Применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L21/326)
H Электричество(232322)
H01L21/326 Применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( H01L21/20-H01L21/288 и H01L21/302-H01L21/324 имеют преимущество)(8)
1Изобретение относится к технологии изготовления элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, информация в которых кодируется величиной сопротивления. Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти, включающий помещение структуры проводник - диэлектрик - проводник с открытой в газовую фазу поверхностью диэлектрика, расположенной между проводящими электродами, в вакуум и выдержку ее под напряжением в две стадии: на первой - при напряжении, приводящем к появлению скачкообразно меняющегося тока со средним уровнем порядка микроампер, на второй - в диапазоне напряжений от 4 до 6 В до появления токов на уровне, установленном схемой ограничения тока.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ осуществляется следующим образом: на пластины р-Si (10 Ом*см) с ориентацией (100), наносят слой кремния n-типа проводимости толщиной 80 нм и последовательно формируют 2-слойную структуру (SiO2+Si3N4), SiO2 толщиной 38 нм, нитрид кремния Si3N4 толщиной 24 нм, по стандартной технологии.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств. .
Изобретение относится к плазменной технологии, конкретно к способу плазменной обработки дисперсного материала, и может найти применение при сфероидизации высокотемпературных порошковых композиционных материалов на основе оксидов, карбидов, нитридов.
Способ сборки полупроводниковых приборов // 370683
