нанотонких ПДС, а также углов поворота решетки нанотонких ПДС и направлений ротационного искривления решетки, построение двумерного геометрического объекта - поверхности искривления решетки нанотонких ПДС для выбранного кристаллографического направления, отличается тем, что построенную поверхность искривления решетки нанотонкой ПДС принимают за нейтральную поверхность нанотонкой ПДС путем сравнительного анализа нейтральной поверхности нанотонкой ПДС и нейтральных поверхностей тонких пластинок, соответствующей геометрической формы, служащих в качестве эталонов, выявляют области максимального напряжения, возникающие в нанотонкой ПДС, и используют эту информацию об особенностях изгиба нейтральной поверхности нанотонкой ПДС для исследования и предсказания физических свойств и физических процессов в нанотонких пространственных диссипативных структурах, в том числе о формировании и развитии межблочных границ в нанотонких ПДС. Технический результат: обеспечение возможности исследования зарождения и развития межблочных границ кручения в нанотонких пространственных диссипативных структурах с упругим ротационным искривлением решетки. 3 ил.

Изобретение относится к медицине. Активный биомеханический кистевой протез содержит по крайней мере один двухсуставный внешний цилиндр, цилиндрическое колесо со спиральной прорезью, салазки, установленные на колесо, и по крайней мере один мотор. Двухсуставный внешний цилиндр выполнен в форме пальца и состоит из трех последовательно соединенных полых цилиндров. В каждом двухсуставном цилиндре размещен внутренний двухсуставный стержень из трех последовательно скрепленных между собой стержней с обеспечением возможности сгибания внешнего двухсуставного цилиндра. Цилиндрическое колесо выполнено с возможностью поворота для перемещения поперечного стержня, задающего ход движения связанному с ним нижнему внутреннему стержню и среднему полому внешнему цилиндру. Салазки выполнены в виде скоб с прорезями для движения поперечного стержня и скрепляют мотор и палец. Мотор прикреплен к основанию кисти и приводит в движение цилиндрическое колесо за счет сигналов с датчиков давления, установленных на поверхности остаточных мышц руки. Изобретение обеспечивает повышенную прочность, грузоподъемность и износостойкость с расширением за счет этого функциональности устройства. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: для диагностики реальной структуры нанотонких кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур включает электронно-микроскопические, микродифракционные исследования, выявление последовательности пространственных структур путем анализа картин изгибных контуров, присутствующих на их электронно-микроскопических изображениях, выполнение расчетов с использованием стандартных кристаллографических формул для определения значений параметров, характеризующих сложность организации их решетки, определение геометрии решетки путем анализа поверхностей искривления решетки, затем определение кооперативных движений структурных единиц, обусловливающих сложность организации решетки, анализируя вращения обратной решетки, и расчетным путем энтропии n-й − Sn и энтропии (n + 1)-й − Sn+1 пространственных диссипативных структур и установление их соотношения. Технический результат: обеспечение возможности надежно и достоверно диагностировать эволюцию нанотонких пространственных диссипативных структур, сформировавшихся в аморфной пленке при ее одностороннем нагреве. 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области низкотемпературной термолюминесцентной дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения. Термолюминофор для низкотемпературной ТСЛ-дозиметрии на основе алона Al5O6N, синтезированного из химически чистого α-Al2O3 и нитрида алюминия, содержащего ряд примесей, при этом имеет состав, в котором содержание основного вещества Al5O6N - не менее 96%; причем в исходном AlN содержание N2 - не менее 33.0 мас. %, О2 - не более 1.2%, Fe - не более 0,08-0.1%, С - не более 0.05%, а содержание европия Eu2+ в исходном AlN и в конечном продукте алоне Al5O6N составляет 0,3-0,5 ат % (отн. Al). Технический результат – определение дозозатрат элементов и устройств, изготовленных на основе высокотемпературных сверхпроводников, работающих в полях ионизирующих излучений при температуре жидкого азота, а также других устройств, функционирующих при сверхнизких температурах. 2 ил.

Изобретение относится к области низкотемпературной дозиметрии рентгеновского, а также смешанного электронного и гамма-излучения с использованием термолюминесцентных датчиков – термолюминофоров. Предложен термолюминофор на основе фторида натрия, который дополнительно содержит фторид лития и фторид скандия и имеет состав (мол.% по шихте): фторид скандия 0,08-0,75, фторид лития 0,001-0,05, фторид натрия остальное. Технический результат: предлагаемый термолюминофор обладает достаточно интенсивным рабочим пиком ТСЛ при 24 K как при воздействии рентгеновского, так и смешанного электронного и гамма-излучения, что требует энергетически менее затратного нагрева термолюминофора, всего до 50-55 K, и сокращает время считывания дозиметрической информации. Предложенный термолюминофор обладает спектром свечения, доминирующим в оранжево-красной области, что позволяет применять его для создания дозиметрических систем космического базирования с компактной фотодиодной PIN-регистрацией. 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области радиоэкологического мониторинга и дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения и может быть использовано в персональных и аварийных дозиметрах для определения дозозатрат персонала рентгеновских кабинетов, мобильных комплексов радиационного контроля, зон с повышенным радиационным фоном, территорий хвостохранилищ отработанных радиоактивных материалов и отходов. Оксинитрид алюминия, активированный трехвалентными ионами церия с концентрацией 0,05-0,2 ат. %, характеризующийся химической формулой Al5O6N:Се3+, применяют в качестве рабочего вещества для термолюминесцентной дозиметрии. Изобретение обеспечивает повышенный световыход термостимулированной люминесценции (ТСЛ) в диапазоне концентраций церия 0,05-0,2 ат. %, позволяет оперативно получать дозиметрическую информацию, уменьшить время и энергозатраты на ее обработку, исключить сложные процедуры подготовки рабочего вещества к измерениям дозовых нагрузок. 1 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 пр.
Изобретение относится к электронной и ускорительной технике для повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода и/или вывода энергии СВЧ-излучения в волноводные ускоряющие структуры и может быть использовано при создании/эксплуатации мощных современных ускорителей электронов. Одновременное повышение электрической и механической прочности диэлектрических окон ввода/вывода СВЧ-излучения достигается нанесением на одну или обе поверхности окна защитного покрытия в виде слоя клея на основе поливинилацетата толщиной 1,5-2 мм, обладающего малыми значениями коэффициентов вторичной и фотоэлектронной эмиссии, высокой адгезионной способностью к диэлектрическим материалам и высокими вакуум-прочностными свойствами. Механическая прочность вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения обеспечивается и при ее потере в результате тепловых, электрических и СВЧ-пробоев или суммарного их воздействия. Технический результат - повышение электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения в ускоряющие структуры электронных ускорителей и увеличение тем самым надежности их работы, продление сроков безаварийной эксплуатации, а также восстановление работоспособности вышедших из строя СВЧ-окон, экономии материальных и временных ресурсов при простоте реализации предлагаемого способа. 2 н.п. ф-лы.

Использование: для получения диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки включает нагревание и последующее охлаждение, где предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродного стержня, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника селена порошкообразного селена, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 K в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе. Технический результат: обеспечение возможности получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, содержащей кристаллы уменьшенного размера, максимальный размер которых не превышает 10 мкм. 3 табл., 7 ил.

Изобретение относится к термоэкзоэлектронной (ТЭЭ) дозиметрии электронного излучения и может быть пригодно для высокодозной дозиметрии электронного излучения высоких энергий (до 10 МэВ). Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения высоких энергией на основе кристаллов фторида натрия дополнительно содержит фторид лития и хлорид меди при следующем соотношении компонентов (мол. %): NaF 98,3-98,9, LIF 1-1,5, CuCl2 0,1-0,2. Технический результат – обеспечение повышенной чувствительности дозиметрического тракта. 4 ил.

Изобретение относится к химической технологии получения нитевидных нанокристаллов нитрида алюминия (или нановискеров) и может быть использовано при создании элементов нано- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных наноразмерных сенсоров медико-биологического профиля. Сущность изобретения заключается в обработке нагретого алюминия газообразными реагентами в виде галогенида алюминия, например трифторида алюминия, и азотсодержащего газа и последующую конденсацию конечного продукта, причем порошок трифторида алюминия размещают в одной реакционной камере с гранулами металлического алюминия и испаряют одновременно при температуре 1050-1150°C, а конденсацию осуществляют на поверхности жидкого алюминия. Изобретение позволяет получать нитевидный нитрид алюминия со средним диаметром менее 100 нм по всей протяженности волокна и с соотношением длины волокна к диаметру более 100. 4 ил., 2 пр.

