Конструктивные элементы (H01L31/02)
H Электричество(232322)
H01L31/02 Конструктивные элементы(122)
Композитно-проволочный электрод для системы контактирования фотоэлектрических преобразователей // 2787467
Изобретение относится к области электротехники и солнечной энергетики, а именно к технологии контактирования фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), конструкционным элементам для коммутации ФЭП и технологии сборки солнечных модулей.
Изобретение относится к полупроводниковому материалу, инфракрасному светоприемному элементу и способам производства полупроводникового материала. Предложен полупроводниковый материал, характеризующийся улучшенной противоокислительной стойкостью.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к способу получения плёнки органо-неорганического комплексного галогенида с перовскитоподобной структурой. Указанная пленка может быть использована для производства полупроводниковых устройств.
Некоторые примеры осуществления относятся к электрическим потенциалоуправляемым затемняющим экранам, используемым со стеклопакетами, к стеклопакетам, включающим в себя такие затемняющие экраны, и/или связанным с ними способам.
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты оптико-электронных устройств от мощного лазерного комплекса (МЛК). Способ включает в себя прием оптических излучений оптико-электронным средством (ОЭС) матричного типа, измерение параметров лазерного локационного излучения (ЛЛИ) и пространственных параметров его изображения на фоточувствительной матрице ОЭС.
Изобретение относится к дистанционирующим элементам (спейсерам), подходящим для применения с фотоэлектрическими устройствами. Предлагается дстанционирующий элемент для изолирующих стеклопакетов с тремя или более панелями остекления, ограничивающими по меньшей мере одно герметично закрытое внутреннее пространство между по меньшей мере двумя панелями остекления, содержащий: корпус (2) дистанционирующего элемента, изготовленный из первого материала и проходящий в продольном направлении (Z), с двумя внешними поверхностями (АР) в поперечном направлении (X), перпендикулярном продольному направлению (Z), для прикрепления к внешним панелям (3, 4) остекления изолирующего стеклопакета, и газонепроницаемый барьер (40), выполненный из второго материала, причем корпус дистанционирующего элемента имеет поперечное сечение (X-Y), перпендикулярное продольному направлению (Z), с первой камерой (10) для размещения осушающего материала, расположенной рядом с первой (АР, 13) из двух внешних поверхностей, со второй камерой (20) для размещения осушающего материала, расположенной рядом со второй (АР, 23) из двух внешних поверхностей, и с пазом (30), расположенным между первой и второй камерами (10, 20) в поперечном направлении (X) и открытым на первой стороне дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y), перпендикулярном продольному и поперечному направлениям (Z, X), газонепроницаемый барьер (40) расположен на и/или в корпусе дистанционирующего элемента в вертикальном направлении (Y) на второй его стороне, которая находится напротив первой стороны дистанционирующего элемента, и паз (30) ограничен в поперечном направлении двумя боковыми сторонами (14, 24) и в вертикальном направлении на второй стороне нижней стенкой (31), паз (30) приспособлен для введения в него внутренней панели (5) остекления, причем дистанционирующий элемент содержит по меньшей мере две электропроводные части (51, 52, 44, 53, 54), электрически изолированные друг от друга и расположенные в одной или в обеих боковых стенках (14, 24) и/или в нижней стенке (31) паза (30).
Изобретение относится к фотоприемным устройствам инфракрасного диапазона длин волн и технологии их изготовления. Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура включает подложку, расположенный на подложке первый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется от 1 на границе с подложкой до хПС на границе с поглощающим слоем, расположенный на первом слое с переменным составом однородный по составу поглощающий слой из CdxHg1-xTe с составом хПС=0,22-0,4 толщиной 2-4 мкм, расположенный на поглощающем слое второй слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хПС на границе с поглощающим слоем до хБ на границе с барьерным слоем, расположенный на втором слое с переменным составом однородный по составу барьерный слой из CdxHg1-xTe с составом хБ=0,6-0,7 толщиной 0,2-0,5 мкм, расположенный на барьерном слое третий слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хБ на границе с барьерным слоем до хКС на границе с контактным слоем, расположенный на третьем слое с переменным составом однородный по составу контактный слой из CdxHg1-xTe с составом хКС=0,22-0,4 толщиной 1-2 мкм, расположенный на контактном слое четвертый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хКС на границе с контактным слоем до хД=0,6-1,0, при этом на четвертом слое из CdxHg1-xTe с переменным составом располагается пассивирующий слой, а металлический полевой электрод из In нанесен на поверхность пассивирующего слоя, причем геометрические размеры полевого электрода выбирают таким образом, чтобы минимальное расстояние от края полевого электрода до края площадки, ограничивающей область фоточувствительной структуры, было бы равно 1,0-1,2 мкм.
