Патенты автора Русейкина Анна Валерьевна (RU)

Изобретение относится к способу получения селенидов, содержащих d- и ƒ-элементы, (Sr,Eu)IILnIIICuISe3 (Ln = La, Nd, Sm, Gd-Lu, Sc, Y), которые перспективны для использования в электрооптике, фотовольтаике, нелинейно-оптических устройствах, в устройствах хранения тепловых данных, а также в качестве полупроводниковых и магнитных, высокоэффективных термоэлектрических материалов. Предложен cпособ получения селенидов ромбической сингонии (Sr,Eu)LnCuSe3 (Ln = La, Nd, Sm, Gd-Lu, Sc, Y) трех структурных типов Ba2MnS3, Eu2CuS3, KZrCuS3, включающий пробоподготовку Cu, Eu2O3/SrCO3 и Ln2O3 (Ln = La, Nd, Sm, Gd-Lu, Sc, Y)/Tb4O7, последующее их растворение при 80°С в 65%-ной азотной кислоте в соотношении 1Cu:1Eu/Sr:1Ln, совместную кристаллизацию кристаллогидратов и частичное обезвоживание при 90°С, частичное/полное обезвоживание при нагревании до 400°С, деструкцию азотнокислых солей и оксонитратов при 800°С в течение 5 ч до оксидов, измельчение оксидной смеси, высокотемпературное восстановительное селенидирование в потоке Н2 (давление 0.004 МПа) и H2Se (60.7 об. %) при 700-770°С в течение 2.5-12 ч и при 900°С в течение 6-12 ч (EuLnCuSe3); при 600°С в течение 6 ч, при 700°С в течение 6 ч и при 800°С в течение 32 ч (SrLnCuSe3) с периодическим измельчением продукта. Технический результат – предложенный способ позволяет получить селениды ромбической сингонии (Eu,Sr)LnCuSe3 трех структурных типов, уменьшить температурно-временные и энергетические характеристики процесса получения гомогенного продукта. 8 пр.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к способу получения поликристаллов четверных соединений ALnAgS3 (A=Sr, Eu; Ln=Dy, Но) моноклинной сингонии со структурой типа BaErAgS3, которые перспективны для применения в качестве люминофоров, полупроводников и неметаллических ферромагнетиков, оптических материалов. Исходный прекурсор готовят из стехиометрических количеств Ag, SrCO3 (Еu2О3), Ln2O3, которые растворяют в азотной кислоте, осаждают 5-10 мас. % избытком серной кислоты, раствор с сокристаллизованным сульфатным осадком выпаривают при 80-110°С, отжигают при 500°С в течение 7 ч, растирают до дисперсности, соответствующей размеру частиц менее 60 мкм, и проводят ступенчатую высокотемпературную обработку сокристаллизованной сульфатной шихты в потоке H2S и CS2 в соотношении 1:2 (газ-носитель аргон) при 600°С в течение 2-3 ч, при 900°С в течение 50 ч или при 700°С в течение 90 ч. Изобретение позволяет получать химически однородные соединения с содержанием целевой фазы не менее 99 мол. % ALnAgS3. 2 пр.
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к способу получения сложных сульфидов редкоземельных элементов, применяемых в качестве полупроводниковых материалов

 


Наверх