Использование: для диагностики римановой кривизны решетки нанотонких кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что способ диагностики римановой кривизны решетки нанотонких кристаллов включает получение электронно-микроскопического изображения нанотонкого кристалла в светлом поле, получение микроэлектронограммы от кристалла, микродифракционное исследование нанотонкого кристалла, анализ ротационного искривления решетки нанотонкого кристалла, при этом на электронно-микроскопическом изображении нанотонкого кристалла выбирают физическую точку M и двумерное направление, для этого выбирают пару - нелинейный изгибной экстинкционный контур и соответствующий ему рефлекс на микроэлектронограмме, испытывающий азимутальное размытие; проводят диагностику римановой геометрии решетки нанотонкого кристалла в данной точке M и данном двумерном направлении, задаваемом бивектором (а, b) - парой неколлинеарных векторов, исходящих из одной точки, совпадающей с центром микроэлектронограммы, полученной от нанотонкого кристалла, расположенных в плоскости микроэлектронограммы, где вектор b соответствует размытому рефлексу, путем совместного анализа пары - нелинейного изгибного экстинкционного контура, присутствующего на электронно-микроскопическом изображении кристалла в темном поле, и соответствующего ему рефлекса на микроэлектронограмме от кристалла, для установления непрерывности азимутального размытия рефлекса и непрерывности соответствующего ему изгибного контура, затем проводят диагностику римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла путем определения численного значения римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла в данной точке М и данном двумерном направлении, задаваемом бивектором (а, b), по определенной формуле. Технический результат: обеспечение возможности надежного, точного и экспрессного способа диагностики римановой кривизны решетки нанотонкого кристалла. 6 ил., 4 табл.

Изобретение относится к германо-силикатным стекловолокнам. Технический результат изобретения заключается в снижении уровня радиационно-наведенного поглощения, повышении трансмиссионных свойств и надежности Ge-SiO2 стекловолокон, работающих в радиационных полях. Германо-силикатные стекловолокна облучают на воздухе пучком электронов с энергией 10 МэВ, при токе 1000 мкА в несколько этапов, доводя дозовую нагрузку до 20, 30, 40 и 50 кГр с промежуточными отжигами стекловолокон при комнатной температуре в течение 2-3 часов после каждого этапа облучения. 1 табл.

Способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов включает получение электронно-микроскопического изображения нанотонкого кристалла в светлом и темном поле, получение электронограммы от кристалла, микродифракционное исследование, анализ картины изгибных экстинкционных контуров, присутствующих на электронно-микроскопическом изображении кристалла, расчет углов поворота решетки кристалла вокруг [001]. Заявленный способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонкого кристалла позволяет на основании экспериментальных данных, полученных при исследовании реальной структуры нанотонкого кристалла, построить двумерный геометрический объект - поверхность искривления решетки для выбранного кристаллографического направления. Простота и наглядность заявляемого способа позволяют визуализировать ротационное искривление решетки нанотонкого кристалла и визуализировать изменение геометрии решетки нанотонких кристаллов от евклидовой к римановой. 10 ил., 4 табл.

Использование: для диагностики реальной структуры кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют электронно-микроскопическое и микродифракционное исследования кристалла, при этом в случае присутствия на электронно-микроскопическом изображении исследуемого нанотонкого кристалла картин изгибных экстинкционных контуров проводят анализ симметрии картин контуров и при выявлении элементов симметрии, отличных от тождественного преобразования, по результатам микродифракционного исследования диагностируют реальную структуру одного из симметрично равных участков нанотонкого кристалла, а затем диагностируют реальную структуру другого как симметрично равную реальной структуре исследованного участка, после чего диагностируют реальную структуру нанотонкого кристалла в целом. Технический результат: обеспечение возможности повышения экспрессности диагностики реальной структуры нанотонких кристаллов. 7 ил., 5 табл.

Изобретение относится к способу разделения изотопов и может быть использовано для получения требуемых концентраций изотопов и для обогащения различных стабильных и радиоактивных изотопов. Способ разделения изотопов с использованием разделительного каскада, содержащего трехкомпонентные разделительные ступени, способные разделять многокомпонентную смесь на три части в одном акте разделения, имеющего потоки отбора выделяемых компонент и один или несколько потоков питания разделительного каскада, так что поток отбора по произвольному компоненту разделительной ступени разделительного каскада поступает на питание ступени, имеющей количество обогащений по соответствующему этому потоку отбора компоненту на единицу больше, при равных обогащениях по другим компонентам, причем, реализуя в каскаде последовательно три акта обогащения по разным компонентам, начиная с произвольной разделительной ступени, последний поток отбора поступает на питание этой ступени. Изобретение обеспечивает увеличение производительности разделительного производства и снижение стоимости получаемой изотопной продукции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области получения пористых структур на основе меди, пригодных для использования в энергосберегающих технологиях для изготовления тепло- и массообменных аппаратов, а также для создания композиционных материалов