Настоящее изобретение относится к арамидной бумаге, которую используют в качестве подложки в электронных областях применения с низким значением CTE, с хорошей гомогенностью, стабильностью размеров и которая имеет плотность 0,20-0,65 г/см3 и граммаж 30-280 г/м2, которая содержит 10-40 мас.% мелко нарезанного арамида с линейной плотностью 2,6 децитекс или ниже и длиной 0,5-25 мм и 10-80 мас.% фибрида арамида, причем мелко нарезанный арамид содержит по меньшей мере 70 мас.% мелко нарезанного параарамида, а фибрид арамида содержит по меньшей мере 70 мас.% фибрида параарамида.
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощных оптических излучений. Сущность способа защиты ОЭС от лазерного воздействия заключается в приеме оптического излучения ОЭС, делении падающего оптического излучения на два потока в энергетической пропорции Р1=К3Р2 и Р1>>Р2, где Р1 - мощность первого потока, Р2 - мощность второго потока, К3 - коэффициент пропорциональности, задержке первого потока относительно второго потока на заданное время tзад, измерении мощности второго потока Р2 и определении мощности первого потока, как Р1=К3Р2, сравнении его значения Р1 с пороговым значением Рпор, обработке при Р1<Рпор оптического излучения первого потока ОЭС, перекрытии при Р1 ≥ Рпор первого потока за время t<tзад и защите ОЭС от разрушения оптическим излучением.
Изобретения могут быть использованы для сбора энергии из окружающей среды. Предложен твердотельный накопитель энергии, содержащий первый слой, содержащий первый субоксид переходного металла и твердый электролит (ТЭ), второй слой, содержащий смесь второго субоксида переходного металла и оксида или диоксида лантаноида, причем эта смесь образует ТЭ, третий слой, содержащий третий субоксид переходного металла и ТЭ, и при этом первый субоксид переходного металла и третий субоксид переходного металла отличаются друг от друга.
Изобретение относится к технологии и способам размещения наноалмазов с NV-центрами на оптических структурах из Si3N4 и может быть использовано в будущих устройствах нанофотоники. Способ размещения наноалмазов на структурах из нитрида кремния включает покрытие защитным резистом с последующей электронной литографией для образования «окон», в которых должны размещаться наноалмазы.
Изобретение относится к области электроники, а именно к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др.
Заявленное изобретение относится к низкоразмерным материалам, в частности к низкоразмерным материалам, которые поддерживают квантовую самотермализацию и квантовую самолокализацию, а также квантовый фазовый переход между упомянутыми квантовыми фазами посредством управляемой вариации квантового перепутывания углеродоподобных искусственных ядер в четырехвалентных искусственных атомах, которые самособираются.
Изобретение относится к технологии функциональных материалов, конкретно к технологии оптически прозрачных оксидных полупроводников, применяемых в оптоэлектронике, фотовольтаике и плазмонике. Согласно изобретению предложен способ получения нанодисперсного оксида кадмия, допированного литием, включающий получение исходной смеси путем растворения карбоната кадмия и карбоната лития, взятых в стехиометрическом соотношении, в 10%-ной муравьиной кислоте, взятой в количестве 5,6 мл раствора кислоты на 1 г суммарного количества карбоната кадмия и карбоната лития, упаривание полученной смеси при температуре 50-60 °С до получения сухого остатка и отжиг при температуре 300-320 °С в течение 0,5 часа на первой стадии и при фиксированном значении температуры, находящейся в интервале 500-900 °С, в течение 1 часа на второй стадии.
Датчик химического состава вещества // 2753854
Изобретение относится к фотонике, а именно к методам и устройствам для анализа химического состава вещества (воздуха, жидкостей и твердых тел). Датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере одну первую полупроводниковую структуру (1) с р-n переходом (2) и по меньшей мере одну вторую полупроводниковую структуру (3) с р-n переходом (4), оптически связанные и пространственно разнесенные на прозрачной в рабочем диапазоне длин волн подложке (5), чувствительную область (6) для размещения исследуемого вещества, расположенную с тыльной стороны подложки (5), и электрические контакты (8), (9) и (10), сформированные соответственно на р-слое и на n-слое соответственно первой (1) и второй (3) полупроводниковой структуры.
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощных оптических излучений. Сущность изобретения: способ защиты ОЭС летательных аппаратов (ЛА) от воздействия мощного лазерного излучения заключается в обнаружении и измерении параметров сигналов локационного модуля (ЛЛМ) мощного лазерного средства (МЛС), определении по значениям параметров сигналов ЛЛМ МЛС и текущих значений координат местоположения ОЭС ЛА координат местоположения МЛС, определении по значениям измеренных параметров сигналов лазерного ЛЛМ МЛС класса МЛС и его типовых параметров сигналов силового лазерного модуля (СЛМ), вычислении с использованием значений типовых параметров сигналов СЛМ МЛС, значений измеренных координат местоположения МЛС, значений текущих координат местоположения ОЭС ЛА, значений заданных пространственных параметров формируемого локального аэрозольного образования (ЛАО), значений заданных параметров энергетического ослабления сигналов СЛМ МЛС формируемым ЛАО, значений заданного порогового уровня мощности оптических сигналов на входе ОЭС ЛА, при котором ОЭС ЛА сохраняет свою работоспособность, значений требуемых координат формирования ЛАО, формировании в требуемых координатах от момента времени обнаружения сигналов ЛЛМ МЛС за время ΔtЛАО ЛАО и защите ЛАО ОЭС ЛА от воздействия сигналов СЛМ МЛС, при этом ΔtЛАО<Δt, где Δt - время между моментами излучения сигналов ЛЛМ и СЛМ МЛС, выводе изменениями положения ЛА и ориентации поля зрения ОЭС ЛА из поля зрения ОЭС ЛАО и сохранении просмотра заданного участка подстилающей поверхности.
Изобретение относится к области электротехники и касается гибкого многослойного фотоэлектрического модуля. Модуль состоит из последовательно механически соединенных нижней несущей полимерной пленки, слоя электроизолирующего полимера с встроенными проводниками контактной сетки, гальванического соединения из последовательно-параллельно соединенных фотоэлектрических преобразователей, слоя электроизолирующего полимера с встроенными проводниками контактной сетки и прозрачного верхнего защитного полимерного слоя.
Способ защиты оптико-электронного средства от воздействия мощного импульсного лазерного излучения // 2749872
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощных оптических излучений. Способ основан на пропускании лазерных импульсов через защитный элемент со значением лучевой стойкости меньшим значения минимальной лучевой стойкости элементов ОЭС и защите ОЭС посредством разрушения защитного элемента ОЭС при воздействии последовательности лазерных импульсов.
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн.
Настоящее изобретение относится к многопереходному солнечному элементу в форме стопки с передней стороной, контактирующей с задней стороной, имеющему образующую заднюю сторону этого многопереходного солнечного элемента германиевую подложку, германиевый субэлемент и по меньшей мере два субэлемента из элементов III-V групп, следующие друг за другом в указанном порядке, а также по меньшей мере одно сквозное контактное отверстие, доходящее от передней стороны многопереходного солнечного элемента через субэлементы до задней стороны, и проходящий через это сквозное контактное отверстие металлический замыкающийся контакт, причем это сквозное контактное отверстие имеет сплошную боковую поверхность и овальный контур в поперечном сечении, причем диаметр сквозного контактного отверстия ступенчато уменьшается в направлении от передней стороны к задней стороне многопереходного солнечного элемента, причем передняя сторона германиевого субэлемента образует выступающую внутрь в сквозное контактное отверстие, огибающую его первую ступеньку, имеющую первую глубину выступа ступеньки, и при этом образуется выступающая внутрь в сквозное контактное отверстие, огибающая его вторая ступенька, имеющая вторую глубину выступа ступеньки, от области германиевого субэлемента, расположенной ниже р-n перехода этого германиевого субэлемента.
