Способ изготовления металлокерамических корпусов типа то-220, то-247, то-254

Изобретение относится к силовой электронике, в частности к преобразователям с пониженными динамическими потерями в силовых полупроводниковых ключах, полумостовым драйверам, автономным инверторам тока и т.п. К важным требованиям, предъявляемым к корпусам силовых полупроводниковых приборов, является высокий выход годных в процессе производства и высокое качество изготовления. Техническим результатом изобретения является повышение качества корпусов типа ТО-220, ТО-247, ТО-254 и технологичности их изготовления за счёт одностадийной пайки корпуса высокотемпературным припоем. Технический результат обеспечивается тем, что в способе изготовления металлокерамических корпусов типа ТО-220, ТО-247, ТО-254, включающем размещение вводов в металлических шайбах, высокотемпературную пайку к участкам металлизации керамического изолятора вводов, вставленных в отверстия металлических шайб, формирование плоских площадок на концах вводов внутри изолятора, предназначенных для сборки полупроводникового прибора и пайку изолятора на фланец, металлические шайбы, после размещения в них предварительно отожжённых вводов, осаживают до образования плотного неразъёмного соединения шайб с вводами, вводы вставляют в отверстия изолятора и формируют плоские площадки на вводах внутри изолятора посредством расплющивания до получения плотного и неподвижного контакта шайб с металлизацией на изоляторе, после чего проводят пайку вводов с изолятором и изолятора с фланцем в одну стадию. 5 ил.

 

Известен способ изготовления штырьковой металлокерамической ножки электровакуумного прибора, в котором на металлические штырьки (вводы) сверху керамического диска надевают металлические шайбы, изготовленные из материала, имеющего одинаковый с керамикой коэффициент термического расширения. Сверху шайб на штырьки надевают припой в виде кольца. Введение шайб в конструкцию ножки исключает необходимость подготовки отверстий под штырьки в керамическом диске, а полное заполнение зазора припоем между керамикой и штырьками необязательно. Вакуумная плотность соединений достигается спаем торца металлических шайб с керамикой и шайб со штырьками [Авторское свидетельство №128942, опубл. 10.10.1960 г.].

На Фиг. 1 представлена штырьковая металлокерамическая ножка, где на штырёк 1 надевается сверху керамического диска 2 шайба 3. На штырёк надевается кольцо припоя 4, расплавляемого при пайке в оправке. Керамику припаивают к станичнику 5 через переходное кольцо 6.

Известен способ изготовления металлокерамического корпуса для СВЧ мощных кремниевых транзисторов (Моряков О.С. Производство корпусов полупроводниковых приборов: Учебник для сред. проф.-техн. училищ.
М.: Высшая школа, 1978, с.49-50), в котором медные выводы размещают и припаивают на ножке твёрдым припоем. Корпус герметизируют баллоном, состоящим из коварового колпачка, в верхнюю часть которого впаивают керамический изолятор, в отверстия которого впаивают никелевые трубочки. При герметизации корпуса выводы вставляют в трубочки и плотно обжимают в специальном приспособлении. Корпус представлен на Фиг. 2 и состоит из фланца 1, никелевого кольца 2, держателя из оксида бериллия 3, выводов 4, колпачка 5, изолятора 6, никелевых трубочек 7.

Недостатком корпуса является сложность изготовления, большое переходное сопротивление не пропаянного, а обжатого контакта вывод-трубка и низкий выход годных по герметичности.

Ближайшим аналогом предложенного технического решения является способ изготовления металлокерамического корпуса типа ТО-254-8 (Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (251) 2018, с. 53-59), включающий размещение вводов в металлических шайбах, пайку вводов, вставленных в отверстия металлических шайб, к участкам металлизации керамического изолятора. Формирование плоских площадок на выводах внутри изолятора, предназначенных для сборки полупроводникового прибора термокомпрессионной или ультразвуковой сваркой, проводится на вводах, впаянных в изолятор в специальном приспособлении до пайки изолятора на фланец. После пайки изолятора с вводами проводят пайку изолятора с фланцем.

На Фиг. 3 представлен корпус ТО-254-8, выполненный в металлокерамическом исполнении.

В данном способе изготовления корпуса при пайке вводов в изолятор необходима специальная кассета, обеспечивающая прилегание шайбы к металлизации на изоляторе. При этом возможно прилегание шайб к металлизации не всей плоскостью, а с некоторым перекосом, что может привести к неполному пропаю соединения и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса. Кроме того, формирование плоских площадок на выводах внутри изолятора для сборки полупроводникового прибора термокомпрессионной или ультразвуковой сваркой проводится на вводах, впаянных в изолятор до пайки изолятора на фланец. То есть при сборке корпуса необходима двух стадийная пайка. Пайку вводов в изолятор проводят серебром при температуре 980-1000°С, а пайку изолятора на фланец проводят припоем ПСр-72 при температуре 820-850°С.

Техническим результатом изобретения является повышение технологичности изготовления корпусов типа ТО-220, ТО-247, ТО-254 и их качества за счёт исключения многостадийной пайки высокотемпературным припоем и исключения возможности при сборке неплотного прилегания друг к другу поверхностей деталей корпусов, подлежащих соединению пайкой.

