Патенты принадлежащие Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к цепям подачи постоянного тока в полосковые линии. Технической задачей является повышение широкополосности развязки по СВЧ источника постоянного тока и полосковой линии.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как оконечная нагрузка в волноводных трактах с высоким уровнем мощности в качестве согласованной нагрузки. СВЧ-нагрузка содержит металлический волновод с высотой «В» узкой стенки и шириной «А» широкой стенки и примыкающий к нему поглотитель в виде блока пластин из графита, располагающихся параллельно широким стенкам волновода.

Изобретение относится к силовой электронике и может быть использовано в мощных низковольтных и высоковольтных полупроводниковых приборах, таких как мощные полевые транзисторы, диоды Шоттки и т.п. Техническим результатом изобретения является расширение эксплуатационных возможностей металлостеклянных корпусов за счёт существенного снижения температуры выводов при пропускании через них тока.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в сложных миниатюрных трактах и устройствах. Техническим результатом является упрощение конструкции и повышение ее надежности.

Изобретение относится к обработке металлов давлением и может быть использовано для изготовления проволоки из индия, применяемой, например, при герметизации блоков электронных изделий. Ручной пресс содержит рычаг второго рода в виде двух рукояток, шарнирно соединенных с одного конца, рабочий цилиндр, плунжер с фильерой и кулису.

Теплоаккумулирующее устройство относится к области теплотехники, более конкретно к теплоаккумулирующим устройствам, использующим скрытую теплоту фазовых переходов рабочего вещества для обеспечения требуемого теплового режима источников тепловой энергии при их циклической работе, а также в качестве их защиты от кратковременных воздействий внешних тепловых потоков.

Изобретение относится к бытовой и медицинской технике, в частности к рециркуляторам для обеззараживания воздуха ультрафиолетовым облучением. Рециркулятор для обеззараживания воздуха ультрафиолетовым излучением с принудительной конвекцией воздушного потока включает не менее двух исполнительных органов, располагаемых внутри замкнутого объема, через который проходит воздушный поток, формируемый вентиляторами, состоящих из набора полупроводниковых диодов ультрафиолетового излучения, узла питания, узла термостабилизации исполнительного органа и блока управления устройства.

Изобретение относится к элементам СВЧ-техники. Коаксиальный униполярный соединитель содержит центрирующую втулку с резьбой, расположенную на наружной поверхности коаксиальных кабелей, две накидные гайки и упорные кольца, закреплённые на наружных поверхностях соединяемых коаксиальных кабелей, причём коаксиальные кабели прижимаются непосредственно друг к другу своими торцами центральных проводников, что обеспечивается усилием стягивания гайками, навинчиваемыми на центральную втулку, а контакт внешних проводников обеспечивается радиальной деформацией центрирующей втулки под действием также усилия стягивания.

Изобретение относится к силовой электронике, в частности к преобразователям с пониженными динамическими потерями в силовых полупроводниковых ключах, полумостовым драйверам, автономным инверторам тока и т.п.

Изобретение относится к силовой электронике, в частности к преобразователям с пониженными динамическими потерями в силовых полупроводниковых ключах, полумостовым драйверам, автономным инверторам тока и т.п.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструктивным элементам СВЧ транзисторных генераторов и/или усилителей мощности для аппаратуры нового поколения, используемой в широком диапазоне рабочих температур вплоть до –50°C.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот, в частности к переходам. Полосково-волноводный переход содержит отрезок регулярного волновода прямоугольного сечения, в зоне перехода повёрнутого на 180 градусов, с закороченным четвертьволновым отрезком повёрнутой части, а в месте поворота находится разделённая на две части стенка и между широкими стенками отрезка волновода и повёрнутым на 180о отрезком имеется небольшой зазор, в который входит по линии симметрии зазора полосок симметричной полосковой линии, состыкованной с торцом поворота регулярного волновода прямоугольного сечения, при этом полосок симметричной полосковой линии проходит через проём разделённой на две части стенки и образует между стенками зазора и полоском разомкнутый на конце симметричный четвертьволновый полосковый шлейф.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к волноводным переходам. Коаксиально-волноводный широкополосный переход зондового типа включает отрезок стандартного прямоугольного волновода, закороченного с одного торца плоской металлической пластиной, возбудитель в виде зонда переменного сечения цилиндрической формы, ось которого перпендикулярна широким стенкам волновода и расположена на продольной оси широкой стенки волновода, отличающийся тем, что дополнительно имеется единственный ёмкостный штырь постоянного сечения цилиндрической формы, ось которого перпендикулярна широким стенкам волновода и расположена на продольной оси широкой стенки волновода на стороне зонда-возбудителя или на противоположной стороне от зонда-возбудителя.

Изобретение относится к технике СВЧ. Техническим результатом является обеспечение работы уголкового изгиба в полном рабочем диапазоне частот используемого волновода при уровне обратных потерь не более -30Дб.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано при изготовлении элементов волноводного тракта. Технический результат заключается в снижении трудоёмкости изготовления, повышении выхода годных изделий.

РАДИАТОР // 2727617
Изобретение относится к области теплотехники. Технический результат заключается в повышении теплоотдачи от радиатора к охлаждающей среде.

Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п.

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов. Композитный корпус полупроводникового прибора состоит из металла, например алюминия, с концентрацией в общей массе в смеси от 15 до 60% и частиц порошка карбида кремния, при этом частицы карбида кремния в смеси двух типов: размером от 70 до 200 мкм и размером от 20 до 40 мкм, в отношении 3:1, где 3 части частиц - частицы размером от 70 до 200 мкм и 1 часть частиц - размером от 20 до 40 мкм, а материал корпуса обладает сходным, с подложкой СВЧ транзистора на основе карбида кремния, коэффициентом термического расширения.

Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями, сформированными лазерной резкой.

Изобретение относится к акустическим способам неразрушающего контроля и может быть использовано при ультразвуковом монтаже проволок на платы для контроля качества монтажа любых видов керамических, фторопластовых и композитных подложек.

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к волноводным элементам, и может быть использовано в волноводной, антенной и СВЧ-измерительной технике. Уголковый изгиб волноводного тракта содержит входной волновод 1, выходной волновод 2 и соединяющий их участок 3, имеющий наружную стенку в виде цилиндрической поверхности с определённым радиусом кривизны и определённым расположением центра этого радиуса.

Изобретение относится к радиоэлектронике. Технический результат изобретения - обеспечение цифровой регулировки формы огибающей выходных радиоимпульсов передатчиков радиолокационных систем.

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей.

Изобретение относится к электронной технике, а именно, касается технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими массо-габаритными показателями и обеспечивающего эффективный отвод тепла от активных компонентов силового модуля.

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO2), наноразмерный двумерный слой графена, который служит нижней обкладкой конденсатора, поверх которого нанесен диэлектрик, содержащий аморфный слой оксида алюминия (Аl2O3), аморфный слой диэлектрика с высокой диэлектрической постоянной, например двуокиси гафния (НfO2), и повторно аморфный слой оксида алюминия (Аl2O3), поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, при этом переключатель содержит два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи.

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены: слой оксида кремния (SiO2), двумерный слой графена, который служит нижней обкладкой конденсатора, поверх которого нанесен комбинированный диэлектрик, содержащий аморфный слой оксида алюминия (Al2O3), аморфный слой диэлектрика с высокой диэлектрической постоянной, например двуокиси гафния (HfO2) и повторно аморфный слой оксида алюминия (Al2O3), а поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку, по меньшей мере, трех управляемых напряжением конденсаторов, образующих 3-х электродную 2-х канальную конфигурацию.

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов.
Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию поверхностных зарядовых состояний.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики.
Наверх