Управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (H01L29/82)

H01L29/82              Управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору ( H01L29/96 имеет преимущество)(41)

Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики // 2792816
Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики относится к приборам с отрицательным объёмным сопротивлением (приборам на основе эффекта Ганна), применяемым в качестве новых типов активных электронных структур, основанных на проявляемых объёмных нелинейных эффектах основных носителей заряда в полупроводниках типа AIIIBV, работающих в условиях сильных внешних воздействий напряжённостей электрических и магнитных полей.

Конвертор спинового тока в зарядовый ток на основе гетероструктуры из перовскитов переходных металлов // 2774958
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.

Преобразователь магнитного поля с функционально интегрированной структурой // 2743625
Изобретение относится к высокоточным сенсорам магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла, создание таких приборов расширит область их применения особенно в медицине. Конструкция преобразователя магнитного поля содержит горизонтальный биполярный транзистор n-p-n (p-n-p), расположенный на поверхности подложки, содержащий диэлектрик, область коллектора и область эмиттера n (р) типа проводимости, область базы р (n) типа проводимости, на области эмиттера размещен электрод общей шины, на области базы - электрод управляющей шины, на области коллектора - электрод выходной шины, на поверхности подложки также размещены электрод шины питания, нагрузочный резистор, соединенный соответственно первым выводом с электродом коллектора, вторым выводом с электродом шины питания, отличающаяся тем, что диэлектрик расположен на поверхности области базы, на поверхности диэлектрика расположен дополнительный электрод управляющей шины, образующий с диэлектриком и областью базы функционально интегрированную структуру МОП конденсатора, при этом сопротивление подложки образует резистор базы, а на поверхности подложки расположена область дополнительного коллектора n (р) типа проводимости, на поверхности которого расположен электрод шины питания.
Вихревой спиновый диод, а также приемник и детектор на его основе // 2731531
Настоящее изобретение относится к области беспроводной передачи энергии и информации, а также детектирования переменного сигнала и представляет собой приемник или детектор на основе вихревого спинового диода (являющегося выпрямляющим элементом), работающего за счет эффекта переноса спина и туннельного/гигантского магнетосопротивления и представляющего из себя магнитную многослойную гетероструктуру.

Двухколлекторный металлополупроводниковый прибор // 2629712
Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также как датчик магнитной индукции.

Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока // 2591736
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке.

Металлополупроводниковый прибор // 2559161
Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, кроме того, может использоваться для защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также в контрольно-измерительной технике как датчик магнитной индукции.

Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда // 2550756
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла.

Полевой транзистор с ячейкой памяти // 2543668
Изобретение относится к наноэлектронике, в частности к полевым транзисторам, содержащим ячейку флэш-памяти под затвором. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры, содержит сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал, затвор с ячейкой памяти.

Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор // 2498457
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла.

Планарный биполярный магнитотранзистор // 2439748
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. .

Планарный магнитотранзисторный преобразователь // 2422943
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. .

Полевой датчик холла // 2390879
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использовано в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. .

Спиновый транзистор // 2387047
Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне.

Регулирование электромеханического поведения структур в устройстве микроэлектромеханических систем // 2348088
Изобретение относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур. .

Интегральный биполярный магнитотранзистор // 2204144
Изобретение относится к области измерительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам направления и величины магнитных полей и магнитных потоков. .

Интегральная магниточувствительная матрица // 2140117
Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной техники и может быть использовано в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями.

Сенсор вектора магнитного поля // 2122258
Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть применено для измерения магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем.

Магниточувствительный биполярный транзистор // 2055419
Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть применено для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправлямых схемах.
Магниторезистивный элемент // 2053587
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению сопротивления, управляемого магнитным полем. .

Магнитотранзистор // 1797416
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в устройствах измерительных приборов и автоматике. .

Биполярный латеральный магнитотранзистор // 1702458
Изобретение относится к биполярному латеральному магниготранзистору, который используется в качестве датчика магнитного поля. .

Способ изготовления магниторезисторов // 1466595
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, а именно к способам изменения физических параметров полупроводника в магнитном поле с использованием давления. .

 // 157006
 
.
Наверх