Нагревание расплавленной зоны (C30B13/16)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110) C30B13/16 Нагревание расплавленной зоны(10)
Изобретение относится к зонной плавке и может быть использование для получения и очистки различных материалов. .
Изобретение относится к способам химико-термо-компрессионной обработки расплавов и тугоплавких соединений и может быть использовано для получения и очистки материалов, в т.ч. .
Изобретение относится к кристаллографии. .
Изобретение относится к области материаловедения, преимущественно к космической технологии, и позволяет проводить процессы плавки для получения материала в условиях минимального воздействия микрогравитации.
Изобретение относится к области металлургии, химии и электронике, конкретно к области получения высокочистых веществ и сплавов на их основе. .