Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления

Авторы патента:

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕ; ЗИСТИВНОЙ МАСКИ ДДШ ПЛАЗМЕННОГО TPABЛEHИЯ включающий операции канесени .ч фоторезиста н-; подложку, сушку, экспонирование, проявление изображеки .я, отличают i; йен тем, что, с целью сокращения технологического цикла изготовления фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изсбражения проводя, в течение 055-5 мин плазменную обработку фоторезиста в ВЧ-диодной системе в иННртной среде при давлении 0,1 -. 100 Па, удельной мощности 0,5 - 1.5 Вт/см.и теьшературс подложки с 20-80 С, а затем выполняют высокотемпературную сушку при 120-210 С.

союз советсних социАлистичесних

РЕСПУБЛИН

„„SU„, 1099/76

1 51)5 Н О .1 21/30о

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ1ЕМИЯ

И ABTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ пРИ гкнт сссР (21) 3487 183/ 18-25 (22) 23. 08. 82 (46) 23. 10,90. Бюл. - 39 (72) А.С,Ткаченко, П,С.Бугай и В.А.Ярандин (53) 62 1 . 382 (088. 8) (56) Adams А., Capio С. Edge. Prof iles in ihe Plasma Etching of Policтуз .а1ine Silicon. J,of the Electrochemical Scciety, 1981, m. 128, Ф 2, р.р. 366-370.

Патент CilIA У 4244799, кл. 204/.192, опублик. 1981, .(54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕзистивной мАски для плАзмкнногоИзобретение относится к технологии изготовления интегральных схем с повышенной плотностью элементов.

Известен способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления, в котором для увеличения стойкости фоторезиста при плазменном травлении, особенно при травлении слоев толщиной более 1 5вЂ”

2 мкм, после проявления изображения на фоторезисте проводят высокотемпературную сушку вплоть до 210 С.. е

Однако, если после проявления фоторезиста можно получить профиль на фоторезистивной маске, близкий к вертикальному (краевой угол, близкий к 90 ), то при высокотемпературной сушке краевой угол уменьшается. Так,, при температуре сушки 90 С он составо ляет 60, при 140 С вЂ” 45, при

210С- 25

ТРАВХЯНИЯ включающий операции нанесения йаторезнста н... подложку, сушку, зксi-.cíèðoâàние, проявление изображения, отличающийся тем, что,. с UpJIbN сокрашения технологнческо"o цикла изготовл" íèÿ фоторезистивной маски из фоторезиста с крутым профилем боковых стенок, после проявления изображения проводя в течение 0,5-5 мин плазменную обр ботку фоторезиста в ВЧ-диодной системе в ин ртной среде при давлении 0,1

100 Па, удел,ной мощностI: 0,5-5 Вт/см .и температуре подложки

20-80 С, а затем выполняют высокои 0 температурную сушку при 1 лО-210 С, Таким образом, применение высокотемпературной сушки фоторезиста для увеличения его стойкости приводит к искажению изображения за счет saкругления края рельефа фоторевиста и значительному уходу размеров при псследующем плазменном травлении за счет уменьшения значения краевого угла. Это обстоятельство затрудняет формирование злементов ИС а подлож.ке с высокой точностью н ограничивает применение прецизионного метода плазменного травления лри формировании элементов СБИС, Наиболее близким техническим решением является способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления, включающий операции нанесения фоторезиста на подложку, сушку зкспонирование, проявление изображени,я..! !) ))т! )С T-,.П 1 > 0 Я 13 ""

)зп(с ) г .

1 )" <) Г

0 ., I С31)((1

n0Ir)т:;:: ;.)(;Н. I

) -. "- - .:.. :. я з .. я г т

) )! г,т. я >!

y: зль

)т (1<0 вЂ”,-.

)(. >, Е p, . T -ттЕ) 1.0!АКОГO.>к - >ьтвяtr>т)

7 т 1 1.1 г-)-От1

;-с вЂ”.;:т: -. Ой) (? г»!

iI> тт( T Г г)

) t.(П) г; . : 11-:" >т

Несмотря на ряд дис t r>.-..нс - :: ., вестный способ имеет сугцес г н н:и:;.". недостаток - это сло)кностl: )>;) ". 3:. ттии, и большая д.гтите ттьнr). вЂ”;т-, Г "(TIPC(<ОГО ДИК:Id I; ЗГОТC!!Jre: t;;.Т( а)тетив(той(Ia(ки нэ-" =; нс(б:.o -т),г," проведения доно>гнительн > < спг:!>I» .; нанесения =-,àJ(Hепого слоя пa S i (?, C. нанесения в,орогс слоя:!>отар(- :: - его экипопироватптя,, про;;H,r!åø!>I и сушки, реак гивно. о ионного тра;,»;