Технический результат обеспечивается тем, что в способе изготовления металлокерамических корпусов типа ТО-220, ТО-247, ТО-254, включающем размещение вводов в металлических шайбах, высокотемпературную пайку к участкам металлизации керамического изолятора вводов, вставленных в отверстия металлических шайб, формирование плоских площадок на концах вводов внутри изолятора, предназначенных для сборки полупроводникового прибора и пайку изолятора на фланец, металлические шайбы, после размещения в них предварительно отожжённых вводов, осаживают до образования плотного неразъёмного соединения шайб с вводами, вводы вставляют в отверстия изолятора и формируют плоские площадки на вводах внутри изолятора посредством расплющивания до получения плотного и неподвижного контакта шайб с металлизацией на изоляторе, после чего проводят пайку вводов с изолятором и изолятора с фланцем в одну стадию.

На Фиг. 4 представлена фотография корпуса типа ТО-247, изготовленного в соответствии с изобретением.

Сущность заявленного технического решения поясняется Фиг. 5. При осаживании шайбы, диаметр d отверстия в шайбе уменьшается, становится несколько меньше диаметра D ввода 1. Шайба 2 как бы пережимает ввод, внедряясь в него. Соединение ввода с шайбой становится неразъёмным. Ввод предварительно, перед расплющиванием отжигают, повышая его пластичность. Вводы предпочтительно изготавливать из меди или никеля, имеющих низкое электрическое сопротивление и высокую пластичность после отжига. При расплющивании концов 3 вводов 1 внутри изолятора 4 формируются плоские монтажные площадки. При этом образуется наплыв 5, который течёт в сторону внутренней стенки изолятора и, достигая её, плотно прижимает шайбы к металлизации 6 всей поверхностью, без перекоса. Вводы при этом неподвижно фиксируются в изоляторе и далее может проводиться одностадийная пайка вводов и изолятора с фланцем 7 с использованием кассеты, ориентирующей только изолятор относительно фланца.

Для оценки эффективности изобретения были собраны 30 корпусов типа ТО-247 по способу, представленному в прототипе и 30 корпусов по способу, описанному в изобретении. Кроме усложнённого технологического процесса, 6 корпусов из 30-ти изготовленных по способу, представленному в прототипе, при проверке на гелиевом течеискателе ПТИ10 оказались не герметичными, в то время как все 30 корпусов, изготовленные по способу, описанному в изобретении имели высокую степень герметичности.

Список литературы:

1. Моряков О.С. Производство корпусов полупроводниковых приборов: Учебник для сред. проф.-техн. училищ. М.: Высшая школа, 1978, с. 49-50

2. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (251), 2018, с. 53-59

Способ изготовления металлокерамических корпусов типа ТО-220, ТО-247, ТО-254, включающий размещение вводов в металлических шайбах, высокотемпературную пайку к участкам металлизации керамического изолятора вводов, вставленных в отверстия металлических шайб, формирование плоских площадок на концах вводов внутри изолятора, предназначенных для сборки полупроводникового прибора, и пайку изолятора на фланец, отличающийся тем, что металлические шайбы, после размещения в них предварительно отожжённых вводов осаживают до образования плотного неразъёмного соединения шайб с вводами, вводы вставляют в отверстия изолятора и формируют плоские площадки на вводах внутри изолятора посредством расплющивания до получения плотного и неподвижного контакта шайб с металлизацией на изоляторе, после чего проводят пайку вводов с изолятором и изолятора с фланцем в одну стадию.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов электронной техники СВЧ в миллиметровом диапазоне длин волн.

Изобретение относится к устройствам защиты электронных модулей (элементов) от тепловых и механических перегрузок в условиях аварийных ситуаций. Устройство защиты электронных модулей предусматривает предохранение электронных компонентов от тепловых перегрузок путем комбинации конструктивных слоев защиты, вложенных друг в друга.

Использование: для сборки трехмерных интегральных схем (ИС) 3D БИС. Сущность изобретения заключается в том, что способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов включает сборку, на которую поступают кристаллы с контактными столбиками и подложки с металлизацией на контактных площадках из припоя заданной толщины, между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок которых является зеркальным отображением расположения контактных столбиков на кристалле, при сборке контактные столбики кристалла через отверстия в ленте совмещают с припоем контактных площадок на подложке, затем проводят пайку в вакууме, при нагреве до температуры пайки и давлении на кристалл припой расплавляется, при этом происходит смачивание припоем всей поверхности контактных столбиков кристалла, в результате этого происходит заполнение зазора между контактными столбиками и отверстиями в клеящей ленте, а т.к.

Описывается архитектура создания гибких корпусов, которая подходит для искривленных форм корпусов. В одном примере корпус кремниевых кристаллов имеет некоторое множество кремниевых кристаллов, заделанных в гибкой подложке, гибкий прокладочный слой поверх заделанных кристаллов, тонкопленочный теплораспределительный слой поверх подложки, противоположный гибкому прокладочному слою, причем гибкой подложке с кристаллами и прокладкой придана искривленная форма и гибкая подложка отверждена так, что гибкая подложка сохраняет свою форму.

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора.

Изобретение относится к системам термоэлектрического охлаждения. Система имеет горячую сторону с первой температурой и холодную сторону для размещения тепловой нагрузки.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания, герметичное соединение их высокотемпературной пайкой, последующее расположение в корпусе, по меньшей мере, одного кристалла активного элемента и, по меньшей мере, одной согласующей интегральной схемы, по меньшей мере, одного полупроводникового прибора и соединение их низкотемпературной пайкой.

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю. .
Наверх