Способ записи изображения на пластический носитель
СПОСОБ З.ЛПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ, включающий формирование на поверхности фотополупроводникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изображении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, отличающийся тем, что, с целью получения геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, преобразованного по сравнению с исходным, зарядовый рельеф фор.мируют на фотопо,1)Ч1роводниковом с,тое, выполненном из среза пьезоэлектрического кристалла, а преобразование зарядового рельефа в геометрический осуществляют сжатием фотопо,лупроводникового и термопластического слоев. сл со со
ч„Я0„„1101893
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
3(51) G 11 С 11,42; G 02 Г 1 01 с е)
) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
9 о
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3568878/18-25 (22) 29.03.83 (46) 07.07.84. Бюл. ¹ 25 (72) В. И. Козик, Б. И. Спектор, В. Ф. Трухин, В. И. Фельдбуш и О. П. Спиридонов (71) Московский институт электронного машиностроения и Новосибирский государственный университет (53) 535.8 (088.8) (56) 1. Гуревич С. Б. и др. Передача и обработка информации голографическими методами. М., «Сов радио», 1978, с. 157 — 160.
2. Авторское свидетельство СССР № 438030, кл. G 06 К 15/14, 1972. (54) (57) СПОСОБ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИИ НОСИТЕЛЬ, включающий формирование на поверхности фотополупроводникового слоя зарядового рел ьефа, соответствующего расп ределени ю яркости в изображении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, г)тлича)ощийгя тем, что. с целью получеHèÿ геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, преобразованного по сравнению с искодным, зарядовый рельеф формируют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического кристалла, а преобразование зарядового рельефа в геометрический осугцествляют ciKdтием фотополупроводникового и термопластического слоев.
I 1О 89 ) Составитель H. Наз()рова
Текред И. Верее Корректор С). Билак
Тираж 575 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и 01крытий
Н 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Редактор В. Петраш
За каз 4685/36
Изоб!зетение отн»сит(я i(«б гн i il !)с гnc Iрации изображения на бессер; япый носитель, в частности к терм«(:, "гической записи, для пространственной м«дуляцпи света, и может быть использоваш) в кино-, фототехнике, оптической обработке информации.
Известен бесконечный способ записи изображений на термопластик в виде геометрического рельефа, согласно которому на тонком аморфном фотополупроводниковом слое, покрывающем термопластик, путем проекции изображения и внешнего электрического поля формируют зарядовый рельеф, соответствующий распределению яркости изображеш(Й, KOTopbIH npH нагревании термопластика, за счет электростатических сил, преобразуется в геометрический рельеф 11 .
Недостатком способа является необходимость покрытий всей площади термопластика фоточувствительным слоем, что существенно усложняет технологию изготов- g0 ления регистрирующей среды и удорожает ее производство, а та кже необходи мость проведения цикла термообработки, что умень (пает достижимую скорость покадровой заiIHCH, Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ записи изображения на пластический носитель, включающий формирование зарядового реги ефа, соответственно распределеникэ яркости в изображении на поверхности фотополупроводникового слоя, и преобразование
его в геометрический рельеф пластического носителя. Перенос зарядового рельефа на термопластик осуществляют за счет кратковременного контакта фотополупроводникового элемента и термопластика. ((ля записи последующего кадра термопластический носитель перемещают относительно фотополупроводникового элемента в новое положение 121.
Недостатком указанного устройства яв. 40 ляется необходимость термообработки носителя для получения геометрического рельефа и низкая скорость покадровой записи.
Кроме того, изотропность свойств аморфного фотополупроводникового элемента не позволяет получить в процессе регистрации изображение, преобразованное относительно исходного, например контур изображения или изображение, продифференцированное по какой-либо координате.
Цель изобретения — получение геометрического рельефа на пластическом носителе без его термической обработки при одновременной регистрации на носитель изображения, пре«()!)BBOBBllilol(oil,)E,l,ñ.-п ым образом ilo сравнению с ис.;одным.
)IocTBB IeBHdsI цель достигается тех(.:и, согласно спосооу записи изображения il,: пластический носитель, включающему формирование на поверхности фотополупров«дникового слоя зарядового рельефа, соответствующего распределению яркости в изос)ражении, и преобразование его в геометрический рельеф пластического носителя, зарядовый рельеф форм и р уют на фотополупроводниковом слое, выполненном из среза пьезоэлектрического крис. галла (например, В!(а SIOgp). а преобразование зарядового рельефа в геометрический осу!I(E с TBë ÿ oò сжаTHB)I фотополупроводникового и термопластического слоев.
Направление среза слоя кристалла задает вид преобразования зарядового рельефа в геометрический, что позволяет при записи трансформировать исходное изображение по наперед известному закону.
На чертеже показана схема реализации способа.
Фотополупроводниковый элемент 1, состоящий из среза (100) монокристалла 2
В!(а SION толщиной 1 мм, наклеенного оптическим клеем 3 на стеклянную подложку - . с предварительно напылеHHblvl прозрачным электродом 5 (Jn 6 (NgFp ), поджимают с помощью пьезокерамической подвижки 7 с усилием 10 гс к поверхности слоя термопластика 8 толщиной 10 мкм, нанесенного на лавсановую ленту 9 толщиной 50 мкм. Между электродами 5 и 10 создают разность потенциалов 2000 В с помощью источника 11 напряжения. На кристалл 2 проецируют изображение объекта 12 излучением длиной волны 0,44 нм. При этом поверхность кристалла приобретает за счет пьезоэффекта микродеформации, соответствующие распределению заряда на границе раздела с термопластиком, благодаря чему деформируется и термопласти к. После экспозиции напряжение выключают и фоточувствительный элемент отводят подвижкой 7. Таким образом, предлагаемый способ записи изображений на пластический носитель позволяет увеличить скорость покадровой записи, а также исключить цикл термоооработки носителя. Кроме того, выбор среза фоточувствительного пьезоэлектрического кристалла обеспечивает трансфорх(ацик) записываемого изображения по известному закону, что позволяет, например, записывать контур изображения либо его пространственную производную.
