Патенты автора Елисеев Александр Павлович (RU)
Изобретение относится к области создания алмазных лазеров. Предложен способ изготовления лазерного элемента из кристалла алмаза с NV- центрами окраски, заключающийся в том, из искусственно синтезированного кристалла алмаза типа Ib, полученного методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) в металл-углеродной системе Fe-Ni-C или Fe-Co-C без геттеров азота при температурах ниже 1450°С с отношением пиковых коэффициентов поглощения в ИК полосах 1130 см-1 и 1344 см-1, вырезают элемент в виде прямоугольного параллелепипеда c определенной начальной концентрацией одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения, затем подвергают его облучению электронами с определенной дозой, затем осуществляют отжиг до достижения центрами окраски NV- содержания от 2,5-5,0% от содержания одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С), а также лазерный элемент, полученный по предложенному способу. Технический результат – предложенный способ позволяет получить активный лазерный элемент с возможностью перестраиваемой генерации излучения в диапазоне от 710 до 730 нм при возбуждении длиной волны 532 нм. 2 н.п. ф-лы, 8 пр.
ФОТОВОЗБУЖДАЕМЫЙ АЛМАЗНЫЙ NV-ЛАЗЕР // 2779410
Изобретение относится к области квантовой электроники и фотоники и может быть использовано в квантовых информационных технологиях и интегральной фотонике для генерации лазерного излучения в красной части видимого спектра. Заявляемое изобретение содержит источник оптической накачки и лазерно-активный элемент в виде алмазного образца с высокой концентрацией замещающего азота и с меньшей на 1-2 порядка концентрацией NV-центров, который имеет металлизацию на одной или двух противоположных плоскопараллельных гранях, расположенных либо под прямым углом, либо под углом Брюстера, либо под другим углом к оптической оси лазерно-активного элемента, отличающийся усилением или генерацией лазерного излучения в спектральном интервале фононного крыла люминесценции NV-центров в отрицательном зарядовом состоянии. Изобретение можно использовать как источник сверхлюминесценции (усиленного спонтанного излучения) или как источник лазерного излучения. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к материалам для термодозиметрических устройств, которые могут быть использованы в качестве твердотельных термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений. Монокристаллический материал для твердотельной дозиметрии - фторидоборат с «антицеолитной» структурой - характеризуется общей формулой Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr в виде каркаса [(Ba,Sr)12(ВО3)6]6+, сложенного чередующимися слоями АВАВ вдоль направления кристаллографической оси Z, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО3)3- и (F2)2- группы, В-слои включают гостевые анионные группы [LiF4]3-, [(Cu,Sr)2+(OH)6]4-, [Cu+F/(OH)4]3-, и содержит одновременно ионы меди и стронция, обеспечивающие смещение положения основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область до 437 K. Технический результат - расширение арсенала монокристаллических термолюминесцентных материалов с устойчивыми центрами захвата на основе ионов двухвалентной меди и дырочных центров на кислороде, а также излучательной рекомбинации на основе ионов одновалентной меди. Смещение в высокотемпературную область и увеличение температурного интервала между пиками важно для устойчивого хранения и считывания дозиметрической информации. Другим важным преимуществом кристаллов является их химическая, физическая и радиационная стойкость. 5 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной I2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,991<a<6,842 , 5,991<b<8,251, 6,549<с<10,884, объем 369,711<V<390,584 характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности 0,37-19,6 мкм, шириной запрещенной зоны при температуре 300 К 1,8-3,34 эВ, величиной двулучепреломления Δn>0,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм. Способ получения монокристалла LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре. Полученные кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. 3 ил., 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 4 пр.
Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения // 2699639
Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. Получен нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, имеющий пространственную группу Id тетрагональной симметрии, Z=4, с параметрами элементарной ячейки 6,3295<а<6,398 , 11,682<с<12,460 и объемом 468,01<V<510,0 , характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности от 0,76 до 14,8 микрон, шириной запрещенной зоны 1,837 эВ при 300 К, значениями двулучепреломления 0,049 при 2 мкм и нелинейными коэффициентами d13=3,70 пм/В и d14=48,73 пм/В. Способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, включает предварительный синтез соединения LiGaxIn1-xTe2 из элементарных компонентов Li, In, Ga и Te в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, рост монокристалла модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле при обеспечении изменения соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле при скорости выращивания от 2 до 10 мм/сутки и среднем значении аксиального температурного градиента от 2 до 3°С/мм и охлаждение печи со скоростью порядка 10°С/ч. Технический результат заключается в обеспечении возможности сдвига края поглощения в короткую область (по мере увеличения x) в сочетании с увеличением коэффициента преобразования за счет достижения некритичного фазового синхронизма. Ожидаемый эффект увеличения КПД преобразования лазерного излучения при использовании данного нелинейного монокристалла составит 10-30% по сравнению с нелинейными монокристаллами LiGaTe2. При варьировании значения (x) можно обеспечить согласование групповых и фазовых скоростей лазерного излучения, при котором увеличивается эффективная длина взаимодействия для фемтосекундного режима генерации, что обеспечит дополнительный эффект порядка 10-20% КПД. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств. Дихроичный материал представляет собой фторидоборат с «антицеолитной» структурой с общей формулой ; при х=0, у=(0÷0.1) в виде каркаса [Ва12(ВО3)6]6+, сложенного чередующимися слоями (АВАВ) вдоль направления кристаллографической оси Z, содержащего изменяемые количества и тип гостевых анионных групп, образующийся в четверной системе Ва6(ВО3)4-Ва6(ВО3)3.6F1.2 - NaBa12(BO3)7F4- LiBa12(BO3)7F4, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО3)3- и (F2)2- группы, В-слои включают гостевые анионные группы (ВО3)3 и являются оптически-активными, в которых происходит статическое и динамическое разупорядочение гостевых анионных групп. Техническим результатом является создание нового дихроичного материала, структура которого содержит оптически-активные слои с изменяемыми типами и количеством структурных анионных групп. 4 ил., 2 табл., 2 пр.
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+x(ВО3)4-yF2+3y, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3y имеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО3)О]4-, устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр.
Изобретение относится к области получения сегнетоэлектрических монокристаллов фторидов, применяемых в нелинейной оптике. Получен монокристаллический материал фторида SrMgF4, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8 мкм с коэффициентом нелинейности для моноклинной фазы dij=0.044 пм/В и характеризующийся наличием сегнетоэластического фазового перехода при 480 K. Выращивание монокристаллического материала SrMgF4 оптического качества осуществляют методом Бриджмена из расплава SrMgF4, имеющего температуру плавления 1173 K, в вертикальной двухзонной печи с температурами 1470 K и 970 K в зонах печи при температурном градиенте в области роста 10-20 K/см, скорости опускания ампулы порядка 1 мм/день и охлаждении в режиме отключенной печи с последующим отжигом кристалла. Изобретение позволяет создавать периодические структуры, на которых возможна реализация квазифазового синхронизма, что обеспечивает увеличение КПД преобразования лазерного излучения даже при невысоких параметрах нелинейности кристалла. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к получению водостойких и термостойких структурированных хемосенсорных пленок на основе фотонно-кристаллической опаловой матрицы, которые могут найти применение при экспрессном анализе вредных примесей в газообразных и жидких отходах
Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к получению оптических структурированных хемосенсорных пленок на основе фотонно-кристаллической опаловой матрицы, которые могут найти применение при экспрессном анализе вредных примесей
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХЕМОСЕНСОРНЫХ ПЛЕНОК // 2370310
Изобретение относится к способу получению структурированных хемосенсорных пленок на основе наночастиц кремнезема, модифицированного органическими растворителями, который включает получение золя сферических частиц кремнезема, модификацию полученного золя органическим красителем, нанесение модифицированного золя на подложку, отличающийся тем, что в качестве органического красителя используют флуоресцеин, который вводят при температуре 60-80°С в созревший золь сферических частиц кремнезема в смеси вода-этанол с pH 1,5-2 в соотношении флуоресцеин/золь не более 1/100, затем в полученный окрашенный золь вводят поверхностно-активное вещество (ПАВ) цетилтриметиламмония хлорид при соотношении ПАВ/золь = 0,3-0,8
Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных для применения в нелинейной оптике
Изобретение относится к способу изготовления нелинейного составного преобразователя частоты с компенсацией угла сноса лазерного излучения, состоящего из одной или нескольких пар ориентированных полированных пластин нелинейных халькогенидных кристаллов структуры A IBIIICIV 2, где А - одновалентный щелочной катион или Ag +1, В - трехвалентный катион Al, Ga или In, С - халькоген S, Se или Те
