Тонкопленочный резистор

 

CoIo3 СОветсних

Соцмалмстичесних

Раслубллк

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТВЛЬСТВУ

4i

4 (61) Дополнительное к ввт. саид-ву (22) Заявлено 020379 (21) 2733570/18-21 с присоединением заявим Но (23) Приоритет

Опубликовано 28,02,81. бюллетень МЯ 8

Дата опубликования описания 07 . 03. 81

Р )М. Кл.

Н 01 С 7/06

Государственный комитет

СССР яо делам изобретений н открытий (53) УДК 621 316 ,849(088.8) (72) Авторы изобретения

А.С.Беляков, В.И.Головин, А.Б.Смирнов и Н.Ю,Юсифов " " !

1Ьм (71) Заявитель (54) ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к области электронной техники, а именно, к тонкопленочным резисторам для интегральных микросхем, особенно терМостойких.

Известны тонкопленочные резисто- ры, содержащие диэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности пленочным резистивньм элементом в виде полосы, концы которого контактируют с пленочными выводами

T1) .

Однако такие резисторы быстро выходят из строя вследствие разрушения материалов резистивного элемента и выводов в зоне контакта, вызываемого процессами электромиграции и электродиффузии, скорость которых увеличивается в ростом плотности тока, протекающего через резистор» а также при повышении рабочей температуры резистора, надежность и термостабильность таких резисторов невелика.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является тонкопленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности пленочным резистивным элементом, имеющим расширение на одном из концов, контактирующих с соответствующими им по ширине пленочными выводами.. Этот резистор рассчитан на работу на постоянном токе, поэтому расширение имеет только один (положительный) конец резистора, причем это расширение может быть прямоугольной, треугольной формы или s виде кругового сектора.

Любой вид расширения снижает плотность тока в зоне контакта (2).

Недостатком резистора является то, что упомянутые выше формы не обеспечивают равномерного распределения плотности тока вдоль кромки вывода, которая граничит с расширением и является наиболее критичной частью резистора, В результате уменьшения интенсивности процессов электромиграции и электродиффуэии надежность и термостабильность известного резистора не достаточно высоки. Увеличивая площадь расширения, можно добиться дальнейшего уменьшения скорости разрушения материалов резистивного элемента и выводов в зоне контакта, однако это противоречит требованиям микроминиатюризации.

Цель изобретения — повышение надежности и термостабильности резис30 тора.

809411

Формула изобретения фи а. 1

Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.

На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид; на фиг. 2 — вид сверху; на фиг. 3 — разрез A-A.

Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка вывода, 20 граничащая с расширенным концом, имеет форму дуги эллипса 5, утолщение б резистивного элемента в зоне контакта 7.

Если резистор рассчитан на рабо- 25 ту на постоянном токе, он имеет один расширенный (положительный) конец резистивного элемента, при работе на переменном токе расширенные оба конца резистивного элемента, контактирующие с соответствующими им по ширине пленочными выводами. Благодаря укаэанной конфигурации кромки вывода, полученной моделированием, достигается максимальная равномерность распределения плотности тока по кромке, за счет чего абсолютное значение плотности тока и на кромке, и в зоне контакта минимально при заданной площади расширения. Это позволяет беэ увеличения площади, занимаемой 40 резистором на поверхности подложки, свести до минимума скорость процессов электромиграции и электродиффуэии, повышая надежность и термостабильность тонкопленочного резистора. Так как толщина резистивного элемента значительно меньше толщины вывода, то утолщение расширенного конца резистивного элемента в зоне контакта с выводом, замедляя разрушение материала элемента, служит той же цели.

Использование предлагаемого пленочного резистора показывает, что надежность и стабильность его могут быть повышены в 1,5-2 раза при одновременном увеличении рабочей температуры до предела термостойкости резистивного материала.

1, Тонкопленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и термостабильности резистора, кромка вывода, граничащая с расширенным концом, выполнена в виде дуги эллипса, большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента.

2. Тонкопленочный резистор по п.1, отличающийся тем, что расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Холлэнд Л. Пленочная микроэлектроника. M "Мир", 19б8.

2, Патент США Р 3629782, кл. 338308, 1971 (прототип).

809411

Фиа. Л

Составитель Л.Прокоиенко

Редактор К.Лембак Техред Ж.Еастелевич Г.Наэарова

Вакаэ И577б Тйраа 7H" " Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, X-35, Раушскаи наб. д, 4/5

Филиал ППП "Патент, r. Уигород, ул. Проектнай, 4

Тонкопленочный резистор Тонкопленочный резистор Тонкопленочный резистор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве прецизионных тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к разработке прецизионных сплавов со специальными электрическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к металлчргии а именно к разработке прецизионных сплавов со специальными электрофизическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Группа изобретений относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов. Техническим результатом является обеспечение высокой температурной стабильности сопротивления, повышение максимально допустимой температуры резистора (до +260°C) и рабочего импульсного напряжении в 2÷2,5 раза (до 5000 В). В резистивном элементе обеспечивается содержание атомов платины, выбранной в качестве создающей глубокие уровни захвата в запрещенной зоне кремния примеси, с концентрацией в интервале от 2,5·1013 см-3 для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρp0=150 Ом·см до 9·1014 см-3 для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см, а в предлагаемом способе изготовления мощного полупроводникового резистора проводят диффузию атомами платины при температуре в интервале от 870°C для кремния p-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением ρр0=150 Ом·см до 1190°C для кремния p-типа электропроводности с ρр0=0,4 Ом·см. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
Наверх