Источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок

 

ИСТОЧНИК УПРАВЛЯЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ УСТРОЙСТВА МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТООДНООСНЫХ ПЛЕНОК, содержащий источник ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух двухконтурных катушек индуктивности, и источник магнитного поля, направленного нормально плоскости пленки, выполненный в виде двухконтурной катушки индуктивности, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, он содержит два концентратора магнитного потока, выполненных в виде магнитопроводов из материала с высокой магнитной проницаемостью, например феррита, расположенных друг над другом), на полюсах магнитопроводов размещены катущки индуктивности источника ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, полюса нижнего магнитопровода смещены в пространстве на 90° относительно полюсов верхнего магнитопровода и снабжены наконечниками , в которых выполнены пазы для размещения пленки. (О

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1095234 зад G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

%ВЫПИ а.Ыи:г.

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3564170/18-24 (22), 17.03.83 (46) 30.05.84. баюл. № 20 (72) В. А. Афтеньев, В. А. Афтеньев, В. А. Горшенин и Н. Н. Силантьев (53) 681.327.66 (088.8) (56) l. Electronics, Ч. 52, 1979, № 6, р. 99.

2. Магнитные и магнитно-полупроводниковые элементы для переработки информации. Сб. М., «Наука», 1981, с. 91 (прототип). (54) (57) ИСТОЧНИК УПРАВЛЯЮЩИХ

МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ УСТРОЙСТВА

МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТООДНООСНЫХ ПЛЕНОК, содержащий источник ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух двухконтурных катушек индуктивности, и источник магнитного поля, направленного нормально плоскости пленки, выполненный в .виде двухконтурной катушки индуктивности, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, он содержит два концентратора магнитного потока, выполненных в виде магнитопроводов из материала с высокой магнитной проницаемостью, например феррита, расположенных друг над другом на полюсах магнитопроводов размещены катушки индуктивности источника ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, полюса нижнего магнитопровода смещены в пространстве на 90 относительно полюсов верхнего магнитопровода и снабжены наконечниФ ками, в которых выполнены пазы для раз- @ мещения пленки.

1095234 ется сложной формой выполнения катушек для создания ортогональных магнитных полей и наличием специального предметного столика для размещения образца. Высокая потребляемая мощность объясняется тем, что катушки имеют большое количество витков для обеспечения требуемых полей, так как катушки удалены друг от друга для лучшего доступа к образцу. Низкое

35 качество исследований объясняется тем, что конструкция устройства позволяет исследовать только небольшую площадь образца.

Цель изобретения — снижение мощности, потребляемой источником управляющих магнитных полей.

Поставленная цель достигается тем, что источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух двухконтурных катушек индуктивности, и источник магнитного поля, направленного нормально плоскости пленки, выполненный в виде двухконтурной катушки индуктивности, содержит два концентратора магнитного потока, выполненных в виде магнитопроводов из материала с высокой магнитной проницаемостью, например феррита, расположенных друг над другом, на полюсах магнитопроводов размещены катушки индуктивности ис45

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитоодноосных пленок с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) .

Известен источник управляющих магнитных полей для исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник постоянного магнитного поля, выполненный в виде двух постоянных магнитов, и источник ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух катушек индуктивности (1).

Недостатком этого источника управляющих магнитных полей является трудность магнитооптического исследования пленок.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий две двухконтурные катушки для создания ортогональных 20 магнитных полей в плоскости пленки и двухконтурную катушку для создания магнитного поля, нормального к плоскости пленки (2).

Однако известный источник управляющих магнитных полей обладает сложнои

25 конструкцией, высокой потребляемой мощностью и низким качеством исследования пленок. Сложность конструкции объясняточника ортогональных магнитных полей, направленных параллельно плоскости пленки, полюса нижнего магнитопровода смещены в пространстве на 90 относительно полюсов верхнего магнитопровода и снабжены наконечниками, в которых выполнены пазы для размещения пленки.

На фиг. 1 изображена конструкция источника управляющих магнитных полей; на фиг. 2 — то же, общий вид (без катушки индуктивности источника магнитного поля, направленного нормально плоскости пленки).

Источник управляющих магнитных полей содержит два концентратора магнитного потока, выполненные в виде верхнего магнитопровода 1 с полюсами 2 и нижнего магнитопровода 3 с полюсами 4 и наконечниками 5, источник ортогональных магнитных полей в плоскости пленки, выполненный в виде двух двухконтурных катушек индуктивности

6 и ?, и источник магнитного поля, направленного нормально плоскости пленки, выполненный в виде двухконтурной катушки индуктивности 8.

Предлагаемый источник управляющих магнитных полей работает следующим образом.

Исследуемая пленка 9 помещается в пазы наконечников 5 полюсов 4 нижнего магнитопровода 3. Катушки индуктивности 6 и 7 размещены на полюсах 2 и 4 соответственно, которые сдвинуты в пространстве на

90 . Для образования вращающегося магнитного поля в плоскости пленки в каждую пару катушек индуктивности 6 и 7 подаются равные по амплитуде токи со сдвигом фаз

90 . Для образования ортогонального плоскости пленки магнитного поля ток подается в катушку индуктивности 8. Для того, чтобы поле от нижнего магнитопровода -3 образовывалось в плоскости пленки, полюса 4 снабжены наконечниками 5, которые одновременно являются держателем образца исследуемой пленки. Перемещая устройство .с образцом относительно оптической оси микроскопа, можно исследовать любые участки пленки.

Размещение катушек индуктивности для создания ортогональных магнитных полей в плоскости пленки на полюсах магнитопровода из материала с высокой магнитной проницаемостью и сведение до минимума расстояния между полюсами позволяют уменьшить число витков катушек индуктивности и получить необходимые поля при меньшей потребляемой мощности. Предлагаемая конструкция источника управляющих магнитных полей позволяет проводить исследования без использования предметного столика и по всей поверхности пленки. В результате упрощается конструкция, снижается потребляемая мощность в 2,5 раза и повышается качество исследования пленки.

1095234 фиг. 2

Редактор Т. Парфенова

Заказ 3607/34.Составитель Ю. Розенталь

Техред И. Верес Корректор Ю.Макаренко

Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1! 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок Источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок Источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх