Устройство для получения отрицательных сопротивлений

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНЬК СОПРОТИВЛЕНИЙ по авт. св. № 425304, о т л и. ч а ю щ е ее я тем, что, с целью расширения пределов регулировки отрицательных сопротивлений, в. него введены дополнительные транзистор и ре- , зистор, при этом база дополнительного транзистора соединена с коллектором бигголярного транзистора, эмиттер - с базой биполярного транзистора , а .коллектор через дополнительный резистор - с общей шиной.

„„SU„„1042165 А

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

9Ш Н 03 К 3/28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ Т, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ " ::- - .:

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 425304 (21 ) 298.2897/18-09 (22) 18.09.80 (46) 15.09.83. Бюл. Р 34. (72) -И.И.Обод (53) 621.373.5 (088.8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР

9 425304, кл. Н 03 К 3/28, 1972 (прототип). (54)(57) УСТРОЙСТВО дЛя ПОЛуЧЕНИя

ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ . по авт. св. Р 425304, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, . что, с целью расширения пределов регулировки отрицательных сопротивлений, в него введены дополнительные транзистор и резистор, при этом база дополнительного транзистора соединена с коллектором биполярного транзистора, эмиттер — с базой биполярного транзистора, а .коллектор через дополнительный резистор - с общей шиной.

1>

4:ь

Ю

©)

СЛ

1042165 (( йыкл см нас 3 к+ r +R +r

35 кэ 5 бэ где R — сопротивление резистора 3;

R> . — сопротивление резистора 5;

r — сопротивление участка

Кэ эмиттер — коллектор насыщенного дополнительного транзистора б;

r - сопротивление участка ба.бэ за — эмиттер включенного и насыщенного биполярного транзистора 2;

r — сопротивление канала вклюк чен ного поле в ого т ран з истора 1;

3 ас ток насыщения биполярного нас транзистора 2.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для получения отрицательных сопротивлений.

По основному авт. св. Р 425304 известно устройство для получения 5 отрицательных сопротивлений, содержащее полевой транзистор с. диффузионным затвором ь типа, сток кото- рого через первый резистор подключен к положительному полюсу источника смещения, и биполярный транзистор и†p --n типа, коллектор которого через второй резистор подключен к положительному полюсу источника напряжения питания, а эмиттер соединен с.общим выводом источников, база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора, затвор которого подключен к общей точке соединения второго резистора и коллектора биполярного транзистора (1 ).

Однако известное устройство имеет недостаточный диапазон пределов регулировки.

Цель изобретения — расширение пре-. делов регулировки отрицательных сопротивлений.

Для достижения цели в устройство для получения отрицательных сопротивлений, содержащее полевой траизистор то с диффузионным затвором и типа, сток которого через первый резистор под-. ключен к положительному полюсу источника напряжения смещения, и биполярный транзистор и- р -tl типа, коллектор которого через второй резистор подключен к положительному полюсу источника напряжения питания, а эмиттер соединен с общим выводом источников, база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора, затвор которого подключен к общей точке соединения второго резистора.и коллектора биполярного транзистора, введены дополнительные транзистор и резистор, при этом база дополнительного транзистора соединена с коллектором„биполярного транзистора, эмиттер — с базой биполярного транзистора,,а коллектОр через дополнительный резистор с общей шиной.

На чертеже приведена электрическая принципиальная схема предложенного устройства.

Устройство для получения отрица- 55 тельных сопротивлений содержит полевой транзистор.1:с диффузионным затвором и типа, биполярный транзистор 2 и-р-и типа, первый и второй ре- . зисторы 3 и 4,дополнительный резистор 6O

5 и дополнительный транзистор 6.

Устройство работает следующим образом.

ВНЙИПИ Заказ 7146 56

Филиал ППП "Патент", r. Ужг

В исходном состоянии напряжение на входной шине Е таково, что полевой транзистор 1 и биполярный тран-. зистор 2 заперты. Вследствие этого заперт и дополнительный транзистор

6.По мере возрастания напряжения смещения в определенный момент времени, когда напряжение между затвором и стоком полевого транзистора 1 равно напряжению отсечки, полевой транзистор 1 начинает отпираться. Это ведет к,отпиранию биполярного транзистора 2. Напряжение на еro коллекторе, к которому подключен затвор полевого транзистора 1, начинает падать, что ведет к дальнейшему отпиранию полевого транзистора 1. Развивается лавинообразный процесс отпирания полевого транзистора 1 и биполярного транзистора 2, и на вольтамперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Отпирание биполярного транзистора 2 приводит к отпиранию и насыщению дополнительного транзистора б.

Это приводит к тому,что часть тока базы биполярного транзистора 2 отбирается в цепь эмиттер — коллектор дополнительных транзистора б и резистора 5. . В результате выключение полевого транзистора 1 и биполярного транзистора 2 произойдет при напряжении на входной шине

Таким образом, анализ неравенства показывает, что изменение напряжения .выключения устройства может управляться и изменением сопротивления дополнительного резистора, что существенно отличает предложенное устройство от прототипа, кроме того, оно характеризуется большим диапазоном изменения наклона вольт-амперной .характеристики путем изменения сопро- тивления того же резистора, что позволяет управлять-величиной отрицатель-. ного дифференциального сопротивления в больших пределах.

Тираж 936 Подписное, ород, ул. Проектная, 4