SiOg и слоя толе:ого фсторе.тн т:, Целью изобре- ения я -гяе гс>) cio <,;»

НИЕ тЕХНОЛОгтЧ.PC(<01"O Цт -.;J(; згii,; . ния фоторезистивно Т;-.аскц с

ПРОфИЛPM ООКОВЫХ С . ОНОК ., тель достт)т.ае г,I тек>. rt To 1> с вЂ” . . бгз фор (ИротЗ а)Н>я фОЗ)С р)=3 "(C ГHBI.;О: (т(к J> С т)ШКУ C I!O >IÐ() ГЧ. II . >I

ПРОЯВЛЕНИЕ "i305pа „O ЛЕ;! О>;3 пения изобра>кения проводят е те-а>н-:.

О, 5-. > мин I!; а зия(11 ".. 0(Jpàáo Тку:(к-. -.-. р еЗист 1 в БЧ диодно «. исто: >е т:Iн = ной среде при павленит-. О.-,: -,00 1:)!

Вт удельной мощности 0 r 5-= ) ) . I i пературе подло>кки 20- г>)0

ВЫПОЛНЯЮТ Br)10 iJI(О "ОМ>! Е ра ." ) !. Пг! ((pH (е>,(пе о ту )-) е !:) 0-- 2 f 0 0

В РЕЗ ) ЛЬ T а Те КС М Л".I< ".ПО ГГ . В С)3 г,):.

СтВИЯ На фот;РОЗНО (У>гЬТРафиапстОНО излучения i> 1 p=.: i;> -„,-... 3JI!-к рo> Iro. ионной б омбарднро;-; кт > я T!= К><с ностного нагре ra фотсрезттс . а 3=: нейтрализатгии на и=-г" иопог) про. дит обработка фо Opc3Hicта> (i>.;о-,з» приводит к образсвrtнию на е о t>оверх(тости тон к о го 3 г! >-бле нно го:то. : фиксирующе го крутой:-гофиль ма -:;=, Далее проводят высо(отемперат- О--,. вторую сушку при Т =- ) 20-21! o..::

,т(ающую плаз !ocтойкостl) r)r>то! "â€”; H.вЂ”.т.:.-: ной маски.

ПрИВЕдЕ)тнтт." Грат;;. Н-,„=;>(я т ЗЕ>т(ИМ(ЗБ 3()IIIOJITIÅ !- )Н! t! T>O! Е) < Я .(I - 1 ной обработки и ттт,!с ) ко зr".>I. я; а t ..-i;; ! ушки га)занти)>угг)т н;>-ггт.о.t3- зод- ".";r;ã: грормиров ание т, руто г (поз>)т!.г-:.т;.. с к; вых стенок ма(.кн, 0т::.:ti>!",()г)е

ИОВ 3 а 1>ИЕ> !ЗЛЕt(E!yt!I ГР Я (1. IT L!3(! неконтролируе. о() т(ть!е тт= H- г вог() .: i;-. (>Око(за(к стг и:):< фо Гооез(-с-,-т-;-;1101! >г" i ; р И ? !1 )) I(: г:IOT.) г()0!.. На -..Ос я. г лай фот(рс -I (т:i Ф I-.",ß I, г)!(!! it;;oi) т .> МК;т. (r>r .,Е г -;.Ill)

i,, pH f (т,) (!! 1 i Irci !;T) )- / . .;11 ) т>() г);. ,->с, .! ;: > Г;1, С: .. гз i г....) i>:.,вЂ” -iTI(r)t„ с>- ..с = 3,)), С !)Я.т.)3))(!",! ) )?) 1) -ГР)1.1 0 :: ;, - .- -ече-"

i!:(o тем 11 с: ..:-.;.-.:, при ..., вЂ” (т-„(>. !

: -" "" : - -> .. ЛЕ; I O ò--1) г. г

). .гз . . 1 я 1:; ни -) )т ) б ) ),вЂ”

1 .) " ) ),, (3 )ЕЕ тгс! ", В I с: I

l 1) ) . -! .

) )09С7 б

B год.

Редактор О.Юркова Техред Л.Олийнык корректор Л, Осауленко

Заказ 4355 Тираж 4б1 Подписное

ВЯКАЛИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при KHT СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб... д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент, г.ужгород, ул. Гагарина,101 адгезию фоторезиста к подложке, а также формировать близкий к вертикальному профиль после высокотемпературной сушки, что позволяет формировать элементы ИС с повышенной точностью и дает возможность полнее использовать прецизионный метод плазменно."о травленчя при формировании элементов

GHHG. IO

Изобретение проще известного способа, приведенного в качеcòâå прототипа, позволяет сократить технологический цикл формирования фоторезистив-)g ной маски с крутым профилем боковых стенок„ поскольку исключает ряд процессов; оса::кдение слоя двуокиси кремния на фоторезист, нанесение слоя фоторезиста, травление слоев двуокиси кремния и слоя фоторез;ста, О ... позволяет формировать элементы И плазменным травлением ": уходом раз маров и ..нее О, 1 мкм

Ра:iò ожидаема "о годового экономического эффек.:а oò внедрения дан-. ного спссоба формирования фотсрезистивной маски проводят н соответствии с "Отраспевой методикой определения экономическо . эффективности использования в народном хозяйстве новой техники, изобретений и рацио. ft нализаторски;: предложений „утвержденной 13. .2,i8 г. Б качестье базо-вого варианта используют способ, приведенный в прототипе, Ожидаемый э.;о.:омическнй эффек". or внедрения изобретения составит около 55 тыс,, уб:

Похожие патенты:

Способ получения линейных изображений // 447110

Патент 354681 // 354681

Способ определения экспозиции засветки фоторезистов // 232391

Метод защиты поверхности кристаллов p-n-переходов на основе легкоплавкого стекла // 2370852
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования // 2420828
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем // 1651697

Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки // 2558599
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к способу изготовления фоточувствительных материалов и устройств. Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки включает формирование на поверхности диэлектрической подложки слоя резистивной пасты, состоящей из оксида серебра Ag2O, палладия, мелкодисперсных частиц стекла и органической связки. Сформированный слой сушат и вжигают в воздушной атмосфере при температуре от 605 до 700°С. С поверхности полученной пленки удаляют стеклянный слой путем испарения мощным импульсным лазерным излучением с длиной волны, лежащей в области поглощения стекла. Предпочтительным является использование лазерного излучения с длиной волны, соответствующей максимуму поглощения стекла. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона работы фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния // 2573672
Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент. Абразивные частицы (А) содержат или состоят из диоксида церия, положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Компонент (B) по меньшей мере это один растворимый в воде полимер, выбран из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов. Изобретение относится и к способу полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств с применением указанной водной полирующей композиции. Полирующая композиция по изобретению обладает значительно улучшенной селективностью оксид/поликремний и обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр.

Способ изготовления мдп-структур на основе inas // 2611690
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подложки - анодирование рабочей поверхности подложки в плазме. По завершении анодирования на диэлектрический слой напыляют слой металла. Предварительную обработку проводят при условиях, обеспечивающих полную очистку поверхности от загрязнений и естественного окисла с достижением стабильности и инертности рабочей поверхности в условиях отсутствия воздействия окислительной среды, плазмы. Анодирование осуществляют с использованием окислительной газовой среды с составом Ar:O2:CF4 в соотношении (80-х)% : 20% : x%, где х - количество CF4, равное от 5% до 20%. В качестве плазмы используют плазму таунсендовского разряда в нормальном и переходном режиме его горения. При этом подложку помещают на расстоянии от катода, выбираемом с учетом соблюдения условия стационарности газоразрядной плазмы. Давление окислительной газовой среды поддерживают обеспечивающим стабильное горение разряда с формированием в разрядном промежутке латерально однородного разряда. В результате обеспечивается снижение величины встроенного заряда до значений менее 5×1011 см-2, улучшается однородность по толщине и химическому составу диэлектрического слоя на большей площади исходной пластины. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией // 2613487
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложки осуществляют с получением гидратированного аморфного оксидного слоя из оксидных соединений индия и сурьмы, характеризующегося нестехиометрическим составом - обогащенного гидратированными оксидными соединениями индия. При этом сначала проводят анодное окисление подложки с остаточным оксидным слоем в водосодержащей щелочной среде, а затем удаляют в водосодержащей кислотной среде полученный в ходе окисления оксидный слой. В финале проводят удаление подвергшегося модификации остаточного оксидного слоя в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки подложки. В результате обеспечивается снижение температуры, при которой происходит полное удаление оксидного слоя в ростовой камере молекулярно-лучевой эпитаксии, до величины менее 400°С. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.