Структура или форма активной зоны и материалы для нее (H01S5/30)
H Электричество(232322)
H01S Устройства со стимулированным излучением(2374)
H01S5 Полупроводниковые лазеры(186)
H01S5/30 Структура или форма активной зоны; материалы для нее(16)
Изобретение относится к светоизлучающему полупроводниковому устройству (100), содержащему подложку (120), светоизлучающую слоистую структуру (155) и геттерный слой (190) из AlGaAs для снижения содержания примесей в светоизлучающей слоистой структуре (155), причем светоизлучающая слоистая структура (155) содержит активный слой (140) и слои с различным содержанием алюминия, причем условия роста слоев светоизлучающей слоистой структуры (155), содержащей алюминий, различаются по сравнению с условиями роста геттерного слоя (190) AlGaAs.
Способ создания светоизлучающего элемента // 2488920
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Способ создания светоизлучающего элемента // 2488919
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Способ создания светоизлучающего элемента // 2488918
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Способ создания светоизлучающего элемента // 2488917
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Способ создания светоизлучающего элемента // 2485632
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Способ создания светоизлучающего элемента // 2485631
Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. .
Инжекционный лазер // 2308795
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. .
Полупроводниковый инжекционный лазер // 2301486
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. .
Изобретение относится к оптическим усилителям поверхностного типа, используемым в качестве поверхностного излучающего свет лазера и так далее, когда резонатор размещен с внешней стороны усилителя, и способу их изготовления.
Генератор оптических импульсов // 1416016
