Комплементарные полевые мдп-транзисторы (H01L27/092)

Отслеживание патентов класса H01L27/092
H01L27/092              Комплементарные полевые мдп-транзисторы(11)

Кмоп-транзистор с вертикальными каналами и общим затвором // 2504865
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор.

Полупроводниковый прибор с характеристикой лямбда-диода // 2466477
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. .

Способ изготовления полупроводникового элемента с частично проходящей в подложке разводкой, а также изготовленный этим способом полупроводниковый элемент // 2214649
Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу.

Комплементарный полупроводниковый прибор // 2192691
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике, классу многофункциональных приборов.

Кмоп-структура // 2170475
Изобретение относится к КМОП-структуре. .

Интегральная схема // 1316509
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей .
 
2548593.
Наверх