Способ получения монокристаллов из двойниковых сростков

Авторы патента:

C30B1/02 - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);

 

Ю 117540

Класс )2с, 12i, 38

ССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Н. Н Падуров и A. П. Селезнев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ ДВОЙНИКОВЫХ

СРОСТКОВ

Заявлено 28 мая 1933 г. за М 129403/9804 в Комитет по делам изобретений ВСНХ СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 2 за 1959 r.

Предмет изобретения

Способ получения монокристаллов из двойниковых сростков путем их.перекристаллизации при повышенной температуре, о тл и ч а ю щ и йся тем, что перекристаллизацию производят во вращающемся электрическом поле с соответствующей ориентировкой оси вращения поля по отношению к оси кристалла.

Предлагается способ получения монокристаллов из двойниковых сростков путем их перекристаллизации при повышенной температуре.

Известно, что при нагрева нии двойниковых сростков, например кварца, до температуры около 575 они превращаются в монокристаллы.

Однако при охлаждении эти монокристаллы снова делаются двойниковыми сростками, причем в решетке кварца возникают правые и левые оси.

Отличительной особенностью предлагаемого способа является то, что перекристаллизацию производят во вращающемся электрическом поле с соответствующей ориентировкой оси вращения поля по отношению К оси кристалла.

Такой способ перекристаллизации приводит или к образованию цельных монокристаллов, или же к образованию таких двойников, у которых будет достаточно большое поле одной из этих (правых или левых) разновидностей.

Предлагаемый метод может быть применен не только к кристаллам кварца, но и к кристаллам других веществ,

Способ получения монокристаллов из двойниковых сростков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллу SiC и способу его получения, в частности монокристаллу SiC, который используется как субстратный тонкий слой для высокотемпературного полупроводникового электронного элемента, например, светопроводящего диода, ULSI (схемы с ультраширокими возможностями), выпрямительного элемента, усилительного элемента и оптического чувствительного элемента, и к способу его получения
Изобретение относится к получению изделий из монокристаллических металлов и их сплавов и может быть использовано в энергетике, радиотехнике, радиоэлектронике

Изобретение относится к получению материалов, способных интенсивно излучать свет в широком диапазоне спектра под воздействием фото-, электронного иэлектровозбуждения, стабильно в условиях высоких температур, радиации и химически агрессивных средах

Изобретение относится к выращиванию кристаллов в твердом состоянии методом пластической деформации - рекристаллизационного отжига

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций
Наверх