Интегральная схема

 

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая общую область п-типа расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждой из коП6 . / / торых расположено по одной области и контакту Шоттки, и пяту1о р-об..: ласть с расположенными в ней n-областью и двумя контактами Шоттки, каждый из которых соединен с одним из входов интегральной схемы и с одним из контактов Шоттки в первой и второй р-областях, п -области которых соедине .ны с контактом Шоттки третьей р-области, п -область, которой соединена с п -облаотью пятой р-области и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральной схемы соединен , с n-областью четвертой р-области , отлича,ющаяся тем, что, с целью расширения функциональр ных возможностей схема содержит в пя- Ъ той р-области дополнительную . ласть, соединенную с контактом Шоттк четвертой р-области. О 14 }S оо со да со ff

СОЮЗ COBETCHHX

СОЯ4АЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

369) H 014 27/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕКНЫЙ КОМИТЕТ ССОР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2831315/18-25 (22)05.10.79 (46) 23 ° 08.83. Бюл. Р 31 (72)Г. И. Фурсин (71)Московский ордена Трудового Красного Знамени физико-технический институт (53)621.375.4(088.8) (56)1. Фурсин Г. И. Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Таганрог,- ТРТИ, Р 4, 1978, c. 76-78.

2. Аваев Н. A. и др. Большие ин-. тегральные схемы с инжекционным питанием. М., "Советское радио", 1977, с. 174 (прототип). (54)(57) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая. общую область п-типа расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в. каждой из ко„„Я0„„1037363 А торых расположено по одной п - обл сти и KQHтаКту Шоттки, и пятуЮ р-обл-.: астьь с расположеннйми в ней п+-областью и двумя контактами Шоттки, каждый из которых соединен с одним из входов интегральной схемы и с одним из контактов Шоттки в первой и второй р-областях, п -области которых сое-(» динены с контактом Шоттки третьей р-области, п -область. которой соеди+ иена с и+-областью пятой р-области и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральйой схемы сое" динен.с и+-областью четвертой р-области, о т л и ч а,ю щ а я с я тем, что, с целью расширения функциональ- ных возможностей схема содержит в ня-Е той р-области дополнительную п"-об"-. ласть, соединенную с контактом Шоттк четвертой р-области.

1037363

Тираж 703 Подписное

ВНИИПИ Заказ 6022/56

Филиал ППП "Патент", г.ужгород,ул.Проектная,4

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС на .основе логически . схем с инжекционным питанием И Л

Известны интегральные схемы на основе И Л, содержащие один вход и .несколько выходов 1).

Недостатком данных устройств является большое число вентилей и, как. следствие, значительная площадь, занимаемая интегральными схемами в составе БИС

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является интеграль- 15 ная схема, включающая общую область п-типа, расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждой из которых расположено по одной п+-области и контакту Шоттки,, gg и пятую р-область с расположенным в ней п+-областью и двумя контактами

Шоттки, каждый из которых соединен с одним иэ.входов интегральной схемы .и с одним иэ контактов Шоттки в 25 первой и второй р-областях,п -области которых соединены с контактом Шоттки третьей р-области,п -область которой соединена с п+-областью пятой р-области, и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральной схемы соединен с и -областью четвертой р-области f 23.

Недостатком известного технического решения являются малые функциональные возможности.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей интегральной схемы.

Поставленная цель достигается тем, что интегральная схема, включающая общую область п-типа, расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждоЯ из которых расположено по одной п+-области и контакту Шоттки, и пятую р-область 45 с расположенными в ней п+-областью и двумя контактами Шоттки, каждый из которых соединен с одним иэ входов интегральной схемы и с одним иэ контактов Шоттки в первой и второй 5О р-областях, гг -области которых соединены с контактом Шоттки третьей р-области, и -область которой соединена с n+-областью пятой р-области и первым выходом интегральной схемй, второй выход интегральной схемы соединен с п+-областью четвертой р-области, содержит в пятой р-области дополнительную и"-область, соединенную с контактом .Шоттки четвертой р-области.

На чертеже показана функциональнотопологическая схема интегральной схемы.

Схема содержит р-области 1-4, в каждой., иэ которых расположены по одному контакту Шоттки 5-8 и по одной п+-области 9-12. Схема содержит также пятую р-область 13 с расположенной в ней п+-областью 14. и двумя контактами Шоттки 15 и 16, каждый из которых соединен с одним из входов

17 и 18 схемы и одним из контактов

Шоттки 5 и 6 в р-областях 1 и 2, п"— области 9 и 10 которых соединены с контактом 7 р-области 3, п+-область 11 которой соединена с и+-областью 14 р-области 13 и с первым выходом 19 схемы. Второй выход 20 схемы соединен с п+-областью 1.2 р-области 4.. В р-области 13 выполнена дополнительная п+-область 21, соединенная с контактом Шоттки 8 р-области 4. Все р-области 1-4 и 13 расположены в общей для всей интегральной схемы п-области 22, в кото- . рой располагается также обычный полосковый, самосовмещенный или под- . ложечный инжектор.

Интегральная схема работает следующим образом.

При подаче. на ее входы 17 и 18 одинаковых сигналов на выходе 19 формируется логический "0", при подаче на упомянутые входы противоположных сигналов на выходе,19 формируется логическая "1". На выходе 20 логическая "1" .появляется лишь при поступлении логических "1". на оба входа 17 и 18.

Таким образом, введение дополнительной п+-области 21 и соединение ее с контактом Шоттки 8 р-области 4 позволяет реализовать функцию переноса и испольэовать предложенную интегральную схему в качестве полусумматора, что расширяет ее функциональные возможности по сравнению с известным техническим решением.

Число базовых р-областей в этом устройстве (равное числу эквивалентных многовходовых вентилей И-НЕ либо одинаковых повторителей) составляет 5 и является минимально возможным, как и число контактных окон (всего 12).

Интегральная схема Интегральная схема 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технической физике, в частности к приборам с зарядовой связью (ПЗС), к их считывающим устройствам, служащим для преобразования зарядового сигнала в выходной сигнал электрического напряжения

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным фотоэлектрическим преобразователям на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС), и может быть использовано в телевизионных системах для обработки оптической информации

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к электронной технике и микроэлектронике, а именно к линиям передачи

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным транзисторным структурам типа MOS

Изобретение относится к наноэлектронике

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным логическим элементам СБИС

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники
Наверх