Характеризуемые способом, используемым для введения газов в реакционную камеру или для модифицирования газовых потоков в реакционной камере (C23C16/455)
C Химия; металлургия(326262)
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом (металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной металлизацией D06Q1/04); химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще (для специфических целей см. соответствующие классы, например для производства резисторов H01C17/06); способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще (обработка металлических поверхностей или покрытие металлов электролитическим способом или способом электрофореза C25D,C25F)
(12971)
C23C16/455 Характеризуемые способом, используемым для введения газов в реакционную камеру или для модифицирования газовых потоков в реакционной камере(35)
Аппарат для плазменной обработки подложек // 2789412
Изобретение относится к способам для обработки подложек и к соответствующему аппарату. В частности, изобретение относится к реакторам для плазменного атомно-слоевого осаждения.
Изобретение относится к технологии нанесения равномерных тонких пленок путем проведения химических реакций на поверхности подложек, в том числе с развитым рельефом, например подложек с отверстиями и каналами с большим аспектным отношением.
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к способу нанесения методом атомно-слоевого осаждения покрытия из оксида железа на акупунктурные иглы. Акупунктурные иглы располагают в реакционной камере, создают вакуум внутри камеры под давлением 1-5 мбар, проводят цикл, включающий нагрев акупунктурных игл до температуры 220-280°С, дискретно последовательную подачу в зону реакции паров прекурсора бис-η5-циклопентадиенил железа II (ферроцен) с температурой 80-100°С в течение 1-3 с с выдержкой в течение 1-3 с и газа-реагента кислорода под давлением 1-3 бар в течение 5-7 с с выдержкой в течение 1-3 с.
Изобретение относится к области оборудования полупроводникового производства и может быть использовано для формирования структур датчиков физических величин и преобразователей энергии бета-излучения в электрическую форму.
Изобретение относится к способу газофазного осаждения покрытий карбидов тантала на поверхности изделия и может быть использовано для создания защитных покрытий, с высокой твердостью, стойкостью к эрозии и абляции, например, на изделиях из графита и углерод-углеродных композитах в камерах сгорания и соплах авиадвигателей, для создания износостойких твердых покрытий и покрытий с высокими антифрикционными свойствами, для покрытий, играющих роль диффузионного барьера для кислорода и других элементов в изделиях микроэлектроники, в таких, как электрод затвора в структурах оксид-металл-полупроводник n-типа, для покрытий, аккумулирующих солнечную энергию и перспективных для создания элементов солнечных батарей.
Изобретение относится к устройству для атомно-слоевого осаждения (ALD) покрытия на поверхность подложки. Указанное устройство содержит реакционную камеру, расположенную внутри вакуумной камеры, с возможностью размещения подложки или партии подложек, газовпускное устройство и форлинию, выполненные с возможностью обеспечения горизонтального потока газа в реакционной камере.
Формовочный инструмент и установка для химической инфильтрации в газовой фазе волокнистых заготовок // 2751708
Изобретение относится к формовочному инструменту для получения деталей авиационного двигателя. Формовочный инструмент для химической инфильтрации в паровой фазе волокнистой заготовки содержит конструктивную камеру, образованную опорами, каждая из которых содержит перфорированную зону.
Группа изобретений относится к реактору осаждения для нанесения покрытия на частицы и способу осаждения посредством упомянутого реактора. Реактор содержит реакционную камеру, обеспечивающую реакционное пространство для частиц, подлежащих покрытию, и источник вибрации.
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640÷680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350÷450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO.
Заявленная группа изобретений относится к изготовлению гибких слоистых материалов, содержащих органические и неорганические слои, к защитным пленкам, содержащим указанные материалы, применению упомянутых защитных пленок и к электронным устройствам, содержащим указанную защитную пленку.
Предложенная группа изобретений относится к реакторам осаждения, в которых материал осаждается на поверхностях посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность частиц, в котором используют реактор атомно-слоевого осаждения с сосудом для частиц, на поверхность которых наносят покрытие, в реакционной камере, обеспечивают источник вибрации, изолированный снаружи реакционной камеры и передающий вибрации по форвакуумной линии, или изолированный внутри реакционной камеры.