Способ разъединения полупроводниковой пластины, включающей несколько стопок солнечных элементов // 2747424
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. Согласно изобретению предложен способ разъединения полупроводниковой пластины, включающей несколько стопок солнечных элементов, вдоль по меньшей мере одной разделительной линии, который включает по меньшей мере следующие стадии: предоставление полупроводниковой пластины с верхней стороной, нижней стороной, слоем адгезива, неразъемно соединенным с верхней стороной, и покровным стеклянным слоем, неразъемно соединенным со слоем адгезива, причем полупроводниковая пластина включает несколько стопок солнечных элементов, каждая из которых имеет германиевую подложку, образующую нижнюю сторону полупроводниковой пластины, германиевый частичный элемент и по меньшей мере два частичных элемента из элементов III-V групп; выполнение посредством лазерной абляции вдоль разделительной линии разделительной канавки, проходящей от нижней стороны полупроводниковой пластины насквозь через полупроводниковую пластину и слой адгезива по меньшей мере до примыкающей к слою адгезива нижней стороны покровного стеклянного слоя, и разделение покровного стеклянного слоя вдоль разделительной канавки.
Тонкопленочный фотоэлектрический модуль // 2745694
Предлагается фотоэлектрический модуль с несколькими тонкопленочными (2) фотоэлектрическими элементами. Каждый тонкопленочный фотоэлектрический элемент (2) имеет прозрачный электрод (12), обеспеченный на прозрачной подложке (11), пакет (13) солнечных элементов, расположенных на прозрачном электроде (12), и верхний электрод (14), расположенный на пакете (13) солнечных элементов.
Изобретение относится к композиции краски для впечатывания, пригодной для впечатывания в структурированную поверхность эластомерного штампа. Композиция краски для впечатывания содержит наночастицы оксида переходного металла.
Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к фотоэлектрическим модулям, встраиваемым в конструкционные элементы зданий и сооружений и служащим для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию для электроснабжения зданий в автономном режиме или параллельном с существующей электрической сетью.
Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6) панелей (7) из линз (8) Френеля и с фотоэлектрическими преобразователями (9), размещенными в фокусах линз (8) Френеля.
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фото детекторов и солнечных элементов.
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фотодетекторов и солнечных элементов.
Настоящее изобретение относится к области оптического обнаружения и, в частности, обнаружения световых пятен, отражаемых или излучаемых объектами, с целью позиционирования объектов в трехмерном пространстве.
Устройство фотовольтаики // 2728247
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу увеличения эффективности захвата излучения солнечной батареей на длинах волн 440±10 нм и в диапазоне от 900 до 1700 нм.
Заявленная группа изобретений относится к изготовлению устройств детектирования изображения. Заявленный рентгеновский детектор содержит корпус и расположенные в нем матрицу фоточувствительных элементов, состоящую, по меньшей мере, из четырех фрагментов, расположенных с зазорами относительно друг друга с образованием общей фоточувствительной поверхности.
Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения.
Изобретение относится к области получения изображений и касается способа повышения разрешения изображения, получаемого с помощью матричного фотоприемника. Способ основан на приеме оптического излучения фоточувствительными элементами матричного фотоприемника с попеременным перекрытием части фоточувствительной поверхности матричного фотоприемника и использовании алгоритма расчета получившихся субпикселей, заключающегося в 3-тактовом действии.
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Фотопреобразователь с увеличенной фотоактивной площадью включает полупроводниковую пластину, на лицевой стороне которой имеются полосковые контакты гребенчатой формы, контактные площадки, а на тыльной стороне – сплошной контакт.
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) и касается способа защиты ОЭС от мощного лазерного излучения. Способ заключается в приеме оптического излучения оптико-электронным средством и пропускании оптического излучения через защитный элемент, установленный перед элементом из состава оптико-электронного средства, имеющим минимальные значения лучевой стойкости и времени разрушения под воздействием оптического излучения.
Детектор лазерного излучения ик-диапазона // 2709413
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается детектора лазерного излучения в ИК-диапазоне. Детектор содержит размещенный в корпусе и закреплённый в кристаллодержателе приемный элемент на основе полупроводникового монокристалла р-типа, электрически соединённые омические контакты, расположенные на противоположных концах приемного элемента, высокочастотный разъём, электрически соединенный с регистрирующим прибором, и переключатель изменения рабочей длины приемного элемента, электрически соединенный с высокочастотным разъёмом.
Многоэлементный фотоприемник // 2703497
Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают с уменьшенными механическими напряжениями последовательным вакуумным напылением кремния методом электронно-лучевого испарения со скоростью осаждения 0,08 нм/с и слоя фторида иттрия методом резистивного испарения со скоростью осаждения 0,7 нм/с.
Изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочных солнечных батарей и может найти применение при создании солнечных батарей с гетеропереходом CdTe/CdS. Способ низкотемпературной активации пленок теллурида кадмия включает два этапа: на первом этапе на пленку теллурида кадмия напыляют активаторы, а на втором проводят ее отжиг.
Металлооксидный солнечный элемент // 2698533
Изобретение относится к области солнечной фотоэнергетики, в частности к устройствам для прямого преобразования солнечной энергии. Предложен металлооксидный солнечный элемент на основе наноструктурированных слоев металлооксида, сенсибилизированного поглощающей свет субстанцией, включающий проводящий слой из оксида олова, допированного фтором или индием, и противоэлектрод, при этом в качестве поглощающей свет субстанции он содержит органический краситель или квантовые точки, а противоэлектрод выполнен в виде пленки из композитного материала на основе графена и наночастиц редкоземельного элемента, нанесенной на проводящее покрытие из оксида олова, допированного фтором или индием.
Устройство солнечных элементов с батареей тонкопленочных солнечных элементов на подложке (5) выполнено так, что каждый солнечный элемент сформирован слоями, представляющими собой нижний электрод (6), фотоактивный слой (7), верхний электрод (8) и изолирующий слой (9).
Изобретение относится к области электротехники, лазерной техники и дистанционного энергоснабжения. Устройство для генерирования и беспроводной передачи многофазной системы напряжений посредством лазеров включает: блок управления; блоки генерирования и инжектирования информационных импульсов силового светового потока и информационных импульсов светового потока лазерной частоты для фаз А, В, С; среду беспроводной передачи силового и информационного лазерного излучения; приемник импульсов силового светового потока лазерной частоты; приемник импульсов информационного светового потока лазерной частоты для фаз А, В, С; схему формирования периодического электрического выходного сигнала промышленной частоты для фаз А, В, С, который может содержать участки с положительными и отрицательными значениями.
Импульсное фотоприемное устройство // 2694463
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается импульсного фотоприемного устройства. Устройство включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
Приемник лазерных импульсов // 2692830
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается приемника лазерных импульсов. Приемник включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
Устройство для беспроводной передачи периодических электромагнитных колебаний промышленной частоты посредством лазеров включает: блок управления; блок генерирования и инжектирования импульсов силового светового потока лазерной частоты; блок генерирования и инжектирования информационных импульсов светового потока лазерной частоты; среду беспроводной передачи силового и информационного лазерного излучения; приемник импульсов силового светового потока лазерной частоты; приемник импульсов информационного светового потока лазерной частоты; схему формирования периодического электрического выходного сигнала промышленной частоты, который может содержать участки с положительными и отрицательными значениями, например, сигнал синусоидальной формы.
Приемник оптического излучения // 2690718
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается приемника оптического излучения. Приемник включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор.
Изобретение относится к печатной плате, содержащей проводящую дорожку, имеющую выемку, в которой расположен имплантат с левым, правым, нижним и верхним краем, служащий для измерения проходящего в проводящей дорожке тока.
Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике. Алюминиевая паста для изготовления тыльного контакта кремниевых солнечных элементов c тыльной диэлектрической пассивацией включает порошок алюминия, органическое связующее, порошок стекла, причем паста дополнительно содержит одно или смесь металлоорганических соединений щелочноземельных металлов, при следующем соотношении компонентов, масс.
Фотоприемное устройство с затвором // 2688947
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается фотоприемного устройства с затвором. Фотоприемное устройство включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
Фотоприемное устройство // 2688907
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается фотоприемного устройства. Фотоприемное устройство включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
Приемник оптических импульсов // 2688906
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается приемника оптических импульсов. Приемник включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
Приемник оптических сигналов // 2688904
Изобретение относится к области приема оптического излучения и касается приемника оптических сигналов. Приемник включает в себя фоточувствительный элемент, схему обработки сигнала и оптический затвор, установленный перед фоточувствительным элементом.
