Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве

 

О П И С А Н И Е 3)8993

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

МПК G Ilc 11/10

Заявлено 27.Х!.1969 (№ 1375555/18-21) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 28.Х.1971. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 6.1.1972

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66 (088,8) Авторы изобретения

А. В. Осипов и Ю. И. Шойфер

Заявитель

СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ

В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ

Известен способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве (ЗУ) на слоистых ферритовых матрицах по системе

2,5 Д, при котором по разрядному и числовому проводникам подают токи, создающие поле, не превышающее порогового поля для магнитопровода вокруг этих проводников.

Цель изобретения — увеличение амплитуды считанного сигнала и повышение быстродействия.

Цель достигается тем, что предварительно по числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой, обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а по разрядному проводнику при записи и по числовому проводнику при считывани подают токи, создающие поле, равное пороговому полю диагонального магнитопровода.

На фиг. 1 показаны состояния элемента памяти слоистой матрицы, характеризующие его работу в режиме считывания, записи и разрушения «1» и «О»; на фиг. 2 приведена диаграмма работы ЗУ в режиме считывания и записи

«1» и «О».

Любое изменение направления и величины магнитного потока в рабочей зоне элемента памяти слоистой ферритовой матрицы (СФМ) происходит по путям, проходящим через площадки 1, 2, 8, 4. Крестом и точкой на фиг. 1 обозначены начало и конец вектора остаточьой индукции любой площадки или ее отдельных частей. При обращении к элементу памя5 ти СФМ по числовому проводнику б подают числовые токи считывания I и записи l, а по разрядному проводнику б — разрядный ток считывания I>, а также ток записи 14 в случае записи «1», который отсутствует при запн10 си «О».

Перед сборкой ЗУ по числовым проводникам б подают ток фиксации состояния матриц

1ф, совпадающий по направленшо с током 1, и создающий поле, превосходящее пороговое по15 ле диагонального магнитопровода, который проходит через площадки 1 и 8.

По окончании действия тока I,в силовые линии охватывают только числовой проводник 5 и проходят через площадки 1 — 2 и 8 — 4.

20 Запись «1» осуществляют одновременным воздействием на элемент памяти двух токов

I3 и 1 . Поля, создаваемые этими токами в площадках 1 и 8, складываются. Так как система симметрична, то в случае равенства амплитуд

25 этих токов, поля, создаваемые в площадках 2 и 4, взаимно компенсируются (фиг. 1б). Таким образом, в результате действия токов 1> и 1ч образуется информационный диагональный по ток, который охватывает проводники б и б и

30 характеризует единичное состояние элемента, 318993

45 т. е. появление в площадках 1 и 8 зоны противоположной намагниченности относительно начальной установки (треугольниками на площадках 1 и 8 условно обозначены части этих площадок, по которым проходит диагональный поток) .

После действия токов Ii u lg состояние намагниченности площадок 1 и 8 соответствует исходному и характеризует нулевое состояние элемента (фиг. 1в).

В данной системе выборки информация может быть разрушена в направлении считывания или записи вдоль проводников 5 и б. На фиг. 1г, д, е, ж показано разрушение единичного и нулевого состояний диагонального магнитопровода под действием токов разрушения

1 и 1» полярность которых соответственно совпадает с полярностью токов считывания Iь

1 и токов записи I» 14.

Действие токов разрушения по другим направлениям приводит к подтверждению состояния информационного диагонального магнитопровода.

Если по числовому проводнику 5 в направлении тока 1 действует ток разрушения 1» то поле, создаваемое им, подтверждает намагниченность площадок 2, 4 и стремится разрушить единичное состояние диагонального магнитопровода площадок 1, 8 (фиг. 1 г). При этом разрушение единичного состояния начинается с того момента, когда поле, создаваемое током I» становится равным пороговому полю диагонального магнитопровода.

Таким образом, амплитуда числового тока считывания 1 может превышать амплитуду порогового тока для числового проводника 5 во столько раз, во сколько пороговый ток диагонального магнитопровода превышает этот пороговый ток. Для практически используемых

СФМ эта особенность приводит к увеличению допустимой амплитуды числового тока считывания I> в 1,3 — 1,4 раза.

Разрушение по разрядному проводнику б в направлении тока I> начинается с того момента, когда амплитуда тока l; становится равной пороговому току. этого проводника (фиг. 1 д).

По мере роста тока разрушения I> диагональный поток, характеризующий единичное со5

30 стояние элемента памяти, уменьшается за счет увеличения магнитного потока вокруг проводника б. Следовательно амплитуда числового тока считывания I> в зависимости от геометрических размеров элемента памяти СФМ может быть в 1,3 — 1,4 раза больше амплитуды разрядного тока считывания lq (фиг. 2а).

При рассмотрении процессов разрушения нулевого состояния диагонального магнитопровода током 16 (фиг. 1 е, ж) в направлении тока записи по проводникам 5 и б оказывается, что амплитуда разрядного тока записи 14 может быть равна амплитуде порогового тока диагонального магнитопровода, а амплитуда числового тока записи I> не должна превышать величины порогового тока для числового проводника 5, т. е. допустимый ток 14 может быть в 1,3 — 1,4 раза больше, чем допустимый ток I> (фиг. 2 б). При записи «0» разрядный ток записи I< по проводнику б не пропускают.

При одновременном действии двух токов, например, тока I по проводнику 5 и тока 1,41> по проводнику б (фиг. 26), кроме информационного диагонального потока, который возникает в площадках 1 — 8, в площадках 1 — 4 и

2 — 8 за счет несимметрии токов также возникает поле, которое, однако, не влияет на состояние их намагниченности, так как не превышает порогового поля для проводника б в рабочей зоне элемента памяти.

Предмет изобретения

Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве на слоистых ферритовых матрицах с выборкой по системе 2,о Д, отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанного сигнала и повышения быстродействия, предварительно по числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой, обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а по разрядному проводнику при записи и по числовому проводнику при считывании подают токи, создающие поле, равное пороговому полю диагонального магнитопровода

318993 is ã. 2

Редактор И. Орлова

Заказ 3834/18 Изд. № 1526 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель А. Соколов

Техред Т, Ускова

Корректоры: А. Васильева и О. 3 ай цева