Изобретение относится к области материаловедения полупроводников и может быть использовано для получения однородных по составу сегментов нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN. Способ формирования нитевидных нанокристаллов InxGa1-xN, где х=0,2-0,8, устойчивых в области метастабильных составов, осуществляют с помощью металхлоридной эпитаксии из газовой фазы при атмосферном давлении в реакторе с использованием газовых прекурсоров GaCl и InCl3, при выполнении которого поддерживают температуру в реакторе 660°С с допустимым отклонением ± до 10°С и осуществляют контроль за содержанием In в твердой фазе внутри нитевидных нанокристаллов за счет изменения соотношения потоков газовых прекурсоров элементов III группы GaCl и InCl3,, и поддержания соотношения потока прекурсора V группы NH3 к суммарному потоку упомянутых прекурсоров III группы в пределах 26.
Заявленное изобретение относится к области получения тонкопленочных материалов методом химического газофазного осаждения. Питатель содержит контейнер для раствора прекурсора, вакуумируемую камеру с зонами сушки и сублимации, средство для перемещения раствора прекурсора через вакуумируемую камеру из контейнера для раствора прекурсора в зону сушки и сублимации вакуумируемой камеры.
Настоящее изобретение относится к области изготовления гибких слоистых материалов, содержащих органические и неорганические слои, защитных пленок, содержащих упомянутые слоистые материалы, для герметизации, упаковки, или пассивации и к электронным устройствам, содержащим защитные пленки.
Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы // 2717620
Изобретение относится к устройству (1) для нанесения покрытия на по меньшей мере одну нить (2) методом осаждения из паровой фазы, способу нанесения покрытия и способу изготовления детали из композиционного материала.
Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы // 2717450
Изобретение относится к устройству (1) для нанесения покрытия на по меньшей мере одну нить (2) методом осаждения из паровой фазы, способу нанесения покрытия и способу изготовления детали из композиционного материала.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Способ нанесения покрытия sno2 // 2711386
Изобретение относится к области металлургии, а именно к нанесению покрытия из диоксида олова, и может быть использовано при изготовлении защитных покрытий, а также при создании газовых сенсоров, оптоэлектрических и люминисцентных устройств.
Способ нанесения углеродного покрытия // 2711277
Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для нанесения углеродных покрытий путем термического разложения углеродосодержащих соединений на поверхности материала. Способ нанесения углеродного покрытия на поверхность изделия, в котором углекислый газ пропускают через активированный уголь при температуре 800-1000°С с получением CO газа, который на поверхности изделия, имеющего температуру 400-600°С, разлагается на C и CO2 с осаждением углерода на поверхность изделия, после чего изделие отжигают в инертной атмосфере при температуре 400-600°С.
Изобретение относится к способу и устройству атомно-слоевого осаждения покрытия на поверхность подложки. Осуществляют последовательность атомно-слоевого осаждения, включающую по меньшей мере один цикл осаждения, причем в каждом цикле образуется монослой осажденного материала.
Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок.
Способ получения объемных алмазных структур // 2698885
Изобретение относится к производству объемных изделий (структур) из алмаза: губок, пористых структур сложной формы, и может быть использовано в твердотельной электронике для производства теплоотводов, эмиссионных электродов и высоковольтных изоляторов, в теплотехнике при конструировании эффективных теплообменников, в биологии и медицине при изготовлении фильтров и мембран.
Изобретение относится к способу газофазного осаждения покрытий тантала на поверхности изделий и может быть использовано для создания защитных покрытий, например, на оружейных стволах, в печатающих головках струйных устройств, биомедицинских имплантатах, а также для создания покрытий в изделиях микроэлектроники, например, в качестве диффузионного барьера между медью и кремнием, в качестве электрода затвора в полупроводниковых полевых транзисторах.
Изобретение относится к слоистому материалу, предназначенному для получения барьерных пленок, включающему более чем одну последовательность, включающую (а) слой, содержащий В, Al, Si, Ti, Zn, Y, Zr, La, имеющий толщину от 0.4 до 15 нм, и (б) слой, содержащий органический тиол.
Изобретение относится к области способов получения органо-неорганических слоистых материалов путем атомно-слоевого осаждения. Способ получения органо-неорганического слоистого материала включает движение подложки по отношению к, по меньшей мере, двум отдельным отверстиям, расположенным вдоль относительно подвижной траектории.
Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы включает подачу в реактор 5 по крайней мере двух потоков реакционноспособных газов через вводы 1, 2, по крайней мере один из которых смешивают с несущим газом, при этом в качестве источников металлов третьей группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве источника азота - аммиак, при этом перед подачей в реактор 5 потоки газов 1, 2 направляют в по крайней мере одну соединенную с реактором 5 смесительную камеру 3 для приготовления газовой смеси, после чего полученную смесь газов направляют в реактор 5 через формирователь потока 4, выполненный с возможностью подачи газов в реактор 5 в условиях ламинарного потока, причем стенки камеры 3 и формирователь потока 4 нагревают и поддерживают при температуре 40÷400°C, при этом внутренний объем смесительной камеры 3 удовлетворяет соотношению V<Q⋅(Pst/P)4T/Tst)⋅1 с, где V - внутренний объем смесительной камеры, см3; Q - полный суммарный расход газа через камеру, выраженный в см3/с, при стандартных условиях; Pst, Tst - стандартные значения температуры и давления (Р=105 Па, Т=273,15 К); Р - давление в смесительной камере; Т - минимальная температура в смесительной камере.
Градиентные тонкие пленки // 2666198
Изобретение относится к способу получения многослойного покрытия, выполненного из тонкой пленки градиентного состава, и изделию, полученному указанным способом. Осуществляют введение в плазму по меньшей мере одного химического вещества-предшественника, причем указанное введение включает введение в плазму первого химического вещества-предшественника и по меньшей мере одного другого химического вещества-предшественника, отличного от первого химического вещества-предшественника.
Способ гидрофобизации субстрата // 2661320
Настоящее изобретение относится к способу гидрофобизации поверхности субстратов и может быть использовано в газоносных системах отбора и хранения проб природного газа для подготовки субстрата, например сосуда для хранения газа и подводящего трубопровода, в системах контроля качества продукции в нефтяной и газовой промышленности, в химико-аналитических лабораториях, при производстве аналитических приборов и хроматографов, в коммерческих узлах учета, в системах измерений количества и показателей качества газа и сжиженных углеводородных газов на магистральных газопроводах.
Изобретение относится к твердооксидному топливному элементу (ТОТЭ (SOFC)) и способу получения барьерного слоя твердооксидного топливного элемента, устойчивого к катодной диффузии. Указанный способ содержит этапы, на которых слой поливалентно легированного диоксида церия осаждают путем атомно-слоевого осаждения на слой электролита, составленного из поливалентно стабилизированного диоксида циркония спеченного полуэлемента.
Изобретение относится к области получения искусственных алмазов методом химического газофазного осаждения, в частности, связано с активацией потока смеси нейтральных газов нагретыми металлическими поверхностями и может быть использовано в электронике, приборостроении, на предприятиях, производящих алмазный инструмент.
Изобретение относится к металлургии, а именно к фторидной технологии получения сложных по пространственной конфигурации вольфрамовых изделий. Способ получения вольфрамового изделия послойным нанесением вольфрама характеризуется тем, что проводят сканирование изотермически нагретой горизонтальной плоскости формируемого изделия, соответствующей сечению 3D модели, осуществляют дозированную дискретно-точечную струйную подачу газообразного гексафторида вольфрама и газообразного водорода на указанную плоскость, последующее вертикальное перемещение отсканированной плоскости с нанесенной на нее за счет взаимодействия указанных исходных компонентов твердой поверхностью вниз на заданный шаг и сканирование в соответствии с последующей конфигурацией сечения 3D модели.
Дозатор-смеситель // 2640369
Изобретение относится к области дозирования реагентов в поток газа-носителя с раздельной подачей реагентов в реакционную камеру. Дозатор-смеситель содержит корпус, испарители и нагреватели, поддерживающие заданную температуру для испарения реагентов, и два испарителя, установленные друг над другом и закрытые через прокладки крышками с отверстиями для подачи газа-носителя.
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике для создания интегральных схем, тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев.
Способ и оснастка для осаждения из паровой фазы металлического покрытия на детали из суперсплавов // 2634827
Изобретение относится к способу и оснастке для осаждения из паровой фазы металлического покрытия на детали из жаропрочного сплава и может быть использовано для нанесения такого покрытия на детали турбомашин, подвижные лопатки или лопатки статора газотурбинного двигателя.
Способ получения покрытия на основе диоксида кремния внутренней поверхности кварцевого изделия // 2631779
Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к металлургии полупроводников, и предназначено для изготовления кварцевых контейнеров с покрытием из диоксида кремния рабочей поверхности.
Способ и устройство для защиты внутренних поверхностей насоса посредством атомно-слоевого покрытия // 2630733
Изобретение относится к способу защиты внутренних поверхностей насоса путем атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия и к устройству для защиты внутренних поверхностей насоса путем атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия.
