Патенты автора Юданов Николай Анатольевич (RU)
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к области высокочувствительных магнитных сенсоров, основанных на магнитоимпедансном эффекте, для применения в медицине и геологии. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей датчика, увеличение точности измерений, расширение диапазона измерений градиентных магнитных полей и температурной стабилизации работы устройства. Технический результат достигается следующим образом. Высокочувствительный магнитоимпедансный датчик градиентных магнитных полей содержит градиентный чувствительный элемент, усилители и микроконтроллер. Отличие датчика в том, что в него дополнительно введены подмагничивающий соленоид, широтно-импульсный модулятор и температурный датчик, а градиентный чувствительный элемент содержит соединенные последовательно и размещенные внутри однородной области магнитного поля подмагничивающего соленоида, по крайней мере, два магнитоимпедансных элемента, состоящих из аморфных ферромагнитных микропроводов в стеклянной изоляции и медных проводных катушек со встречно включенными обмотками, которые соединены со входами усилителей-модуляторов. Входы микроконтроллера соединены с выходами усилителей-модуляторов, температурного датчика, подмагничивающего соленоида и промежуточным отводом чувствительного элемента, а выходы микроконтроллера соединены со входами подмагничивающего соленоида и усилителей-модуляторов, причем вход чувствительного элемента соединен с выходом широтно-импульсного модулятора. Кроме того отличие датчика в том, что магнитоимпедансные элементы располагаются по одной линии друг за другом, а расстояние между ними не менее 5 мм для отрезков аморфного ферромагнитного микропровода в стеклянной оболочке диаметром 36 мкм и длиной по 3 мм. Также отличие датчика в том, что магнитоимпедансные элементы располагаются параллельно друг другу, а расстояние между ними не менее 10 мм для отрезков аморфного ферромагнитного микропровода в стеклянной оболочке диаметром 36 мкм и длиной по 3 мм. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области космической техники, а более конкретно к космическим аппаратам с общей массой до 10 кг. Многоцелевая модульная платформа космического аппарата нанокласса выполнена в форме шестиугольной призмы и состоит из набора унифицированных масштабируемых модулей. Модули расположены последовательно друг над другом. Внутри каждого модуля установлены по меньшей мере две печатные платы со сквозными контактными соединителями. На боковой поверхности модулей, за исключением краевых модулей платформы, расположены фотоэлектрические панели. Каждый модуль монтируется в конструкцию, жестко и строго соосно зафиксированную с соседними конструкциями при помощи выступов на верхней поверхности, пазов на нижней поверхности и сквозных направляющих стержней, пропущенных в углах периметра конструкции через все модули. Высота каждого модуля может быть кратна 34 мм при ширине боковой грани 100 мм. Достигается обеспечение унификации. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой двухпроводной дифференциальный магнитоимпедансный датчик. Датчик содержит два магнитоимпедансных детектора, изготовленных по бескаркасной намоточной технологии, т.е. детектирующие катушки детекторов намотаны непосредственно на сами магнитоимпедансные проводники со слоем защитной маски каждый. Детектирующие катушки детекторов включены встречно, при этом магнитоимпедансный проводник одного из детекторов не возбуждается, а замкнут сам на себя. Техническим результатом является повышение амплитуды выходного сигнала сенсора, уменьшение температурной зависимости выходного сигнала, увеличение точности измерений и расширение пределов измерительной шкалы. 5 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над другой, аналоговый ключ, усилитель, температурный датчик, микроконтроллер, блок терморезистора. МИ элемент с двумя катушками позволяет расширять измерительную шкалу, проводить калибровку датчика. Микроконтроллер выполняет оцифровку данных, управляет всеми узлами датчика (МИ элементом, аналоговым ключом, усилителем), проводит математическую обработку данных. Температурный датчик и блок терморезистора обеспечивают работу датчика в широком температурном диапазоне. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей МИ датчика (интеллектуализация), расширение пределов измерительной шкалы и диапазона рабочих температур, повышение точности измерений, получение дополнительной информации о температуре. 6 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой спектральный магнитоэллипсометр и предназначено для контроля in situ производства в условиях сверхвысокого вакуума наноразмерных магнитных структур. Магнитоэллипсометр содержит источник излучения с монохроматором, плечо поляризатора, оснащенного переключением положения от 0° до 45°, магнитную систему для воздействия на образец, плечо анализатора эллипсометра, оснащенного переключением положения от 0° до 45°, контроллер с детектором для синхронного измерения световых потоков, а также блок измерения магнитосопротивления, собранный по схеме четырехполюсного измерительного моста и состоящий из трех резисторов и одного сменного модуля в виде подложки, на которую происходит напыление образца-свидетеля, имеющего состав, идентичный составу исследуемого образца, а магнитная система выполнена в виде пары оптимизированных катушек Гельмгольца и перпендикулярно расположенного соленоида. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей эллипсометрического метода контроля, повышение точности измерений, получение дополнительной информации об электрических или магнитных свойствах в рамках единого метода. 4 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой способ измерения магнитных свойств и толщины наноразмерных магнитных пленок и может быть использовано в магнитной наноэлектронике для характеризации гетерогенных магнитных элементов в устройствах памяти, в сенсорных устройствах и т.п. При реализации способа пленку с помощью индуктивной системы открытого типа намагничивают в переменном поле в присутствии постоянного поля, измеряют четные высшие гармоники, возникающие в результате нарушения симметрии постоянным полем, и для анализа используют отношение их амплитуд. Техническим результатом является повышение функциональной гибкости способа, в том числе применимость его для in situ характеризации магнитных пленок, и расширение диапазона его применения, в частности для характеристики наноразмерных пленочных структур. 4 ил.
Изобретение относится к области in situ контроля производства в условиях сверхвысокого вакуума наноразмерных магнитных структур и может быть использовано в магнитной наноэлектронике для характеризации гетерогенных магнитных элементов в устройствах памяти, в сенсорных устройствах и т.п. Спектральный эллипсометр дополнительно содержит магнитодинамический модуль, состоящий из аксиальных катушек разных диаметров, который производит измерения, основанные на нелинейности характеристики намагничивания пленки. Таким образом, из независимых измерений может определяться толщина пленки. Изобретение обеспечивает повышение функциональности и точности измерений за счет использования дополнительного оптически некоррелированного метода - магнитодинамического метода. 3 ил.
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку титаната стронция, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 700-750°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет получать монокристаллические наноразмерные пленки мультиферроиков состава BiFeO3 и RxBi1-xFeO3 (где R- Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к технологии получения пленок ферритов-гранатов и может быть использовано в прикладной магнитооптике для получения магнитооптических дисков, модуляторов, дефлекторов. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки галлиевого граната ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку сложнозамещенного галлиевого граната, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 800-850°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 0,5-1,0 час при температуре 700-750°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет повысить качество получаемых наноразмерных пленок Bi-содержащих ферритов-гранатов, а также величину удельного фарадеевского вращения. 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к радиофизике, антенной технике и может найти применение при создании поглотителей электромагнитных волн, используемых для оснащения сверхширокодиапазонных многофункциональных безэховых камер (БЭК) и экранированных помещений, обеспечивающих проведение радиотехнических измерений и испытаний технических средств на соответствие нормам и требованиям электромагнитной совместимости