Изобретение относится к области дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения с помощью термолюминесцентных детекторов при решении задач персональной дозиметрии, особо при определении дозозатрат персонала рентгеновских кабинетов и обслуживающего персонала мобильных комплексов радиационного контроля, задач радиоэкологического мониторинга в зонах с повышенным радиационным фоном, особо на территориях хвостохранилищ отработанных урановых руд или других радиоактивных материалов и отходов

Изобретение относится к области люминофоров, применяемых для изготовления светодиодных систем, включая органические светоизлучающие OLED системы с белым спектром свечения, а также люминофоров, используемых для изготовления индикаторов фотонного и корпускулярного излучения и рентгеновских люминесцентных экранов

Изобретение относится к области радиационного контроля с использованием ионизационных счетчиков (пропорциональных или счетчиков Гейгера) или сцинтилляционных детекторов

Изобретение относится к области дозиметрии электронного излучения и может быть пригодно для персональной дозиметрии операторов, обслуживающих комплексы радиационного контроля при мониторинге территорий, акваторий и зон захоронения радиоактивных отходов, а также для лиц, работающих с излучением в медицинских радиологических центрах и в лабораториях ускорительной техники

Изобретение относится к области дозиметрии нейтронного излучения и может быть пригодно для стационарного контроля плотности потока и флюенсов нейтронов в активной зоне ядерных реакторов, для периодического контроля доз нейтронного облучения реакторных конструкционных материалов, для решения задач радиационного материаловедения, для использования в качестве детекторов сопровождения изделий и предметов медицинского назначения при их стерилизации в ядерном реакторе, а также для высокотемпературных измерений флюенсов нейтронов в сверхглубоких скважинах

Изобретение относится к области детекторов ионизирующих излучений, чувствительных к электронному и бета-излучению, предназначенных для определения энергии электронного и бета-излучения и применяемых в дозиметрической и таможенной практике для идентификации источников, электронного и бета-излучения, а также при работе с радиоизотопами в медицинской диагностике и терапии

Изобретение относится к области радиационного контроля с использованием сцинтилляционных детекторов и предназначено для контроля делящихся материалов U-235 и Рu-239

Изобретение относится к дозиметрической технике

Изобретение относится к области нанотехнологий, связанных со способами обработки наноразмерных материалов

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, конкретно к двуслойным волоконным сцинтилляторам, предназначенным для регистрации тепловых нейтронов и пригодным для создания на их основе сцинтилляционных волоконных детекторов для радиационного экологического мониторинга территории, контроля космического и техногенного нейтронного фона, для создания комплексов технического контроля за ядерным топливом и изделиями из делящихся материалов, а также для создания антитеррористических комплексов радиационного контроля

Изобретение относится к фотоприемным устройствам для черенковских РИЧ-детекторов (RICH-Ring Imaging Cherenkov), регистрирующих кольцевое черенковское излучение, и может быть использовано в экспериментах в области физики элементарных частиц высоких энергий (ионов, каонов и протонов) для определения их зарядов и скоростей в широком диапазоне их импульсов и для их идентификации

Изобретение относится к разделу измерительной техники, используемой в ультразвуковых технологиях, - к бесконтактной виброметрии и может быть применено для калибровки и настройки ультразвуковых технологических и медицинских аппаратов, а именно для измерения амплитуды и размаха колебаний рабочих элементов (наконечников) ультразвуковых систем, применяемых для интенсификации технологических процессов, размерной обработки хрупких и особо твердых материалов, для выполнения граверных работ, а также для медицинских целей (хирургические операции, процедуры липосакции, точечный и зональный массаж и др.)

