Патенты автора Колпаков Всеволод Анатольевич (RU)
Динамический испаритель твердых растворов // 2662914
Изобретение относится к области формирования тонких пленок сложного состава в вакууме и может быть использовано в микроэлектронике. Испаритель твердых растворов, используемый для формирования тонких пленок в вакууме, содержит корпус в виде стакана и заслонку в виде крышки, внутренняя часть которой коаксиально размещена в полости корпуса и выполнена в виде конуса, и нагреватель, размещенный со стороны внешней поверхности корпуса. Упомянутая заслонка установлена в корпус испарителя с кольцевым зазором, образующим выходное отверстие для испаряемых атомов, с возможностью возвратно-поступательного движения относительно корпуса. Заслонка имеет кольцеобразный выступ, которым она упирается в корпус испарителя. Корпус испарителя дополнительно содержит продолжение конструкции корпуса, выполненное в виде кольца высотой, составляющей 1/3-2/3 высоты конусной части заслонки испарителя, и внутренним диаметром, равным внешнему диаметру корпуса испарителя. Толщина упомянутого кольца равна толщине стенок корпуса испарителя. Внутренняя поверхность кольца, взаимодействующая с торцевой поверхностью заслонки, имеет в сечении выступы трапециевидной формы с верхним основанием, равным 1-3 мм, и нижним основанием 4-7 мм. Упомянутые выступы расположены друг от друга на расстоянии 3-5 размеров верхних оснований трапециевидного выступа. Величина зазора между упомянутой торцевой поверхностью кольцеобразного выступа заслонки и поверхностью трапециевидных выступов упомянутого кольца корпуса равна 1,5-3 мм. Трапециевидные выступы имеют высоту, не превышающую толщину стенки корпуса испарителя. Обеспечивается формирование направленного потока атомов твердого раствора сложного состава, соответствующего стехиометрическому составу при одновременном увеличении однородности их распределения по поверхности положки. 2 ил.
Испаритель многокомпонентных растворов // 2615962
Изобретение относится к испарителю многокомпонентных растворов. Испаритель содержит заслонку в виде конуса, корпус в виде стакана, нагреватель, размещенный со стороны внешней поверхности корпуса. Во внутренней части заслонки, входящей в полость корпуса, симметрично ее конусной части выполнена полость конусной формы высотой h1=(0,6-0,75)h, где h - высота конусной части заслонки, и основанием, удовлетворяющим условию неравенства D≤0,8d, где d - диаметр основания внешнего конуса заслонки; D - диаметр основания полости в конусной части заслонки. Полость заслонки выполнена с возможностью размещения в ней груза, удельный вес которого удовлетворяет условию неравенства Р≥(1,2-1,5)р, где р - удельный вес материала, из которого изготовлена заслонка, а Р - удельный вес материала груза, помещаемого в конусную полость заслонки. Изобретение позволяет увеличивать давление во внутренней полости корпуса испарителя и достигать лучшего соответствия стехиометрического состава испаряемого вещества и паров атомов при открывании заслонки. 2 ил.
Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены керамические стержни, на последних установлена пластина, в которой по внешней образующей окружности керамических стержней изготавливают п-образные полости глубиной (1,5-2,5) диаметра керамических стержней. В той же пластине по внутренней образующей керамических стержней выполнена п-образная полость диаметром, равным или превышающим на 10% диаметр термокомпенсатора. В области дна полости выполняют сквозное отверстие, боковая поверхность которого наклонена относительно нормали к поверхности пластины на угол 3-5 градусов для обеспечения качественного набора элементов полупроводникового прибора в кассету. Причем размер диаметра сквозного отверстия в области поверхности потолка п-образной полости равен внутреннему диаметру, проведенному по образующей керамических стержней. Технический результат – повышение производительности закладки и выемки элементов полупроводниковых диодов, облегчение процесса набора элементов структуры полупроводникового диода в ручном и в автоматизированном режимах. 3 ил.
Изобретение относится к области силовой электроники. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором по образующей окружности термокомпенсатора изготовлены п-образные полости глубиной h=(1-2) диаметра керамических стержней. В полости установлены керамические стержни диаметром 4-7 миллиметров, выступающие над поверхностью углеродной пластины на высоту Н>(10-20)% высоты элементов полупроводниковых диодов, собранных в единую конструкцию. Изобретение обеспечивает снижение загрязнения рабочей поверхности кассеты при одновременном образовании свободного истечения паров легколетучих материалов во внешнюю среду. 1 ил.
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве дифракционных микропрофилей. Способ заключается в том, что производят сдвиг подложки-зонда по поверхности исследуемой подложки, которые расположены под углом друг к другу. Этот угол создают в сторону движения подложки-зонда. Сдвиг подложки-зонда осуществляют путем увеличения угла между исследуемой поверхностью и плоскостью горизонта, по углу, при котором происходит сдвиг подложки-зонда, судят о чистоте поверхности подложки, при этом в процессе скольжения подложки-зонда выполняют неравенство γ≤±16°, где γ - угол между биссектрисой угла при вершине контактирующей грани подложки-зонда и траекторией скольжения. Техническим результатом является обеспечение возможности устранения механических разрушений поверхности и увеличение точности процесса измерения. 6 ил.
Изобретение относится к области получения направленных потоков низкотемпературной плазмы с большим током и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве элементов дифракционной оптики. Генератор широкоаппертурного потока газоразрядной плазмы содержит полый катод с основанием, установленный коаксиально в полую изоляцию и закрыт крышкой так, что высота полости полого катода определена соотношением 3λ<L<5λ, где λ - длина свободного пробега электрона в потоке газоразрядной плазмы. Основания анода и катода выполнены перфорированными, толщина изоляции между полым анодом и полым катодом определена соотношением 0,5d<h<d, где d - диаметр соосно расположенных отверстий в основаниях анода и катода. Технический результат- повышение равномерности распределения частиц по сечению потока и упрощение конструкции. 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике в области микроэлектроники и предназначено для измерения чистоты поверхности подложек
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в диагностике параметров потоков заряженных частиц
ИСПАРИТЕЛЬ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ РАСТВОРОВ // 2348738
Изобретение относится к испарителю многокомпонентных растворов и может быть использовано для формирования тонких пленок двойных, тройных и более сложных растворов
ФОКУСАТОР ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ // 2339191
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и элементов дифракционной оптики на криволинейных поверхностях
МНОГОЛУЧЕВОЙ ГЕНЕРАТОР ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ // 2333619
Изобретение относится к области получения направленных потоков микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике низкотемпературной плазмы и генерации ионных пучков с большим током и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем, при производстве элементов дифракционной оптики
Изобретение относится к области измерительной техники
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве элементов дифракционной оптики
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в авиационной и космической технике при производстве летательных аппаратов
Изобретение относится к области электропитания высоковольтных устройств, формирующих потоки низкотемпературной плазмы, и может быть использовано в микроэлектронике и дифракционной оптике при производстве интегральных микросхем и дифракционных решеток