Устройство и способ для реакторов осаждения // 2630731
Изобретение относится к устройству и способу химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями. Упомянутое устройство содержит источник исходного продукта, выполненный с возможностью осаждения материала на нагретую подложку в реакторе осаждения последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями, и пульсирующий клапан, внедренный в источник исходного продукта и выполненный с возможностью управления подачей пара исходного продукта из источника исходного продукта в содержащуюся в реакторе реакционную камеру, в которой размещена подложка.
Устройство и способы для реакторов осаждения // 2630727
Изобретение относится к источнику исходного продукта для реактора химического осаждения материала последовательными самонасыщающимися поверхностными реакциями и к картриджу исходного продукта для источника исходного продукта.
Изобретение относится к технологии осаждения алмазных пленок из газовой фазы CVD методом, а именно к способу получения легированного дельта-слоя в CVD алмазе. Алмазную подложку помещают в CVD реактор.
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при получении особо чистого германия методом зонной плавки. При нанесении защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля в качестве покрытия используют GeO2, образующийся путем пропускания через закрытый холодный тигель газообразного GeO, нагретого до 850-1000°С, после чего тигель открывают и нагревают в атмосфере воздуха до 850-1000°С, затем тигель выдерживают при тех же температурах в атмосфере воздуха до получения плотного покрытия.
Изобретение относится к бортовой и наземной пироавтоматике изделий ракетно-космической, авиационной, военно-морской и специальной техники, в частности к исполнительным устройствам систем разделения - детонирующим удлиненным зарядам, а также к областям защиты металлоконструкций и изделий от коррозии и нанесения различных покрытий на узлы и детали в машиностроении.
Изобретение относится к способам формирования тонкой пленки на основе фторуглеродного полимера на поверхности детали. Осуществляют стадии, на которых пропускают исходный газ через пористый нагревательный элемент c хаотично расположенными порами, причем указанный пористый нагревательный элемент имеет температуру, достаточную для расщепления исходного газа с образованием реакционноспособных частиц (CF2)n, где n=1 или 2 радикала, при этом реакционноспособные частицы находятся вблизи поверхности детали, на которой должен быть сформирован фторуглеродный полимер, и поддерживают температуру поверхности детали ниже температуры пористого нагревательного элемента для стимулирования осаждения и полимеризации (CF2)n, где n=1 или 2 радикала, на поверхности детали.
Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна атомно-слоевым осаждением (АСО) включает подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения, формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения (АСО) на подложку и аппарату для АСО. Осуществляют подачу покрываемого полотна в реакционную камеру реактора АСО, обеспечивают импульсную подачу прекурсоров в реакционную камеру для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций и устанавливают первый и второй рулоны покрываемого полотна на крышку реакционной камеры реактора АСО.
Изобретение относится к способу химического осаждения атомных слоев на подложку, устройству и линии для упомянутого осаждения. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку включает использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
Изобретение относится к реакторам для осаждения материалов на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения (АСО) покрытия на поверхность частиц дисперсного материала включает установку картриджа для атомно-слоевого осаждения (картриджа АСО) в приемник реактора АСО посредством осуществления быстроразъемного соединения, причем картридж АСО сконфигурирован с возможностью выполнения функции реакционной камеры АСО, обработку поверхности дисперсного материала в картридже АСО путем обработки дисперсного материала в расположенных одно над другим отделениях картриджа, каждое из которых отделено от смежного отделения пластинчатым фильтром.
Реактор атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек и способ обработки партии подложек // 2586956
Изобретение относится к способу атомно-слоевого осаждения пленки на подложку и к устройству для указанного осаждения. Обеспечивают модуль реакционной камеры реактора атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек, перемещаемых на тележке, методом атомно-слоевого осаждения, загрузку тележки, перемещающей партию подложек, перед обработкой в модуль реакционной камеры по пути, отличному от пути, по которому партию подложек разгружают после обработки, разделение партии подложек на подпартии подложек и одновременную обработку всех подпартий в модуле реакционной камеры.
Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций.
Изобретение относится к покрытому карбидом тантала углеродному материалу и способу его изготовления. Покрытый карбидом тантала углеродный материал содержит углеродную подложку и покрывающую ее пленку карбида тантала.
Изобретение относится к реактору и способу осаждения слоев металла на подложку. Подающее устройство реактора ограничивает расширительное пространство, предназначенное для проведения реагентов в виде нисходящего потока от плазменного источника (110) по направлению к реакционной камере.
