С pn переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S5/32)
H01S5/32 С pn переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры ( H01S5/34 имеет преимущество)(49)
Изобретение относится к полупроводниковой технике, к планарным лазерным гетероструктурам. Лазерная гетероструктура раздельного ограничения, выращенная на подложке GaAs n-проводимости, включает квантово-размерную активную область, волноводные слои, выполненные из твердого раствора AlxGa1-xAs, эмиттерные слои n-проводимости и p-проводимости, примыкающие к волноводным слоям и выполненные из твердого раствора Alx⋅Ga1-x⋅As.
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей, а именно к креплению полупроводникового прибора на опоре для сборки и пайки матриц лазерных диодов.
Настоящее изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее к импульсным инжекционным источникам лазерного излучения. Лазер-тиристор, включающий подложку n-типа проводимости и имеющуюся на ней гетероструктуру, содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2) и по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа проводимости (5) и по меньшей мере один широкозонный слой р-типа проводимости (6), по меньшей мере один из которых одновременно является слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою (3) катодной области (1), включающую по меньшей мере один слой р-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую по меньшей мере активную область (13), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный первой естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и второй естественно сколотой гранью (15) с нанесенным отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа проводимости (5), и, формирующий область инжекции через активную область (13), второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа проводимости, область инжекции (21) под первым омическим контактом (16) заключена между первой (22) и второй (23) пассивными областями.
Изобретение относится к лазерной технике. Импульсный лазерный полупроводниковый излучатель содержит герметичный корпус с выводами и крышку с прозрачным окном для вывода излучения решеток лазерных диодов, установленных на плоскости основания внутри корпуса равномерно по окружности.
Импульсный инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую асимметричный многомодовый волновод, ограничительные слои (3), (8) которого одновременно являются эмиттерами n- и р-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область (6), состоящую, по меньшей мере, из одного квантово-размерного активного слоя, оптические грани (11), (13), омические контакты (2), (10) и оптический резонатор, образованный оптическими гранями (11), (13).
Изобретение относится к светоизлучающему полупроводниковому устройству (100), содержащему подложку (120), светоизлучающую слоистую структуру (155) и геттерный слой (190) из AlGaAs для снижения содержания примесей в светоизлучающей слоистой структуре (155), причем светоизлучающая слоистая структура (155) содержит активный слой (140) и слои с различным содержанием алюминия, причем условия роста слоев светоизлучающей слоистой структуры (155), содержащей алюминий, различаются по сравнению с условиями роста геттерного слоя (190) AlGaAs.
Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых излучающих приборов, для изготовления меза-структуры полосковых лазеров. Сущность изобретения: способ включает формирование омического контакта к приконтактному слою p-типа проводимости лазерной гетероструктуры методом взрывной фотолитографии, усиление омического контакта локальным гальваническим осаждением, формирование меза-структуры полоскового лазера плазмохимическим травлением, вжигание омического контакта быстрым термическим отжигом.
Использование: для получения диодных лазеров с малой расходимостью излучения, выполненных на основе полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямами. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает возбуждение носителей по крайней мере в одной квантовой яме в активной области, заключенной в гетероструктуре между ограничительными слоями, сформированными на подложке в виде p-i-n или p-n-перехода, и генерацию излучения при увеличенной апертуре его выхода, в котором для расширения упомянутой апертуры в направлении, нормальном к плоскости гетероструктуры, и излучения при этом параллельно указанной плоскости обеспечивают частичный выход генерируемой фундаментальной моды в подложку за счет подбора достаточно тонкого ограничительного слоя со стороны подложки и управления превышением эффективного показателя преломления генерируемой фундаментальной моды над показателем преломления подложки на величину, не превышающую 0,0011.