Изобретение относится к дозиметрической технике, связанной с регистрацией бета-излучения и электронных пучков, и пригодно для создания сцинтилляционных датчиков, используемых в комплексах и системах радиационного мониторинга подконтрольных объектов и территорий, зон радиационного загрязнения, а также для целей персональной дозиметрии в рамках сцинтилляционного метода
Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, конкретно к волоконным сцинтилляторам, предназначенным для измерения ионизирующих излучений

Изобретение относится к области дозиметрии нейтронного излучения и может быть пригодно для стационарного контроля плотности потока и флюенсов нейтронов в активной зоне ядерных реакторов, для периодического контроля доз нейтронного облучения реакторных конструкционных материалов, для решения задач радиационного материаловедения, для использования в качестве детекторов сопровождения изделий и предметов медицинского назначения при их стерилизации в ядерном реакторе, а также для высокотемпературных измерений флюенсов нейтронов в сверхглубоких скважинах

Изобретение относится к области нанотехнологии, связанной с индикаторным определением размерности нанокристаллической продукции, особо связанной с установлением наличия наноразмерной фракции кристаллов фторида натрия в нанокристаллических покрытиях на подложках в продуктах плазменного или лазерного распыления кристаллов фторида натрия без применения электронных микроскопов; оно может найти применение в химической и оптоэлектронной промышленности при контроле качества изготовления оптически активных низкоразмерных покрытий на основе фторида натрия и изделий на их основе: волноводов, линий задержки, планарных люминесцентных индикаторов, планарных быстрых сцинтилляторов, элементов фотоники и интегральной оптики

Изобретение относится к области получения нанокристаллов неорганических материалов и нанокристаллических покрытий на их основе, а именно относится к области получения нанокристаллов фторида лития или фторида натрия и нанокристаллических покрытий на их основе на подложках из различных материалов: неорганических (включая металлические, полупроводниковые, диэлектрические, керамические или стеклянные материалы) или органических материалов

Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение для дистанционного обнаружения и контактной идентификации радиоактивных веществ

Изобретение относится к способам получения люминофоров оптических излучателей

Изобретение относится к новому соединению, конкретно к сложному ванадату серебра состава Ag2M(VO 3)4, где М - Са или Sr, который может быть использован в качестве люминофора в индикаторах и сенсорах электронного излучения в устройствах и системах индикации и визуализации ионизирующих излучений, особо в системах индикации и визуализации, оснащенных чувствительными в красной и ближней инфракрасной областях спектра фотодиодными регистраторами люминесцентных потоков, а также к способу его получения

Изобретение относится к области термоэкзоэлектронной дозиметрии электронных пучков; может быть использовано для контроля радиационной обстановки в местах испытания и функционирования импульсных электронных пушек и электронно-лучевой техники

Изобретение относится к сцинтилляционным детекторам гамма- и нейтронного излучения и может быть использовано для фундаментальных исследований в области ядерной физики и физики высоких энергий; в дозиметрической практике в системах радиационного мониторинга трансграничных перемещений людей и грузов, мониторинга помещений аэропортов (проверка пассажиров, их багажа и других грузов), а в связи с глобализацией актов терроризма может быть использовано для мониторинга помещений общественных зданий (допуск в правительственные здания, спортивные комплексы, здания политических, юридических и военных ведомств, театры, филармонии, крупные национальные музеи); для радиационного контроля металлолома, поступающего на переплавку в металлургические предприятия; для радиационного контроля строительных материалов, строительных блоков и металлоконструкций; может быть использовано в интроскопах (томографах) медицинского и технического назначения

Изобретение относится к области светотехники и интегральной оптики, связанной с созданием инфракрасных светофильтров отрезающего и полосового типа, поглощающих видимое излучение и пропускающих коротковолновое и длинноволновое ближнее инфракрасное излучение и предназначенных для защиты инфракрасных датчиков видеоконтрольных устройств и приборов ночного видения от паразитных помех, связанных с воздействием света видимого диапазона, а также для использования в оптических системах контроля подлинности документов, в системах охранной и пожарной сигнализации, в том числе в системах контроля и разграничения доступа и охраны периметра объектов, в видеодомофонах, видеоглазках и подобных устройствах

Изобретение относится к химической технологии получения соединений алюминия, а именно к технологии получения нитевидного нитрида алюминия AlN в виде нитевидных кристаллов, пригодных для изготовления сенсорных зондов на кантилеверах атомно-силовых микроскопов, применяемых при исследовании морфологии и топографии поверхности, адгезионных и механических свойств элементов микроэлектроники, объектов нанобиотехнологий и особо при высокотемпературных измерениях в нанометаллургии

Изобретение относится к нейроподобным вычислительным структурам и может быть использовано в качестве процессора вычислительных систем с высоким быстродействием

Изобретение относится к области технологии регистрации нейтрино и антинейтрино, включая солнечные, космические, реакторные нейтрино и нейтрино, получаемые с помощью ускорителей

Изобретение относится к области дозиметрии быстрых нейтронов и гамма-излучения

Изобретение относится к области дозиметрии ионизирующих излучений

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх