Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров

 

АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ ЛАЗЕРОВ , содержащий кристаллическую матрицу с Сг активным ионом, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, понижения порога генерации и расширения области перестройки лазера, кристаллическая матрица выбрана со структурой граната и имеет формулу А., , где А - по крайней мере один из элементов , выбранный из группы Y, La, Се, Gd, Lu, Sc i В - по крайней мере один из элементов , выбранный из группы Sc, Ga, In, Lu, AJ, Gd, Y, С - элемент Ga или смесь элементов (Л Ga и А, и содержит Сг в количестве 0,001-4,5 ат.%. Г 00 О to

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<5D 4 Н 01 S 3/16

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3546958/18-25 (22) 02.02.83 (23) 10.06.82 (46) 15.02.86. Бюл. В 6 (71) Физический институт им.П.Н.Лебедева (72) Е.В.Жариков, В.В.Лаптев, Струве Берт (DD), Хубер Гюнтер (DD) и И.А.П1ербаков (53) 62!.375.8(088.8) (56) Guenther В.D., Buser R.G.

"Tunabfe Lasers — An Overviev".

IEEE. J. Quant . Electron, QE 18, 1980, р.р. 1179-1184.

ИаХХ1пд I.C. et aI. "Tunable

Alexandrite Lasers" IEEE, J. Quant.

Electron. QE-16, 1980, 1302-1315 прототип.

„„SU „„1099802 А (54) (57) АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ

ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ IIEPECTPAHBAEMbIX ЛАЗЕРОВ, содержащий кристаллическую матрицу с Cr активным ионом, 3+ о т л н ч а ю шийся тем, что, с целью повышения КГЩ, понижения порога генерации и расширения области перестройки лазера, кристаллическая матрица выбрана со структурой граната и имеет формулу А В С„О,, где

А — по крайней мере один из элементов, выбранный из группы Y, La, Ce, Gd, Lu, Sc

 — по крайней мере один из элементов, выбранный из группы Sc Ga

In, Lu, AI, Gd, Y, С вЂ” элемент Ga или смесь элементов

3t

Са и АУ, и содержит Cr в количест-, ве 0,001-4,5 ат.7..

1099802

Редактор П. Горькова Техред М. Пароцай Корректор Е, Сирохман

Заказ 657/2

Тирах 598

Подписное

Й (e8mJ

6Я юЯ 16_#_ е,Ъ®п1

Щ/ .5

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

SU 1099805А1

Batch : N0100425

Date : 25/01/2001

Number of pages : 4

Previous document : SU 1099802А

Next document : SU 1099806А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sl)s Н 01 S 3/227

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕI-! И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1

1у) (21) 3434179/25 (22) 07,05.82 (46) 07.09.92. Бюл. N 33 (71) Специальное конструкторское бюро научного приборостроения "Оптика" СО АН

СССР и Институт оптики атмосферы СО АН

СССР (72) В,И.Воронов, А,Н.Солдатов и В.Ф.Федоров (53) 621.375.8(088,8) (56) Гордон Е;Б. и др. Возбуждение лазеров на парах металлов пучками импульсов.— . Квантовая электроника, 1978, ¹ 2, с,452.

Авторское свидетельство СССР

N 824854, кл, Н 01 S 3 22, 1980. (54)(57) ЛАЗЕР НА ПАРАХ МЕТАЛЛОВ, содержащий газоразрядную трубку, узел стабилизации температуры рабочего объема газоразрядной трубки, задатчик частоты

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при создании лазеров на парах металлов, способных работать с программным управлением частотой следования импульсов и энергией импульсной генерации, импульсной или средней мощности, Известен лазер на парах металлов, работающий в режиме саморазогрева, в котором реализуется режим стабилизации средней мощности генерации при цуговом импульсно-периодическом разряде. Недостатком данного лазера является то, что он не может работать при изменении частоты следования импульсов в широком диапазоне частот.

„„5U ÄÄ 1099805А1 следования импульсов генерации, задатчик энергии импульсов генерации, формирователь импульсов запуска, выход которого соединен с источником дополнительных, не вызыва1ощих генерацию, импульсов и через блок задер>кки — с источником возбуждения, отличающийся тем. что, с целью управления энергией и импульсной мощностью генерации при изменении частоты следования импульсов возбуждения, в него введены компенсатор задержки, при этом блок задержки выполнен регулируемым, вход компенсатора задержки соединен с входом формирователя импульсов и с выходом задатчика частоты, а выход компенсатора соединен с входом блока задержки и задатчиком энергии, причем источники дополнительных импульсов и импульсов В03буждения выполнены стабилизированными по амплитуде и длительности.

Наиболее близким по своей технической сущности к предложенному является лазер на парах металлов, содер>кащий газоразрядную трубку узел стабилизации температуры рабочего объема газоразрядной трубки, задатчик частоты следов;-.iièÿ импульсов генерации. задатчик энергии импульсов генерации, формирователь импульсов запуска, выход которого соединен с источником дополнительных, IIO вызывающих генерацию импульсов и через блок задержки — с источником возбуждения.

В известном лазере стабилизация температуры при изменении частоты следования импульсов осуществляется за счет автоматического изменения количества до1099805

Составитель

РедактоР Е. ГиРинскаЯ ТехРед М.МоРгентал КоРРектоР Е,.Папп

Заказ 4052 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров Активный материал для твердотельных перестраиваемых лазеров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления сред для лазерных элементов и может быть использовано при создании активных элементов перестраиваемых по частоте лазеров, а также нелинейных насыщающихся фильтров для пассивной синхронизации мод, модуляции добротности, развязки усилительных каскадов, обращения волнового фронта и аподизации

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов добротности резонаторов лазеров и активных элементов) на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩКГ) с центрами окраски, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра

Изобретение относится к квантовой элетронике, к лазерным активным и пассивным элементам на центрах окраски

Изобретение относится к области квантовой электроники, а более конкретно к лазерам на центрах окраски в кристаллах

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам оптических квантовых устройств и может быть использовано при изготовлении активных элементов плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых усилителей (ОКУ) и генераторов (ОКГ) ближнего инфракрасного (ИК) диапазона

Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления активных элементов твердотельных ОКГ и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов (ОКГ) и усилителей (ОКУ) инфракрасного диапазона

Изобретение относится к квантовой электронике, к способам изготовления активных элементов на основе монокристаллов, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых усилителей и генераторов, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной (ИК) области спектра

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к конструкции активного элемента лазера, и может быть использовано при создании лазеров на красителях в твердой матрице

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к материалам для лазерной техники и предназначено для применения в твердотельных лазерах с длиной волны стимулированного излучения в интервале от 1,9 мкм до 2,0 мкм

Изобретение относится к области оптоэлектроники и интегральной оптики, в частности к способу получения направленного когерентного излучения света устройствами микронного размера

Изобретение относится к области лазерной техники и промышленно применимо в перестраиваемых лазерах для целей волоконно-оптической связи и спектроскопии

Изобретение относится к оптической схеме для ослабления оптического шума

Изобретение относится к области лазерной техники и более конкретно - к лазерным медицинским инструментам для стоматологических, дерматологических, оторинологических применений, в том числе с использованием эндоскопов
Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров
Наверх