Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью

Авторы патента:

H01L27/04 - с подложкой из полупроводника

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее подложку с входной областью, слой диэлектрика с расположенными на нем входным затвором, затвором накопления, затвором переноса, а также последовательно расположенные и связанные зарядовой связью первую стоковую область, первый затвор, вторую стоковую область, второй затвор, который электрически связан с входным затвором и второй стоковой областью, и шину опорного потенциала, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит шину управления и МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной опорного потенциала, затвор - с шиной управления, а исток - с входной областью, при этом второй затвор связан зарядовой связью с затвором накопления.

Изобретение относится к технической физике, в частности к приборам с зарядовой связью (ПЗС), к их считывающим устройствам, служащим для преобразования зарядового сигнала в выходной сигнал электрического напряжения

Матричный фотоприемник на приборах с зарядовой связью // 993778

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным фотоэлектрическим преобразователям на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС), и может быть использовано в телевизионных системах для обработки оптической информации

Полупроводниковое устройство // 921387

Инжекционная полупроводниковая структура // 847841

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием

Устройство для защиты // 830987

Полупроводниковая интегральная схема // 820546

Интегральная структура // 740077

Интегральная схема генератора стабильного тока // 673086

Полупроводниковое устройство // 638289

Интегральная логическая схема // 633395

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Полупроводниковое запоминающее устройство и способ его изготовления // 2127928

Интегральная схема // 2133067

Линия передачи // 2168813

Изобретение относится к электронной технике и микроэлектронике, а именно к линиям передачи

Интегральная транзисторная mos структура // 2207662

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным транзисторным структурам типа MOS

Ячейка памяти динамического запоминающего устройства // 2216795

Изобретение относится к наноэлектронике

Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты) // 2216818

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур

Интегральный логический элемент "или-не" на квантовых эффектах // 2278445

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС

Интегральный логический элемент или на квантовых эффектах // 2279155

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС

Полупроводниковая структура // 2302057

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники