Полупроводниковое запоминающее устройство

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее первый и второй накопители, входы первых групп которых являются соответственно входаSiH первой и второй групп устройства, .входы вторых групп первого и второго накопителей соединены соответственно с выходами первого и второго дешифраторов,, входы первого дешифратора являются входами третьей группы устройства, а входы первой группы второго дешифратора являютсявходами четвертой группы устройства , отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, выходы первого дешифратора соединены с входами второй группы второго дешифратора.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 10769.47 А

За1) 11 С- 11/1О

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3396564/18-24 (22) 04.02.82 (46) 28.02.84. Бюл. № 8 (72) О. С. Вартанов, Л. А. Круглова, P. А. Лашевский и Н. В. Неустроев (53) 681..327.66 (088.8) (56) 1. «Электронная промышленность», 1981, № 2, с. 46 — 58.

2. «Электроника», 1977, т. 50, № 13, с, 41 — 50 (прототип). (54) (57) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНА1ОЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее первый и второй накопители, входы первых групп которых являются соответственно входамн первой и второй групп устройства, входы вторых групп первого и второго накопителей соединены соответственно с выходами первого и второго дешифраторов,, входы первого деиифратора являются входа ми третьей группы устройства, а входы первой группы второго дешифратора являются - входамн четвертой группы устройства, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, выходы первого дешифратора соединены с входами второй группы второго дешифратора.

1Г376с)47

Состаан; "Ib Г. Бородин

Редактор А. Власенко Техред H. Bepec Коррект.*р а /",:,а, Заказ 758 48 Тираж 575 Г3однисное

ВИИИИИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

3 3ÇÎÇ5, Москва, Ж вЂ” 35, Раушскаи наб., д. 4/5

Филиал Г1Г1П аЛатент», г. Ужгород, ул. Г3роектнан, 1

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при конструировании интегральных полупроводниковых запоминающих устройств микропроцессоров, микро-ЭВМ, микрокалькуляторов и др.

Известно полупроводниковое запоминаю щее устройство, содержащее один накопитель, дешифраторы строк и столбцов, позволяющее хранить неизменяемую информацию (1) . 3О, Недостатком указанного устройства является невозможность изменения информации в устройстве.

Наиболее близким к предлагаемому является полупроводниковое интегральное запоминающее устройство, содержащее

ОЗУ емкостью 128 8-разрядных чисел и

ПЗУ емкостью 2048 8-разрядных чисел.

Каждое из этих ЗУ имеет накопитель информации, дешифраторы строк, дешифраторы столбцов, адресные шины. ОЗУ и ПЗУ входят в общее поле памяти микроЭВМ, и одновременное обращение к ним невозможно. Входы дешифратора строк соединены с соответствующими адресными шинами, а выходы — с шинами строк накопителя ОЗУ и ПЗУ. Входы дешифраторов 25 столбцов накопителей ОЗУ и ПЗУ также соединены с соответствующими адресными шинами, их управляющие входы — с управляющей:чи ioA, выходы — с соответствующими шинами столбцов накопителей

ОЗУ и ПЗУ соответственно 12).

Однако известное техническое решение является избыточным и приводит к большим аппаратурным затратам из-за наличия двух полных дешифраторов строк.

Цель изобретения — упрощение устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковом запоминающем устройстве, содержащем первый и второй накопители, входы первых групп которых 4О являются соответственно входами первой и второй групп устройства, входы вторых групп первого и второго накопителей соедичены соответственно с выходами первого и второго дешисрраторов, входы первого

%ешифратопа явля;отся входам,: третьеи 45 группы устройства, входы первой группы второго деш ифратора и ил якпс я входа ми четвертой группы устройства„выходы первого дешифратора соединены с входами второй группы второго дещифратора.

На чертеже представлена блок-схема полупроводникового запоминающего устройства.

Полупроводниковое запоминающее устройство содержит первый 1 и второй 2 накопители, вводы первых групп которых являются соответственно входами первой 3 и второй 4 группы устройства. Входы вторых групп первого 1 и второго 2 накопителей соединены соответствешго с выходами первого 5 и второго 6 дсшифраторов, входы первого 5 дешифратора являются входами третьей 7 группы устройства, входы первой i руппы Bl oðoiо 6 дешифратора являются входами четвер ой 8 группы устройства выходы первого 5. дешифратора соединены с входами второй группьГ второго 6 дешифратора.

Один из накопителей может быть оперативным накопителем, а другой — накопителем постоянного типа..При этом накопитель с большой информационной емкостью должен быть вторым. На входы 7 и 8 поступает двоичный код номера строки (столбца), на входы 3 и 4 поступает номер (код) столбца (строки), а также управляющие сигналы для выборки соответствующего накопителя. Если накопители имеют Одинаковое кол ичество адресных ш ин, поступающих по входам 3 и 4, то они могут быть объединены.

Полупроводниковое запоминающее устройство работает следующим образом.

При необходимости обращения к одному нз накопителей 1 или 2 па соответствующие входы 3 и 7 или 4, 7 и 8 подаются адресные и управляющие сигналы. При этом при обращении к накопителю 2 - помощью первого дешифратора 5 осуществляется первый этап дешифрации, а затем, учитывая, что накопитель 2 больше накопителя 1, выбор нужной строки (столбца) уже производится в дешифраторе 6.

Технико-экономическое преимугцес гво заключается в уменьшении аппаратуриых затрат на дешифрацию выборк..-; информации из накопителя 2. „,Bë этих целей используется дешифратор