Способ перекристаллизации кристаллов
Класс ) 2с, 2
Х0 l17541
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Е А Румянцев
СПОСОБ П ЕРЕКРИ СТАЛ Л И ЗАЦИ И КРИСТАЛЛОВ
Заявлено 15 июня 1933 г. за No 130411/9932 в Бюро новизны
Комитета по изобретательству при CTO
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Хо 2 за 1959 г.
Изобретение относится к способам перекристаллизации кристаллов, обладающих пьезоэлектрическими свойствами.
Отличительной особенностью предлагаемого способа является то, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическом поле при вращении или кристалла, или электрического поля.
Кроме того, перекристаллизацию можно также производить при сообщении кристаллу винтового перемещения, Сущность способа заключается в следующем. Кристалл, обладающий пьезоэлектрическими свойствами, помещают в статическое поле, образовавшееся между соответствующими электродами, и вращают либо сам кристалл, либо электроды (или то и другое вместе) навстречу друг другу Такое вращение вызывает условия, благоприятствующие возникновению одной из разновидностей (правой или левой) пьезокристалла.
Если питать электроды токами, сдвинутыми по фазе и создающими электрическое поле, то можно вращать кристалл с такой необходимой скоростью, которая способствует получению оптимальных условий для избирательной перекристаллизации.
Иногда может возникнуть необходимость сообщить кристаллу винтовое движение. В этом случае пользуются любым из известных механических или электрических приспособлений, Предмет изобретения
1. Способ перекристаллизации кристаллов, в частности кристаллов, обнаруживающих пьезоэлектрические свойства, отличающийся тем, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическом поле при вращении или кристалла, или электрического поля.
2. Видоизменение способа по п. 1, отл и ч а ющеес я тем, что кристаллу сообщают вместо вращения винтовое перемещение.
