Управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (H01L29/82)
H01L29/82 Управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору ( H01L29/96 имеет преимущество)(41)
Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики относится к приборам с отрицательным объёмным сопротивлением (приборам на основе эффекта Ганна), применяемым в качестве новых типов активных электронных структур, основанных на проявляемых объёмных нелинейных эффектах основных носителей заряда в полупроводниках типа AIIIBV, работающих в условиях сильных внешних воздействий напряжённостей электрических и магнитных полей.
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.
Изобретение относится к высокоточным сенсорам магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла, создание таких приборов расширит область их применения особенно в медицине. Конструкция преобразователя магнитного поля содержит горизонтальный биполярный транзистор n-p-n (p-n-p), расположенный на поверхности подложки, содержащий диэлектрик, область коллектора и область эмиттера n (р) типа проводимости, область базы р (n) типа проводимости, на области эмиттера размещен электрод общей шины, на области базы - электрод управляющей шины, на области коллектора - электрод выходной шины, на поверхности подложки также размещены электрод шины питания, нагрузочный резистор, соединенный соответственно первым выводом с электродом коллектора, вторым выводом с электродом шины питания, отличающаяся тем, что диэлектрик расположен на поверхности области базы, на поверхности диэлектрика расположен дополнительный электрод управляющей шины, образующий с диэлектриком и областью базы функционально интегрированную структуру МОП конденсатора, при этом сопротивление подложки образует резистор базы, а на поверхности подложки расположена область дополнительного коллектора n (р) типа проводимости, на поверхности которого расположен электрод шины питания.
Настоящее изобретение относится к области беспроводной передачи энергии и информации, а также детектирования переменного сигнала и представляет собой приемник или детектор на основе вихревого спинового диода (являющегося выпрямляющим элементом), работающего за счет эффекта переноса спина и туннельного/гигантского магнетосопротивления и представляющего из себя магнитную многослойную гетероструктуру.
Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также как датчик магнитной индукции.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке.
Изобретение относится к области магнитоэлектроники, а именно к преобразователям магнитного поля в электрический сигнал, и может быть использовано в различных электронных устройствах, предназначенных для усиления и генерации электрических сигналов, кроме того, может использоваться для защиты входных цепей радиоэлектронной аппаратуры от мощных электромагнитных излучений, а также в контрольно-измерительной технике как датчик магнитной индукции.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла.
Изобретение относится к наноэлектронике, в частности к полевым транзисторам, содержащим ячейку флэш-памяти под затвором. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры, содержит сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал, затвор с ячейкой памяти.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. .
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использовано в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. .
Изобретение относится к области спиновой электроники (спинтронике), более конкретно к устройствам, которые могут быть использованы в качестве элемента ячеек спиновой (квантовой) памяти и логических информационных систем, а также источника спин-поляризованного излучения (лазером) в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне.
Изобретение относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур. .
Изобретение относится к области измерительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным измерительным элементам направления и величины магнитных полей и магнитных потоков. .
Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной техники и может быть использовано в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями.
Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть применено для измерения магнитных полей в виде дискретного датчика или в качестве чувствительного элемента в составе интегральных магнитоуправляемых схем.
Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным устройствам и может быть применено для измерения магнитных полей в виде датчика в магнитоуправляемых схемах электронной автоматики или в качестве чувствительного элемента в интегральных магнитоуправлямых схемах.
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению сопротивления, управляемого магнитным полем. .
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в устройствах измерительных приборов и автоматике. .
Изобретение относится к биполярному латеральному магниготранзистору, который используется в качестве датчика магнитного поля. .
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, а именно к способам изменения физических параметров полупроводника в магнитном поле с использованием давления. .