Патенты автора Тимонина Анна Владимировна (RU)
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности при создании элементов постоянной памяти на основе ферроэлектрических материалов и в системах нейроморфных вычислений, для записи и хранения долговременной информации. Элемент постоянной памяти на основе проводящего ферроэлектрика включает два электрода и диэлектрическую прослойку между ними, при этом один из электродов выполнен из проводящего ферроэлектрика теллурида германия, диэлектрическая прослойка выполнена из диоксида кремния толщиной менее 100 нм, а второй электрод выполнен из кремния с р-типом проводимости, причем диэлектрическая прослойка образована окисленной поверхностью электрода из p-Si. Изобретение обеспечивает возможность значительно упростить реализацию ферроэлектрической ячейки памяти за счет использования проводящего ферроэлектрика как одного из электродов в структуре на основе промышленной кремниевой подложки, обеспечить таким образом легкую интеграцию предложенной ячейки в промышленные технологические процессы и подавить деградацию ферроэлектрика за счет уменьшения используемых границ раздела ферроэлектрического материала с другими элементами структуры. 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnS с однородным распределением легирующей добавки по их длине и концентрацией легирующего металла (железа или хрома), совпадающей с его содержанием в исходной загрузке. 1 ил., 1 табл., 6 пр.
Сверхпроводящая цепь с эффектом близости // 2753673
Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической плоскости (001), на которую нанесены контакты из ниобия. Устройство позволяет управлять спектром связанных Андреевских состояний при приложении магнитного поля, вектор индукции которого параллелен плоскости (001) CoSi, а величина индукции изменяется в интервале 0-1,9 Тл. Технический результат - обеспечение возможности управления спектром САС в магнитных полях. 3 ил.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой. Изобретение обеспечивает получение кристаллов ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке. 2 ил., 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С. Исходным материалом служит предварительно синтезированный CoSi, а транспортирующим агентом является йод. Температура в горячей зоне составляет 950-980°С. Изобретение обеспечивает снижение рабочих температур и продолжительности процесса до 5 суток без уменьшения размеров получаемых кристаллов (до 2-2,5 мм). 1 ил., 1 табл.
Инклинатор // 2737135
Предложенное изобретение относится к средствам для определения направления вектора магнитной индукции и предназначено для применения при сверхнизких температурах. Инклинатор для указания направления вектора индукции магнитного поля состоит из чувствительного элемента, выполненного из монокристалла Co3Sn2S2, и четырех металлических контактов, из которых три контакта нанесено на одну сторону чувствительного элемента, а один контакт - на противоположную. Данное устройство обеспечивает технический результат, заключающийся в обеспечении возможности работы в диапазоне температур 1,4-4,2 К. 4 ил.
Терморезистивный элемент // 2729881
Изобретение относится к низкотемпературной электронике. Терморезистивный элемент с положительным температурным коэффициентом сопротивления включает термочувствительный слой и электрические контакты. Терморезистивный элемент состоит из монокристаллической пластины Co3Sn2S2 с тремя контактами из ниобия, нанесенными на кристаллографическую плоскость (0001). Изобретение позволяет создавать терморезистивный элемент, рабочий диапазон температур которого <1,5 К. 2 ил.
Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи // 2717253
Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического магнитного топологического полуметалла Со3Sn2S2. Технический результат: обеспечение возможности простого изготовления сверхпроводящей цепи с участком слабой связи. 1 ил.
Способ получения кристаллов Co3Sn2S2 // 2701915
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов Co3Sn2S2, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов Co3Sn2S2 в вакуумированной ампуле из расплава стехиометрического состава состоит в том, что ампулу с предварительно синтезированной загрузкой нагревают в горизонтальной печи до температуры 920-940°С, выдерживают при этой температуре 20-22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45-46 часов. Изобретение позволяет получать монокристаллы Co3Sn2S2. 1 ил., 3 пр.
Способ получения кристаллов Cd3As2 // 2694768
Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы Cd3As2 получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см. Способ позволяет получать монокристаллы, обладающие поверхностной сверхпроводимостью на образцах, ориентированных по (112). 1 ил., 7 пр.
Способ получения сульфида галлия (II) // 2623414
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga)=1050-1100°C, а расплав серы - температуру Т(S)=300-350°C. Технический результат изобретения: полное протекание химической реакции с образованием чистого однофазного продукта и с возможностью масштабирования процесса для промышленного применения. 1 табл., 3 ил.
Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации, в том числе диметилгидразина, используемого в качестве компонента жидкого ракетного топлива. Способ изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов включает пропитку углеграфитовой ткани расплавленным кремнием. Перед пропиткой слой (слои) углеграфитовой ткани приклеивают слоем поливинилацетата к торцевой поверхности втулки или кольца из силицированного графита, измельченный кремний засыпают на поверхность слоя (слоев) ткани, а затем проводят нагрев в среде вакуума при температуре, превышающей точку плавления кремния. Технический результат: расширение арсенала технических средств. 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением полупроводниковых нанопорошков
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ГАЛЛИЯ // 2336371
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях
НЕЙТРАЛЬНЫЙ СВЕТОФИЛЬТР // 2331906
Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ФИЛЬТРА // 2308061
Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков
