Способ окисления пластин кремния

Авторы патента:

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10^-4-10^-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (10¹ -10^-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния // 1056815

Способ электролитического анодирования // 658626

Электролит для анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений // 553699

Способ окисления кремния // 427426

Способ окисления кремния с p-n-переходом // 376029

Способ создания защитной пленки // 316372

Способ защиты кристаллов кремния // 137893

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения защитных пленок // 2176421

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Способ химической обработки пластин кремния // 2228563

Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения // 2264675

Способ создания диэлектрического слоя // 2274926

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи