Комплементарные полевые мдп-транзисторы (H01L27/092)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L27/092 Комплементарные полевые мдп-транзисторы(11)

Радиационно-стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (озу) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2725328

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям.

Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2692307

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.

Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2674935

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, выполненных по технологии объемного кремния, с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.

Кмоп-транзистор с вертикальными каналами и общим затвором // 2504865

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор.

Полупроводниковый прибор с характеристикой лямбда-диода // 2466477

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. .

Кмоп устройства на основе сурьмы // 2419916

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора // 2393587

Изобретение относится к области микроэлектроники. .

Способ изготовления полупроводникового элемента с частично проходящей в подложке разводкой, а также изготовленный этим способом полупроводниковый элемент // 2214649

Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу.

Комплементарный полупроводниковый прибор // 2192691

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике, классу многофункциональных приборов. .

Кмоп-структура // 2170475

Изобретение относится к КМОП-структуре. .

Интегральная схема с двумя типами моп-транзисторов // 2100874

Комплементарный ключ // 2054752

Интегральная схема // 1316509

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей . .

Управляемый линейный резистор // 299874