Способ получения линейных изображений

Авторы патента:

НИКИФОРОВ ЭДУАРД ЯКОВЛЕВИЧ

ГЛАЗКОВ ИЛЬЯ МИХАЙЛОВИЧ

ХВОРОСТИНА АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ

МИХНЕВИЧ ПАВЕЛ АЛЕКСАНДРОВИЧ

H01L21/3105 - последующая обработка

Нсес -1. г рнаЯ

О fl ф."А..Ы-,Й Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ (ii) 44УИО

Союз Советских.Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 27.06.72 (21) 1801839/26 25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.12.74, Бюллетень ¹ 46

Дата опубликования описания 07.04.75 (51) М. Кл. Н 011 7/64

Государственный комитет ,Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения Э. Я. Никифоров, И. М. Глазков, А. И. Хворостина и H. А. Михневич (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению фотошаблопов для интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен способ получения линейных изображений с использованием контактной фотопечати, включающий операции наложения на подложку с предварительно нанесенным слоем маскирующей пленки и слоем фоторезиста прозрачной подложки, на поверхности которой сформирована топология микроизображений, создания плотного контакта, экспонирования через прозрачную подложку с топологией микроизображений. Затем экспонировапную подложку со светочувствительным слоем проявляют и травят.

Однако ири этом способе из-за влияния дифракции на краю изображения, рассеяния и многократного отражения в слое фоторезиста не удается получить качественные изображения менее 1 вЂ” 2 мкм.

С целью получения линейных изображений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изооражепия, после чего на протравленную поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отра кением, и формируют второй край линейного изображения: формирование второго края линейного изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

По предлагаемому способу приведена технологическая схема последовательного получения линейных изображений.

На прозрачной подложке 1 с предваритель10 но нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируется один край 3 линейного изображения, после чего на ту же поверхность подложки 1 наносят слой негативного фоторезиста 4, а

ls затем накладывают подложку 5 с отражательным слоем 6, обращенным в сторону фоторезиста. Экспонирование производят через подложку 1. За счет дифракции иа линейном краю 3 маскирующей пленки 2, рассея20 ния света в пленке фоторезиста 4, многократного отражения света между отраженной поверхностью 6 подложки 5 п маскирующей пленкой 2 подложки 1 фоторезист 4 поглощает энергию облучения в зоне, закрытой

2s маскирующей пленкой 2 от прямого облучения световой энергией.

В процессе проявления удаляется слой фоторезиста, на который не возд"йствуст энергия, и часть маскирующей пленки 2 оказы3Q вается защищенной слоем фоторезиста. Та447110

Предмет изобретения

Ф, Составитель Н. Островская

Техред T. Курилко

Корректоры E. Давыдкина и О. Тюрина

Редактор Т. Морозова

Заказ 1050/6 Изд. № 1944 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ким образом создается второй край линейного изображения, 1. Способ получения линейных изобра>кений, включающий операции нанесения маскирующей пленки и фоторезиста, формирования изображения, проявления и травления, о тл ич а ю шийся тем, что, с целью получения линейных изображений субмикронного размера, по окончании операции нанесения фоторезиста формируют о;ин край линейного изображения, после чего на проявленную поверхность наносят негативный фоторезист, на который накладывают подложку поверх5 постыл, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край лийвйного изображения.

2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что формирование второго края линейногс

10 изображения производят экспонированием через протравленную поверхность маскирующей пленки.

Похожие патенты:

Патент 354681 // 354681

Способ определения экспозиции засветки фоторезистов // 232391

Метод защиты поверхности кристаллов p-n-переходов на основе легкоплавкого стекла // 2370852

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования // 2420828

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5

Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления // 1099776

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем // 1651697

Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки // 2558599

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к способу изготовления фоточувствительных материалов и устройств. Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки включает формирование на поверхности диэлектрической подложки слоя резистивной пасты, состоящей из оксида серебра Ag2O, палладия, мелкодисперсных частиц стекла и органической связки. Сформированный слой сушат и вжигают в воздушной атмосфере при температуре от 605 до 700°С. С поверхности полученной пленки удаляют стеклянный слой путем испарения мощным импульсным лазерным излучением с длиной волны, лежащей в области поглощения стекла. Предпочтительным является использование лазерного излучения с длиной волны, соответствующей максимуму поглощения стекла. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона работы фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния // 2573672

Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент. Абразивные частицы (А) содержат или состоят из диоксида церия, положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Компонент (B) по меньшей мере это один растворимый в воде полимер, выбран из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов. Изобретение относится и к способу полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств с применением указанной водной полирующей композиции. Полирующая композиция по изобретению обладает значительно улучшенной селективностью оксид/поликремний и обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр.

Способ изготовления мдп-структур на основе inas // 2611690

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подложки - анодирование рабочей поверхности подложки в плазме. По завершении анодирования на диэлектрический слой напыляют слой металла. Предварительную обработку проводят при условиях, обеспечивающих полную очистку поверхности от загрязнений и естественного окисла с достижением стабильности и инертности рабочей поверхности в условиях отсутствия воздействия окислительной среды, плазмы. Анодирование осуществляют с использованием окислительной газовой среды с составом Ar:O2:CF4 в соотношении (80-х)% : 20% : x%, где х - количество CF4, равное от 5% до 20%. В качестве плазмы используют плазму таунсендовского разряда в нормальном и переходном режиме его горения. При этом подложку помещают на расстоянии от катода, выбираемом с учетом соблюдения условия стационарности газоразрядной плазмы. Давление окислительной газовой среды поддерживают обеспечивающим стабильное горение разряда с формированием в разрядном промежутке латерально однородного разряда. В результате обеспечивается снижение величины встроенного заряда до значений менее 5×1011 см-2, улучшается однородность по толщине и химическому составу диэлектрического слоя на большей площади исходной пластины. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией // 2613487

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложки осуществляют с получением гидратированного аморфного оксидного слоя из оксидных соединений индия и сурьмы, характеризующегося нестехиометрическим составом - обогащенного гидратированными оксидными соединениями индия. При этом сначала проводят анодное окисление подложки с остаточным оксидным слоем в водосодержащей щелочной среде, а затем удаляют в водосодержащей кислотной среде полученный в ходе окисления оксидный слой. В финале проводят удаление подвергшегося модификации остаточного оксидного слоя в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки подложки. В результате обеспечивается снижение температуры, при которой происходит полное удаление оксидного слоя в ростовой камере молекулярно-лучевой эпитаксии, до величины менее 400°С. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.