Изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L21/06,H01L21/16 и H01L21/18[2] (H01L21/34)
H Электричество(232322)
Слой топологического изолятора pb1-хsnхte:in на кристаллической подложке и способ его изготовления // 2783365
Изобретение относится к области трехмерных кристаллических топологических изоляторов. Слой топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке состоит из последовательно эпитаксиально выращенных на кристаллической подложке первого слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0.3 толщиной 0,5-1 мкм с концентрацией индия 0,2-2% и второго слоя Pb1-xSnxTe:In, где х≥0,3 толщиной 10-20 нм с концентрацией индия 0.1-1,5%.
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот с предпочтительным использованием в области антенной техники. Конструктивный элемент метаматериала, монтируемый к излучателю антенны и состоящий из последовательно расположенных слоев, отличающийся тем, что каждый из упомянутых слоёв представляет собой подложку высокоомного кремния с углублениями на её поверхности, форма и расположение которых выбраны исходя из обеспечения излучения антенны в Ku-, K- и/или Ka-диапазонах частот, при этом подложки высокоомного кремния соединены между собой посредством эвтектического слоя из золота и кремния.
Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения.
Использование: для высокомощных силовых и СВЧ полупроводниковых устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутационная плата содержит пластину из нитрида алюминия со сквозными отверстиями, сформированными лазерной микрообработкой, металлизированные отверстия и металлический топологический рисунок из системы металлов толщиной от 3 до 300 мкм с защитным слоем из химического никеля и золота, сформированные методами вакуумного напыления, гальванического осаждения, травления через пленочный фоторезист, при этом на коммутационной плате выполнена толстая двусторонняя металлизация до 300 мкм, паяльная маска с окнами, двусторонний слой припоя в открытых окнах паяльной маски и дополнительный слой припоя в местах крепления мощных навесных элементов и монтажа платы к основанию корпуса прибора, обеспечивающие в совокупности с металлизированными отверстиями отведение тепла в плату и от платы в корпус, а выполнение металлизированных отверстий обеспечивает монтаж высокой плотности за счет двухуровневой разводки металлического топологического рисунка.
Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы. Указанная композиция может быть использована для изготовления электронных компонентов и для получения слоя, наносимого на подложку с последующей термической конверсией.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .
Изобретение относится к способам резки хрупких неметаллических материалов, в частности к способам электроискровой резки полупроводниковых пластин типа (BixSb1-x)2(Te ySe1-y)3, обладающих низкой электропроводностью (порядка 1000 Ом·см-1).
Способ создания нанотрубок // 2238239
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах.
Изобретение относится к технологии производства компонентов электронной техники, в частности полупроводниковых тензорезисторов, и может быть использовано при изготовлении датчиков механических величин. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приизгот'овлении полупроводниковых преобразователей механических величин. .
Способ изготовления полупроводникового прибора с субмикронными размерами управляющего электрода // 1407325
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных полупроводниковых приборов и сверхбыстродействующих интегральных схем. .
Способ изготовления p-n-p-n структуры // 1007546
