Недостатком известного резистивного материала является большая величина температурного коэффициента сопротивления (до 549 ° 10 6 1 C) и низкая (до ЗЪ) стабильность сопротивления при повышенной влажности.

Цель изобретения вЂ” снижение величины температурного коэффициента со-i

25 Порошкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись меди тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки.

Таблетки помещают в корундовый ти30 гель и проводят синтез в муфельной

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов.

Известен.резистивный материал (1) содержащий мас.Ъ: гидрооксихлорида рутения 2,2-19,25, свинцовоборосиликатного стекла 57,7-74,7 и органической связки 20,1-26,05.

Недостатком известного материала является узкая область сопротивлений толстопленочных резисторов на его основе (10-300 OM/кВ) и высокие значения температурного коэффициента сопротивления (TKC) (до 500 ° 10 1 С)

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал (2), содержащий мас.Ъ: двуокись рутения 0,7-20, окись свинца 70-82 и двуокись кремния 9-23. противления и повышение стабильности резисторов при повышенной влажности.

Поставленная цель достигается тем, что известный материал, содержащий окись свинца, двуокись кремния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонен1О

Окись свинца . 70-80

Двуокись кремния 10-25

Двуокись рутения 3-10

Окись меди 0,5-10

Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 кОм до

1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98%) не более .+1% и ТКС вЂ” не более 100 ° 10 в 1/ С.

834781

Температурный коэффициент сопротивления

1/ С 10 (при

25-125 С) Состав, мас.Ъ

Сопротивление„

Ом/кВ

Стабильность, о

Pb0 Ки0 Си0

SiO

Предлагаемый

80 3 0,5

+0,2

+0,18

17,0

1000000

70,2 4,2 0,6

176000

+0,85

10, 70 10 10

Известный

15,0 74,0 11,0

5000

510

+1,5

263600

Окись свинца 70-80

Двуокись кремния 10-25

Двуокись рутения 3-10

Окись меди 0,5-10. Формула изобретения

Составитель H. Кондратов

Техред Ж. Кастелевич Корректор В. Синицкая

Редактор Н.Кешеля

Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 печи при 950-.990 С в течение О, 510-ти ч.

Синтезированный материал измельчают в планетарной мельнице в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с органическим связующим, наносят на подложки из керамики и выжигают в конвейерной печи при 800-850 С.

Готовят три состава предлагаемого резистивного материала .с различным содержанием исходных компонентов.

Электрофизические -характеристики поРезистивный материал, содержащий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, о т л и ч а ювЂ” шийся тем, что, с целью снижения величины температурного коэффициента сопротивления и повышения стабильности резисторов при повышенной влажности, он дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: лученных резисторов в зависимости от содержания исходных компонентов в резистивном материале приведены в таблице.

И з т аблицы очевидно, чт о. в ел ичи н а температурного коэффициента сопротивления резисторов, изготовленных из резистивного материала, предлагаемого состава в 5-5,5 раз ниже величины температурного коэффициента сопротивления резисторов, изготовлен-, ных из известного резистивного ма-. териала, а стабильность параметров в 2-7 раз выше по сравнению с известными толстопленочными резисторами.

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 491161, кл. H 01 С 7/00, 05.11.75, 2. Патент CIJA Р 3951672, кл. 106-53-78 (прототип).

Похожие патенты:

Тонкопленочный резистор // 809411

Резистивный материал // 790027

Резисторный электронагреватель // 671677

Токопроводящий материал для пленочных электронагревателей // 577700

Резистивный материал // 518806

Токопроводящий материал // 434487

Патент 416767 // 416767

Резистивный материал // 392556

Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов на основе никеля // 385326

Электропроводящая композиция // 372582

Термостабильная тонкопленочная микросхема // 2129741

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства

Способ изготовления многослойных тонкопленочных резисторов // 2145744

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Сегнетоэлектрический планарный конденсатор // 2271046

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии

Способ определения величины температурного коэффициента сопротивления резистивной пленки // 1061179

Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния // 1598726

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве прецизионных тонкопленочных резисторов

Аморфный сплав для тонкопленочных резисторов и способ его получения // 1636466

Изобретение относится к разработке прецизионных сплавов со специальными электрическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Аморфный сплав для тонкопленочных резисторов и способ его получения // 1654361

Изобретение относится к металлчргии а именно к разработке прецизионных сплавов со специальными электрофизическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления // 2531381

Группа изобретений относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов. Техническим результатом является обеспечение высокой температурной стабильности сопротивления, повышение максимально допустимой температуры резистора (до +260°C) и рабочего импульсного напряжении в 2÷2,5 раза (до 5000 В). В резистивном элементе обеспечивается содержание атомов платины, выбранной в качестве создающей глубокие уровни захвата в запрещенной зоне кремния примеси, с концентрацией в интервале от 2,5·1013 см-3 для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρp0=150 Ом·см до 9·1014 см-3 для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см, а в предлагаемом способе изготовления мощного полупроводникового резистора проводят диффузию атомами платины при температуре в интервале от 870°C для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρр0=150 Ом·см до 1190°C для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.