Способ изготовления полупроводникового материала для контактных детекторов типа сернистых соединений свинца

 

Класс 21 а, 38

М 112955 ((СР

ОПИСАНИК ИЗОЬ КТКНИя

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. К. Федоров

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

МАТЕРИАЛА ДЛЯ КОНТАКТНЫХ ДЕТЕКТОРОВ ТИПА

СЕРНИСТЫХ СОЕДИНЕНИЙ СВИНЦА

За(н)аено 10 январи 1056 г. аа № >5,-7140/576306 в ((инистсрство раяиотс);ни(ои прочвнилснности СССР

Пр(дi!ет изобретения

Ерпстаг!с(ические i îíòàктные детекторы, изготовленные пз серниcThIx соединений свинца, мел!i Ji,!и цинка, ие обладают достяточноп

>(У»ст»ИТЕ.!1>НОСТЬ!0 И ) СТОИ It!!SOP ГЬК)

» работе.

Описаниы!! ниже ciioco() Ilo.(учения полупро»одникового материала па оспо»е теx же соединений поз»0ляст улучшить электрические с»ойств

Согласно изооретения), нрпмсli5li" сН сле,(уюп(ая рецептура п Tt xi!0, ОГИ5! !I:>ГОТО(!Л(- ..ИИЯ HO. (т ll pOIJOлпико»ог0 материала.

Порошкоооразная смссь. со(тавл (ип»5! Jlз 2if вес. 1, синиц<3. 8 lstc. ч. серы и (1 2»ес. ч. (5 1(!" .) марГяи це»окпc I 0ÃÎ ка. Iè5! Is Ii(1 I(- ст»(o I; J I c. I I IT t л 51, I I j) o Ii;1. 1 и »а (. т с я I l p t! те м— перятуре 7!1(1-: -8!)0> \0 и рекра! It(ни5! Вы;((леll»51 Газов, После медленного oxляжле! ия

Xt»TPPJI».! ГOTOH .(.(Я ИЗГОТО»1ЕПИ5! детекторов. Медные и п! I«J;0! соединения получаются путем ок>(с. !(.0J15I М(.;I!1 И Il iltlii< IS II IP»X С. >(ОСИ с е 1) ы п (! а )1) Г» H I I i » 0 к и с. 1 0 Г 0 Ii

Детекторы, пзгото»л HllllO из

x Ii»3;l!1JI0Ã0 )!»терн»,.;l с и(.пользо»aiiltp)I вольфрамо»ой иглы» J,я (естве

КОНТ» КТ(10!1 ПЯ Рl>!, 0(). 1<1,1<110Т ." и Р»К— терпстикямп по прямому и обрятHO)I > ТОК>> IS Ht ГI;O И Ь1 0 P»3, !» -1 ПНIв

)!и, чем )ларакте1)истики детекторов, вынос!ненны); из т(x же серписть!х соединений, íî i)p3;Io()!l!sления мярганцевокислого калия.

CIIoco(1 iJ3>l oT0is iI i!51 пoлт I!Do»0;I

H l I Ii O! J 0 1 > 10 М, 1 : и itl t 1!il)i Э. J t КТРИ !PC!i! IX

X1К Л(Tt КТО:)и, В III JtXT >, соле()ж ЛОПОЛH!1T(лип ОГО Окисл(п, I5I !J»ол51 Г )1»1)ГЯИце»окислый калий» кос!Ичестве

5 l t t" от !sec» серы.

Способ изготовления полупроводникового материала для контактных детекторов типа сернистых соединений свинца 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах
Изобретение относится к способам резки хрупких неметаллических материалов, в частности к способам электроискровой резки полупроводниковых пластин типа (BixSb1-x)2(Te ySe1-y)3, обладающих низкой электропроводностью (порядка 1000 Ом·см-1)

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных полупроводниковых приборов и сверхбыстродействующих интегральных схем
Наверх