Использование: для полупроводниковых инжекционных лазеров. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер на основе полупроводниковой гетероструктуры раздельного ограничения, включающей многомодовый волновод, первый и второй широкозонные ограничительные слои, являющиеся одновременно соответственно эмиттерами р- и n-типа проводимости и расположенные по разные стороны от многомодового волновода, активную область, расположенную в многомодовом волноводе и состоящую, по меньшей мере, из одного квантоворазмерного активного слоя, омические контакты и оптический резонатор, между многомодовым волноводом и одним из первого и второго широкозонных ограничительных слоев введены первый одномодовый волновод и первый дополнительный широкозонный ограничительный слой, при этом первый дополнительный широкозонный ограничительный слой расположен между многомодовым волноводом и первым одномодовым волноводом, фактор оптического ограничения для активной области одной собственной m-моды (m - целое положительное число) многомодового волновода удовлетворяет представленному соотношению, а толщина Р1, нм, первого дополнительного широкозонного ограничительного слоя, эффективный показатель преломления Nd собственной моды первого одномодового волновода и минимальное значение ns эффективного показателя преломления собственных мод многомодового волновода удовлетворяют также представленным соотношениям.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении спазеров, плазмонных нанолазеров, при флуоресцентном анализе нуклеиновых кислот, высокочувствительном обнаружении ДНК, фотометрическом определении метиламина.
Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры, подводящие ток электроды и гибкие электрические проводники, при этом подводящие ток электроды расположены параллельно оси резонатора лазерного кристалла, а гибкие электрические проводники соединяют подложку гетероструктуры непосредственно с электродами одной полярности.
Данный нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент обеспечивается: базовой секцией структуры, которая включает в себя сапфировую подложку (0001) и слой AlN, сформированный на подложке; и секцией структуры светоизлучающего элемента, которая включает в себя слой покрытия n-типа полупроводникового слоя AlGaN n-типа, активный слой, имеющий полупроводниковый слой AlGaN, и слой покрытия p-типа полупроводникового слоя AlGaN p-типа, при этом упомянутый слой покрытия n-типа, активный слой и слой покрытия p-типа сформированы на базовой секции структуры.
Изобретение относится к квантовой электронике. Инжекционный лазер с модулированным излучением на основе гетероструктуры содержит секцию (1), секцию (2) управления, элемент (3), обеспечивающий электрическую изоляцию первого омического контакта (4) секции (1) усиления от второго омического контакта (5) секции 2 управления, элемент (6), обеспечивающий оптическую связь секции (1) усиления и секции (2) управления, оптический резонатор для ФПМ и оптический резонатор для ЗМ.
Изобретение относится к квантовой электронике. Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и включающую волноводный слой с активной областью, сформированный p-i-n-переход, контактный слой и ограничительные слои, показатели преломления последних меньше показателей преломления подложки и других слоев, контактный слой и смежный с ним ограничительный слой легированы акцепторами, а подложка и другой ограничительный слой легированы донорами.
Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем преломления активной квантовой ямы либо с показателями преломления активных квантовых ям, превышающих показатели преломления окружающих слоев полупроводника.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .
Изобретение относится к резонаторам полупроводниковых лазеров с лучеиспускающей поверхностью на основе гетероструктур. .
Изобретение относится к области квантовой электронной техники и интегральной оптоэлектроники, а более конкретно - к интегральным инжекционным лазерам. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур.
Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано для систем оптической (диодной) накачки твердотельных и газовых лазеров, инфракрасной подсветки целей, контроля и управления летательными аппаратами, беспроводной оптической связи в свободном пространстве, обработки материалов, в медицине и т.д.
Изобретение относится к полупроводниковой, оптоэлектронной технологии, квантовой электронике. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к полупроводниковым лазерам. .
Изобретение относится к устройству полупроводниковых инжекционных лазеров и технологии их изготовления и может быть использовано для создания лазерных матриц многоканальных оптоволоконных интерфейсов. .
Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. .
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным и компактным полупроводниковым инжекционным излучателям, в том числе светодиодам. .
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых лазеров. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее - к полупроводниковым лазерам, которые могут быть использованы, например, в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров.
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к гетероструктуре на основе полупроводниковых соединений для полупроводниковых инжекционных источников излучения. .
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к инжекционному лазеру с узкой диаграммой направленности вытекающего излучения. .
Изобретение относится к области электронной техники. .
Изобретение относится к лазерной технике. .
Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления, генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных уровнях мощности и температуре, а также для приема и генерирования видимого и ультрафиолетового диапазона длин волн.
Изобретение относится к способам, обеспечивающим регулирование полосы лазерной модуляции эффективных высокомощных полупроводниковых инжекционных лазеров, в том числе с одномодовым, одночастотным излучением.
Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур. .
Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. .
Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. .
Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. .
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. .
Изобретение относится к области технической физики. .